射线转换靶、射线源和辐照装置
    21.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117612913A

    公开(公告)日:2024-02-27

    申请号:CN202311733847.6

    申请日:2023-12-15

    Abstract: 本公开提供了一种射线转换靶,包括靶体、靶部和散热部,靶部设置在靶体内部,所述靶部具有相对的第一面和第二面,所述第一面配置成用于产生射线;散热部,配置成容纳散热流体,且至少部分位于所述靶部的第二面,其中,所述散热部的流体入口分隔为N个第一子入口,每一所述第一子入口与对应的第一流道相连通,N为大于或等于2的整数;其中,每个所述第一子入口与其余至少一个第一子入口的大小不同,N个所述第一子入口配置成调节流向各第一流道内流体的流量。本公开还提供了射线源和辐照装置。

    检测系统
    22.
    发明公开
    检测系统 审中-实审

    公开(公告)号:CN117555034A

    公开(公告)日:2024-02-13

    申请号:CN202311829691.1

    申请日:2023-12-28

    Abstract: 本发明涉及一种检测系统,包括第一射线源、第二射线源、第一探测器、第二探测器、第三探测器和第四探测器,第一射线源和第二射线源均被配置为向被检物发射射线,第一探测器设置于被检物的远离第一射线源的一侧,第一探测器被配置为接收第一射线源发射的穿透被检物的射线,第二探测器设置于被检物的远离第二射线源的一侧,第二探测器被配置为接收第二射线源发射的穿透被检物的射线,第三探测器与第一射线源设置于被检物的同侧,第三探测器被配置为接收第一射线源发射的经被检物散射后的射线,第四探测器与第二射线源设置于被检物的同侧,第四探测器被配置为接收第二射线源发射的经被检物散射后的射线。

    高纯锗探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN117214942B

    公开(公告)日:2024-02-09

    申请号:CN202311468073.9

    申请日:2023-11-07

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明的实施例提供了一种高纯锗探测器,涉及半导体器件技术领域,包括:晶体盒,限定出容纳空间;前端电子学,与晶体盒固定连接;高纯锗晶体,设置在容纳空间内,具有第一区域,第一区域的外表面分布有接触电极;金属电极,设置在接触电极上且远离高纯锗晶体的中心区域;晶体盒固定结构,用于将高纯锗晶体固定在晶体盒内;邦定金属丝,邦定金属丝的一端与金属电极接触,另一端与前端电子学电连接。通过引入邦定金属丝将高纯锗晶体的接触电极与前端电子学连接起来,从而以极低的物料、极低的本底实现探测器信号引出,解决现有探测器信号引出方式本底高的问题,在保持性能稳定的同时有效降低高纯锗探测器的本底,提高能量分辨率和最小可探测活度。

    CT图像重建方法、装置和系统、存储介质

    公开(公告)号:CN117291965A

    公开(公告)日:2023-12-26

    申请号:CN202311572096.4

    申请日:2023-11-23

    Abstract: 本公开提供一种CT图像重建方法、装置和系统、存储介质。CT图像重建方法包括:获取目标物上的N个目标点在指定时刻的坐标值,N为大于1的自然数,其中目标物为在CT扫描设备中进行CT扫描的物体;利用N个目标点在指定时刻的坐标值和CT扫描设备的旋转中心坐标值,确定目标物的偏转角度;利用偏转角度和旋转中心坐标值,对位于目标物的当前扫描区域中的每个点的坐标值进行校正,以得到每个点的校正坐标值;利用每个点的校正坐标值和在指定时刻获取的投影数据,得到重建的CT图像。

    高纯锗探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN117214942A

    公开(公告)日:2023-12-12

    申请号:CN202311468073.9

    申请日:2023-11-07

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明的实施例提供了一种高纯锗探测器,涉及半导体器件技术领域,包括:晶体盒,限定出容纳空间;前端电子学,与晶体盒固定连接;高纯锗晶体,设置在容纳空间内,具有第一区域,第一区域的外表面分布有接触电极;金属电极,设置在接触电极上且远离高纯锗晶体的中心区域;晶体盒固定结构,用于将高纯锗晶体固定在晶体盒内;邦定金属丝,邦定金属丝的一端与金属电极接触,另一端与前端电子学电连接。通过引入邦定金属丝将高纯锗晶体的接触电极与前端电子学连接起来,从而以极低的物料、极低的本底实现探测器信号引出,解决现有探测器信号引出方式本底高的问题,在保持性能稳定的同时有效降低高纯锗探测器的本底,提高能量分辨率和最小可探测活度。

    高纯锗探测器
    26.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117192595A

    公开(公告)日:2023-12-08

    申请号:CN202311476507.X

    申请日:2023-11-08

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明提供了一种高纯锗探测器,涉及半导体器件技术领域,该高纯锗探测器包括:高纯锗晶体;第一电极,第一电极设置于高纯锗晶体的第一表面;以及第二电极,第二电极设置于高纯锗晶体的第二表面,第一表面和第二表面为高纯锗晶体相对的表面,其中,第一电极包括:锂扩散电极,锂扩散电极设置于高纯锗晶体的第一表面和侧表面的至少一部分;第一非晶层,第一非晶层设置于高纯锗晶体的第一表面和侧表面的至少一部分;以及第一金属电极,第一金属电极设置于第一非晶层远离高纯锗晶体的一侧,其中,第一金属电极的至少一部分与锂扩散电极收集同一种载流子,从而减小了高纯锗探测器的死层厚度,可以制作精密的电极结构。

    采集进样装置和检查设备
    28.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106769268B

    公开(公告)日:2023-11-24

    申请号:CN201611255800.3

    申请日:2016-12-29

    Abstract: 本发明公开了一种采集进样装置和检查设备。采集进样装置包括:圆筒形外罩和置于圆筒形外罩内的内罩,在所述圆筒形外罩和内罩之间形成旋风腔,以便在旋风腔内充入气流形成龙卷风。采集进样装置还包括外腔体,和设置在所述内罩的第一内罩端开口内的多个气体喷射口,所述多个气体喷射口配置成朝向由圆筒形外罩的第一外罩端开口的端面限定的圆形区域的大体中心喷射气体。

    CT检查系统和CT成像方法
    29.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108226195B

    公开(公告)日:2023-10-13

    申请号:CN201711451934.7

    申请日:2017-12-28

    Abstract: 本发明涉及CT检测技术领域,特别涉及一种CT检查系统和CT成像方法。本发明所提供的CT检查系统,包括扫描装置和成像装置,其中:扫描装置具有放射源装置和探测装置并在对待检物进行扫描的至少部分过程中进行非匀速转动;成像装置基于有效探测数据生成CT图像,有效探测数据为探测装置在每转动预设角度时的数据。在本发明中,CT检查系统的成像装置基于探测装置在每转动预设角度时的数据生成CT图像,相对于传统的图像采集方案,可以有效减少图像形变,提高检测结果的准确性。

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