公开(公告)号：CN108428789A

公开(公告)日：2018-08-21

申请号：CN201810111325.5

申请日：2018-02-05

Applicant: 清华大学

Inventor： 何珂 ,  姜高源 ,  薛其坤

IPC: H01L43/06 ,  H01L43/10 ,  H01L43/14

Abstract: 本发明公开了一种多通道拓扑绝缘体结构，包括：绝缘基底、多个拓扑绝缘体量子阱薄膜和多个绝缘间隔层，所述多个拓扑绝缘体量子阱薄膜和多个绝缘体间隔层交替的叠加在所述绝缘基底表面，相邻的两个所述拓扑绝缘体量子阱薄膜之间通过一个所述绝缘间隔层间隔。本发明还公开了一种多通道拓扑绝缘体结构制备方法及一种电学器件。

公开(公告)号：CN103203913B

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201310079700.X

申请日：2013-03-13

Applicant: 清华大学 ,  中国科学院物理研究所

Inventor： 薛其坤 ,  马旭村 ,  王立莉 ,  陈曦 ,  贾金锋 ,  何珂 ,  季帅华 ,  张文号 ,  王庆艳 ,  李志

IPC: B32B9/04

Abstract: 本发明涉及一种高温超导薄膜，其包括一SrTiO3基底、一FeSe单晶层及一具有层状晶体结构的保护层。所述SrTiO3基底、FeSe单晶层和保护层层叠设置，其中，所述FeSe单晶层位于所述SrTiO3基底和保护层之间。所述FeSe单晶层与所述SrTiO3基底之间具有一原子级平整的界面，所述保护层与所述FeSe单晶层之间也具有一原子级平整的界面。本发明提供的高温超导薄膜，其超导转变的起始温度在54K以上，在12K时的临界电流密度高于106A/cm2。

公开(公告)号：CN103203913A

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN201310079700.X

申请日：2013-03-13

Applicant: 清华大学 ,  中国科学院物理研究所

Inventor： 薛其坤 ,  马旭村 ,  王立莉 ,  陈曦 ,  贾金锋 ,  何珂 ,  季帅华 ,  张文号 ,  王庆艳 ,  李志

IPC: B32B9/04

Abstract: 本发明涉及一种高温超导薄膜，其包括一SrTiO3基底、一FeSe单晶层及一具有层状晶体结构的保护层。所述SrTiO3基底、FeSe单晶层和保护层层叠设置，其中，所述FeSe单晶层位于所述SrTiO3基底和保护层之间。所述FeSe单晶层与所述SrTiO3基底之间具有一原子级平整的界面，所述保护层与所述FeSe单晶层之间也具有一原子级平整的界面。本发明提供的高温超导薄膜，其超导转变的起始温度在54K以上，在12K时的临界电流密度高于106A/cm2。

公开(公告)号：CN103184513A

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201310079699.0

申请日：2013-03-13

Applicant: 清华大学 ,  中国科学院物理研究所

Inventor： 薛其坤 ,  马旭村 ,  王立莉 ,  陈曦 ,  贾金锋 ,  何珂 ,  季帅华 ,  张文号 ,  王庆艳 ,  李志

IPC: C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/46

Abstract: 本发明涉及一种高温超导薄膜的制备方法，其包括以下具体步骤：提供一SrTiO3基底，将该SrTiO3基底置于一超高真空系统中；利用分子束外延生长技术生长一FeSe单晶层于该SrTiO3基底的表面；以及利用分子束外延生长技术生长一具有层状晶体结构的保护层覆盖于该FeSe单晶层的表面。利用本发明方法可制备出高质量、超薄的高温超导薄膜，其超导转变的起始温度在54K以上，在12K时的临界电流密度高于106A/cm2。

公开(公告)号：CN103022341A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210559564.X

申请日：2012-12-21

Applicant: 清华大学 ,  中国科学院物理研究所

Inventor： 薛其坤 ,  何珂 ,  马旭村 ,  陈曦 ,  王立莉 ,  常翠祖 ,  冯硝 ,  李耀义 ,  贾金锋

IPC: H01L43/06 ,  H01L43/10 ,  C01B19/00

CPC classification number: H01L43/06 ,  H01L43/10 ,  H01L43/14

Abstract: 本发明涉及一种拓扑绝缘体结构，包括绝缘基底及生长在绝缘基底表面的磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜，该磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜的材料由化学式Cry(BixSb1-x)2-yTe3表示，其中0

公开(公告)号：CN103000804A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201210559522.6

申请日：2012-12-21

Applicant: 清华大学 ,  中国科学院物理研究所

Inventor： 薛其坤 ,  何珂 ,  马旭村 ,  陈曦 ,  王立莉 ,  王亚愚 ,  吕力 ,  常翠祖 ,  冯硝

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/10

CPC classification number: H01L43/14 ,  H01L43/065

Abstract: 本发明涉及一种产生量子化反常霍尔效应的方法，包括：在绝缘基底上制备厚度为3QL至5QL的拓扑绝缘体量子阱薄膜；在制备该拓扑绝缘体量子阱薄膜的同时对该拓扑绝缘体量子阱薄膜掺杂第一元素与第二元素，形成磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜，该第一元素与该第二元素在该磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜中分别引入空穴型载流子与电子型载流子，使该磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜中载流子浓度载流子浓度降到1×1013cm-2以下，该第一元素与该第二元素中的一种对该拓扑绝缘体量子阱薄膜进行磁性掺杂；以及对该磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜施加场电压使载流子浓度进一步降低至实现量子化反常霍尔效应。