公开(公告)号：CN103972395A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201410181665.7

申请日：2014-04-30

Applicant: 深圳清华大学研究院

Inventor： 檀满林 ,  王彦涛 ,  李冬霜 ,  张维丽 ,  符冬菊 ,  王晓伟 ,  叶利强 ,  马清 ,  陈建军

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/46 ,  C01G9/02

CPC classification number: Y02E10/549 ,  H01L51/4233 ,  C01G9/02 ,  H01L2251/303

Abstract: 本发明涉及一种氧化锌复合材料的制备方法，其包括以下步骤：将一锌盐溶于一第一溶剂中，得到含锌离子的溶液，其中，所述第一溶剂为一有机溶剂；向该含锌离子的溶液中加入聚乙二醇，得到一前驱体溶液；将一碱性物质溶于第二溶剂中得到一含氢氧根离子的溶液，所述第二溶剂与第一溶剂相同；以及，向所述前驱体溶液中加入该含氢氧根离子的溶液，在反应温度下进行反应，得到氧化锌复合材料，其中，所述氧化锌复合材料中氧化锌的表面包覆有聚乙二醇。本发明还提供一种氧化锌复合材料以及采用该氧化锌复合材料的太阳能电池。

公开(公告)号：CN103531713A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201310283505.9

申请日：2013-07-05

Applicant: 深圳清华大学研究院 ,  湖南共创光伏科技有限公司

Inventor： 檀满林 ,  符冬菊 ,  马清 ,  陈建军 ,  王彦涛 ,  李廷凯

IPC: H01L51/48

CPC classification number: Y02E10/549 ,  H01L51/0003

Abstract: 本发明涉及一种无机纳米晶/共轭聚合物杂化太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：S1，提供一太阳能电池导电基底；S2,通过PECVD方法在一生长基底表面沉积硅纳米晶薄膜；S3，通过机械法将该硅纳米晶薄膜从该生长基底表面分离；S4，机械粉碎从生长基底表面分离的该硅纳米晶薄膜，得到硅纳米晶粉末；S5，将该硅纳米晶粉末与共轭聚合物在有机溶剂中混合，形成混合液；S6，超声振荡该混合溶液，使硅纳米晶均匀分散在该混合液中；S7，将该混合液涂覆在该太阳能电池导电基底表面，形成硅纳米晶/共轭聚合物层；以及S8，在该硅纳米晶/共轭聚合物层表面设置第二电极；其中，步骤S3~S7均在保护气体中进行。

公开(公告)号：CN109037034B

公开(公告)日：2021-02-12

申请号：CN201810835092.3

申请日：2018-07-26

Applicant: 深圳清华大学研究院

Inventor： 田勇 ,  檀满林 ,  刘荣跃 ,  王晓伟 ,  符冬菊 ,  陈建军

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/477 ,  H01L31/18 ,  H01L31/032 ,  H01L31/072

Abstract: 本发明提供一种硒化锑薄膜的制备方法，包括以下步骤：提供一衬底；将0.5～0.8mol/L的醋酸锑和硫脲溶于无水甲醇中得到溶液A，其中所述醋酸锑与硫脲的摩尔比范围为1:1.5～1:3，往溶液A中滴加溶胶稳定剂，得到硫化锑溶胶溶液；将所述硫化锑溶胶溶液旋涂在所述衬底的表面上，预热处理后得到硫化锑薄膜，预热温度范围为200～320℃；将所述硫化锑薄膜和硒粉共同进行热处理，使所述硫化锑薄膜硒化成硒化锑薄膜，硒化温度范围为320～440℃，硒化时间范围为20～80min。本发明另提供一种由该制备方法制得的硒化锑薄膜。本发明还提供一种包括所述硒化锑薄膜的太阳能电池。该制备方法过程环保，由该方法制备出来的硒化锑薄膜致密、均匀，且杂质含量很少。

公开(公告)号：CN107863393B

公开(公告)日：2019-05-17

申请号：CN201710948030.9

申请日：2017-10-12

Applicant: 深圳清华大学研究院

Inventor： 檀满林 ,  代梅 ,  田勇

IPC: H01L31/0216 ,  C03C17/30

Abstract: 一种具有微纳减反射层的太阳能光伏玻璃的制备方法，其包括如下步骤：a.将玻璃基片置于氧气等离子体中刻蚀，以制得改性玻璃基片；b.在该改性玻璃基片的表面涂覆一层有机硅附着力促进剂，以形成有机硅附着力促进剂镀层；c.在该有机硅附着力促进剂镀层的表面涂覆一层光刻胶，以形成光刻胶镀层；d.将含有该光刻胶镀层的玻璃基板放在真空压印设备进行压印，并采用紫外光源照射，待该光刻胶固化成型停止照射，以制得减反射层前驱体；e.移除该真空压印设备，将该减反射层前驱体放入等离子体刻蚀腔中，加入反应气体对玻璃基片进行刻蚀反应，以制得具有微纳减反射层的太阳能光伏玻璃。本发明的制备工艺简单，且制得的太阳能光伏玻璃具有高分辨率及高光转化效率性能。

公开(公告)号：CN109616697A

公开(公告)日：2019-04-12

申请号：CN201811296806.4

申请日：2018-11-01

Applicant: 深圳清华大学研究院

Inventor： 檀满林 ,  田勇 ,  郭震 ,  符冬菊 ,  陈建军

IPC: H01M10/056 ,  H01M10/054

Abstract: 本发明公开了一种镁离子电池聚合物电解质膜及其制备方法。该电解质膜包括聚合物基体、镁盐、增塑剂以及添加剂，该制备方法为溶液浇铸法。与现有技术相比，本发明所制备的镁离子电池聚合物电解质膜具有电导率高、化学稳定性好的特点。

公开(公告)号：CN109616632A

公开(公告)日：2019-04-12

申请号：CN201811446822.7

申请日：2018-11-29

Applicant: 深圳清华大学研究院

Inventor： 檀满林 ,  付晓宇 ,  张亮

IPC: H01M4/36 ,  H01M4/485 ,  H01M4/505 ,  H01M10/0525

Abstract: 一种锰基固溶体材料的制备方法，包括以下步骤：提供一锂源和一锰源，溶于一溶剂中，形成溶液；将所述溶液置入一密闭的容器中加热反应，所述溶液在加热反应后生成沉淀物；将所述沉淀物过滤、洗涤、干燥；将干燥后的沉淀物置入一容器中加热保温，然后自然冷却至室温，得到锰基固溶体材料。所述锰基固溶体材料的通式为LiMnxOy，所述LiMnxOy为Li2MnO3和LiMn2O4的固溶体。本发明还提供一种正电极和一种电池。

公开(公告)号：CN109546145A

公开(公告)日：2019-03-29

申请号：CN201811446818.0

申请日：2018-11-29

Applicant: 深圳清华大学研究院

Inventor： 檀满林 ,  符冬菊 ,  田勇 ,  陈建军

IPC: H01M4/505 ,  H01M4/525 ,  H01M4/1315 ,  H01M4/13915 ,  H01M10/0525

Abstract: 本发明提供一种通式为LixMn2/3Ni1/6Co1/6O(2.30-y)Fy的锂电池正极材料，在该通式中，1.1≤x≤1.3，0≤y≤0.15，本发明还提供一种所述正极材料的制备方法，应用所述正极材料制备的锂电池正极和锂电池。本发明还提供一种所述正极材料的应用。本发明提供的正极材料制备方法简便、原料易得，且氟元素的掺杂，有利于正极材料在应用过程中大倍率的电流密度下的循环稳定性。

公开(公告)号：CN109509839A

公开(公告)日：2019-03-22

申请号：CN201811309521.X

申请日：2018-11-05

Applicant: 深圳清华大学研究院

Inventor： 檀满林 ,  郭震 ,  田勇

IPC: H01L51/48 ,  H01L51/46 ,  H01L51/42 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供的一种杂化太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：硅衬底的清洗；硅衬底表面的硅纳米线阵列的制备；依次采用浓度为3M-5M的酸溶液和浓度为0.1M-0.2M的碱溶液处理硅纳米线阵列以得到硅纳米锥阵列；通过UV-O3与非离子型分散剂协同处理以增强旋涂成型于硅纳米锥阵列外层的DMSO掺杂PEDOT:PSS之间的润湿；成型透明AZO电极层；背电极的制备；电池的成型。本发明通过对硅纳米线阵列的后处理消除了团聚现象，确保了载流子在电池内的输运特性，优化了电池性能；另采用DMSO掺杂改性PEDOT:PSS，使得薄膜的电导率明显提高，电池综合性能好。

公开(公告)号：CN109301008A

公开(公告)日：2019-02-01

申请号：CN201811290380.1

申请日：2018-10-31

Applicant: 深圳清华大学研究院

Inventor： 檀满林 ,  田勇 ,  张维丽 ,  符冬菊 ,  陈建军

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/18

Abstract: 一种量子点光电探测器的制备方法，包括如下步骤：制备含有硒化镉胶体量子点的前驱物溶液；以所述前驱物溶液为基础制备硒化铅胶体量子点溶液；去除所述硒化铅胶体量子点溶液中的杂质并分离得到硒化铅胶体量子点材料；提供一基板，在所述基板表面设置多个间隔设置的电极；以及，将所述硒化铅胶体量子点材料设置于所述基板表面形成量子点感光层，使所述感光层与所述电极电性连接。本发明还提供一种量子点光电探测器。

公开(公告)号：CN108996471A

公开(公告)日：2018-12-14

申请号：CN201810832593.6

申请日：2018-07-26

Applicant: 深圳清华大学研究院

Inventor： 檀满林 ,  田勇 ,  张维丽

IPC: B82B3/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B33/021

Abstract: 本发明提供一种硅纳米线的制备方法，包括以下步骤：(1)提供单晶硅片，将单晶硅片浸泡于HF溶液中进行氢钝化处理；(2)将经过步骤(1)处理后的单晶硅片浸泡于银沉积液中，使得单晶硅片的表面镀上银纳米颗粒层，所述银沉积液包括0.005～0.02mol/L的AgNO3和1.2～9.6mol/L的HF，银沉积时间为15～120S；(3)将经过步骤(2)处理后的单晶硅片浸泡于蚀刻液中进行蚀刻处理，得到硅纳米线。其中，所述蚀刻液包括0.2～0.4mol/L的H2O2和2.4～9.6mol/L的HF或者0.07～0.42mol/L的Fe(NO3)3和2.4～9.6mol/L的HF，蚀刻时间为15～120min。该制备方法在常温常压下即可实现硅纳米线的制备，操作过程简单，并在此基础上对硅片表面进行图形化处理，实现了硅纳米线在指定位置生长。