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公开(公告)号：CN102184876B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201110056309.9
申请日：2011-03-09
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了属于半导体制造技术范围的一种激光加工中晶圆片定位误差的量测方法。所述的方法，首先是设计半导体制造的版图，在版图设计完成，并制版之后，进入制造流程，制造这些微测试结构。除低浓度掺杂区外其他部分的工艺均同常规工艺然后采用相应制造工艺，其中含激光处理步骤，来制作出按不同位置分布的微测试结构，最后对微测试结构的电学特性进行测试。根据各测试结构不同的测量结果和已知的位置分布情况，即可判断得到激光加工中晶圆片定位的误差，从而为误差校正提供测试依据。本发明方法简便实用，无需借助于大型复杂仪器设备和额外的精确操作即可进行，可以与激光加工设备相结合，成为后者设备性能定期检测校准的标准化的方法。
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公开(公告)号：CN102324385A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201110273235.4
申请日：2011-09-15
Applicant: 清华大学
IPC: H01L21/268 , B23K26/00
Abstract: 本发明公开了一种用于半导体激光加工中的高行重叠率的光束扫描方式。经过扩束、匀束、光束整形处理后的一定形状的激光束斑，相对于晶圆片做扫描动作，包括采用晶圆片平移而激光束不动的方式进行，或采用激光束平移而晶圆片不动的方式来进行取一定长度的特定形状的激光束斑，从左到右或从右到左一遍遍地扫描和加工处理晶圆片。连续两行之间的间距取为远小于束斑长度，就形成了高重叠率的扫描运行。采用这样的扫描方式，可以在不变更激光加工处理设备其他部件，不对其他部件提更高技术指标要求的情况下，极大地提高激光加工处理的片内均匀性。此外，由于允许扫描机构中的重载部件以匀速度运行，可提高位置控制精度，改善扫描运动控制的效果。
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公开(公告)号：CN102184876A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110056309.9
申请日：2011-03-09
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了属于半导体制造技术范围的一种激光加工中晶圆片定位误差的量测方法。所述的方法，首先是设计半导体制造的版图，在版图设计完成，并制版之后，进入制造流程，制造这些微测试结构。除低浓度掺杂区外其他部分的工艺均同常规工艺然后采用相应制造工艺，其中含激光处理步骤，来制作出按不同位置分布的微测试结构，最后对微测试结构的电学特性进行测试。根据各测试结构不同的测量结果和已知的位置分布情况，即可判断得到激光加工中晶圆片定位的误差，从而为误差校正提供测试依据。本发明方法简便实用，无需借助于大型复杂仪器设备和额外的精确操作即可进行，可以与激光加工设备相结合，成为后者设备性能定期检测校准的标准化的方法。
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公开(公告)号：CN102169810A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201010621834.6
申请日：2010-12-27
Applicant: 清华大学
IPC: H01L21/00 , H01L21/268
Abstract: 本发明公开了属于半导体制造设备和技术范围的一种使用真空腔的激光处理装置和处理方法。所述真空激光处理装置包括真空工艺腔体，顶杆片托机构，真空系统及晶圆片的送取机构，激光辐照处理及冷却处理装置，本发明既能够灵活应对不同工艺加工需求，又充分照顾到了激光处理的光作用特点。采用本发明真空激光处理腔，本身可执行激光退火或者激光再结晶处理；可执行薄膜的激光辅助沉积处理；当外部提供可移动式的灯光或者红外加热源的功率足够时，也可执行薄外延的工艺处理。极大地提高了反应腔的实际应用价值。所述工艺腔除内部提供一定真空度的反应环境之外，侧壁由于通冷却液，成为“冷壁式”的反应腔，该特点尤其有利于薄膜沉积或者外延类的应用。
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公开(公告)号：CN101872744A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN201010191071.6
申请日：2010-06-03
Applicant: 清华大学
IPC: H01L21/822 , H01L21/306
Abstract: 本发明公开了属于半导体微波集成电路技术领域的一种在硅衬底上制造化合物半导体MMIC芯片的方法。利用三维对准光刻技术实现衬底背面图形的光刻，通过干法或湿法刻蚀，将圆片中各个MMIC芯片中部的硅衬底部分去除，保留MMIC芯片四周边缘处和压焊块下面的硅衬底，来维持进行后道减薄和划片封装工艺时所必须的机械强度。这有利于减小由于衬底耦合造成的功率损耗，提高硅衬底上制造化合物半导体MMIC的功率效率，同时降低了成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101215692B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200810055628.6
申请日：2008-01-04
Applicant: 清华大学
IPC: C23C16/44
Abstract: 本发明属于半导体制造装备和加工技术领域的一种多反应腔的原子层沉积装置和方法。该原子层沉积装置为A、B两相反应腔通过一个过渡腔并联在一组真空泵组上；A相反应腔、B相反应腔各自下部的反应室分别通过通道阀门和过渡腔连通，在A相反应腔、B相反应腔分别通过真空阀与各自下部的a、b反应室相通。所述沉积方法是在该装置内，集成电路的圆片在a、b反应室之间经过通道阀门来回传送，A、B两相反应交替进行，将在圆片表面逐原子层地生长出集成电路所要求厚度的纳米薄层或复合结构材料。对反应腔室的沾污小，提高淀积质量；节约反应源用量，降低工艺成本，使环境危害程度最低。
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公开(公告)号：CN102280366B
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201110240538.6
申请日：2011-08-19
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种属于半导体加工技术领域的一种用于激光加工的旋转窗片装置。隔离罩的窗片固定在隔离罩支撑件的一边，隔离罩支撑件固定在隔离罩支撑件环形壁顶端，隔离罩支撑件环形壁由轴承部件支撑在加热器的隔热材料层外圆周壁上；晶圆片置于加热片台上。本发明通过使用旋转的窗片结构，可以隔离加热片台高温部件对于周围环境及其他设备部件的热影响和扰动；由于采用了对作用激光是透明的窗片，并不会隔离激光对于晶圆片的工艺作用；采用旋转窗片的做法，降低了窗片本身的加工难度，窗片的光学特性能够在较小尺寸范围内得到精确的控制，成形激光束不会受到因窗片特性不均匀而引起的额外的不良影响，能够保证工艺效果更加稳定。
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公开(公告)号：CN102315108B
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201110273453.8
申请日：2011-09-15
Applicant: 清华大学
IPC: G11C11/15
CPC classification number: H01L21/26586 , H01L21/268
Abstract: 本发明公开了属于半导体制造工艺范围的涉及一种用于复杂结构半导体器件的激光退火方法。该激光退火方法采用倾斜入射方式，在实施激光退火时，激光束与晶圆的法线方向之间呈现一个夹角，激光束的束斑作用在晶圆上的三维器件结构上，晶圆的运动方向与激光束在晶圆上的投影所形成的直线段平行。针对三维器件结构和倾斜离子注入工艺制备的器件进行退火。通过激光倾斜辐照，可以使复杂结构半导体器件的正面和侧面的浅表面层得到相同的激光表面退火处理，也可以沿着倾斜离子注入的方向透过离子注入窗口将杂质激活，得到特殊的杂质分布的器件结构。利用激光倾斜入射的投影效应，进行选择性退火，即被照射区域退火，而未被照射的盲区不退火。
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公开(公告)号：CN103117212A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201310073999.8
申请日：2011-09-15
Applicant: 清华大学
IPC: H01L21/268
CPC classification number: H01L21/26586 , H01L21/268
Abstract: 本发明公开了属于半导体制造工艺范围的一种用于复杂结构半导体器件的激光退火方法。该激光退火方法采用倾斜入射方式，在实施激光退火时，激光束与晶圆的法线方向之间呈现一个夹角，激光束的束斑作用在晶圆上的三维器件结构上，晶圆的运动方向与激光束在晶圆上的投影所形成的直线段平行。针对三维器件结构和倾斜离子注入工艺制备的器件进行退火。通过激光倾斜辐照，可以使复杂结构半导体器件的正面和侧面的浅表面层得到相同的激光表面退火处理，也可以沿着倾斜离子注入的方向透过离子注入窗口将杂质激活，得到特殊的杂质分布的器件结构。利用激光倾斜入射的投影效应，进行选择性退火，即被照射区域退火，而未被照射的盲区不退火。
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公开(公告)号：CN102169816B
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201110056560.5
申请日：2011-03-09
Applicant: 清华大学
IPC: H01L21/00 , H01L21/268
CPC classification number: H01L21/268 , H01L21/67115
Abstract: 本发明公开了属于半导体器件制作工艺的深紫外激光退火设备中的屏蔽电极装置。在被加工的圆片上方加一个屏蔽电极，该屏蔽电极位于承载片台和被加工的圆片的上方，与被加工圆片表面平行，电极中心有一个小孔可使深紫外激光透过，电极相对于激光光束静止不动，该激光退火设备由深紫外激光器来提供脉冲激光束，激光束经过扩束、匀束、边沿处理的光路，并通过屏蔽电极上的小孔投射到一个可以进行X-Y平面二维精确定位和移动的承载片台上，对放置于平台上的被加工圆片进行激光退火。屏蔽电极相对于激光束静止不动，承载片台可以进行二维的匀速或步进式移动。承载片台接地，屏蔽电极相对于片台和圆片为负电位，这样可以有效地抑制由于深紫外激光照射而产生的外光电效应现象，防止在退火过程中由于电子逃逸出圆片所造成的器件损伤。
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