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公开(公告)号：CN113621346B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202110862927.6
申请日：2021-07-29
申请人： 浙江奥首材料科技有限公司
IPC分类号： C09K3/14
摘要： 本发明提供一种应用于大尺寸硅片研磨的悬浮助剂、其制备方法及用途，所述悬浮助剂包括重量配比如下的各组分：氢键触变剂0.5‑5份；悬浮增效剂0.5‑5份；电荷中和剂0.1‑1份；分散剂0.5‑10份；润滑剂10‑20份；防锈剂0.1‑0.5份；水50‑85份。本发明还公开了上述悬浮助剂的制备方法，包括以下步骤：向去离子水中依次加入分散剂、润滑剂、电荷中和剂和防锈剂；加热至40℃后，向溶液中加入氢键触变剂，乳液静置溶胀稳定；向溶液中加入悬浮增效剂，制备得到应用于大尺寸硅片研磨的悬浮助剂。本发明制备的悬浮助剂可以有效增加复合磨料的悬浮性能，同时对不同磨料具有良好的分散性，避免循环研磨中形成磨料团聚和磨料硬沉淀。
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公开(公告)号：CN114149768A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202111238937.9
申请日：2021-10-25
申请人： 浙江奥首材料科技有限公司
IPC分类号： C09J123/08 , C09J175/04 , C09J11/08 , C09J11/06 , C09J11/04 , H01L21/683
摘要： 本发明提供一种用于晶圆加工的临时键合胶、其制备方法及用途。本发明用于晶圆加工的临时键合胶包括质量份如下的各组分：聚合树脂0.1‑5份、增粘树脂20‑50份、增强剂1‑5份、增塑剂1‑5份、高沸点溶剂10‑50份、低沸点溶剂10‑30份、润湿剂0.5‑5份、抗氧化剂0.1‑0.5份。本发明还公开了所述用于晶圆加工的临时键合胶的制备方法及用途。本发明用于晶圆加工的临时键合胶是一种热稳定性高、抗化学腐蚀强、粘结力强、粘片均匀的临时键合胶，能广泛适用于晶圆加工。
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公开(公告)号：CN118638305A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410843961.2
申请日：2024-06-27
申请人： 浙江奥首材料科技有限公司
摘要： 本发明提供一种聚碳酸丁二醇酯离子聚合物、包含其的悬浮助剂、包含其的研磨液、其制备方法及应用。所述聚碳酸丁二醇酯离子聚合物采用以下方法制备而成：在惰性气氛下，采用β‑环糊精催化聚碳酸丁二酯‑co‑富马酸丁二酯无规共聚物和3‑巯基丙酸在N,N‑二甲基甲酰胺溶剂中进行点击化学反应，反应完成后减压蒸馏，得到聚碳酸丁二醇酯离子聚合物。聚碳酸丁二醇酯离子聚合物具有增强增稠效果，使得包含其的悬浮助剂具有优异的悬浮性能。本发明包含有聚碳酸丁二醇酯离子聚合物的悬浮助剂在高稀释比下仍具有优异的悬浮性和分散性。将包含本发明悬浮助剂的研磨液应用于大硅片研磨工艺，能够防止磨料在循环研磨中发生沉降，有效减少划伤并提高研磨速率。
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公开(公告)号：CN116948600A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310774034.5
申请日：2023-06-28
申请人： 浙江奥首材料科技有限公司
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/306 , C09G1/02
摘要： 本发明涉及一种适用于大尺寸硅片的高悬浮研磨液按照重量份计算，包括如下组分：保湿剂5‑20份；分散剂5‑20份；pH调节剂5‑25份；表面活性剂1‑10份；成膜剂10‑20份；螯合剂0.1‑5份；去离子水40‑70份。同时本发明还提供了该研磨液的一种研磨工艺。本发明的适用于大尺寸硅片的高悬浮研磨液不仅具有极佳的悬浮分散性和稳定性，并且经过研磨后的硅片表面质量极高，划伤极少，在提高生产效率、加工表面光洁度等方面均有一定效果，解决了磨料分散性能差和研磨后盘面具有脏污盘印等问题。
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公开(公告)号：CN114751438B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202210455509.X
申请日：2022-04-28
申请人： 浙江奥首材料科技有限公司
摘要： 本发明提供一种氧化铝磨料、制备方法、用途及包含其的硅片研磨液和研磨方法。所述氧化铝磨料是二维片状类圆形氧化铝磨料，是由硝酸铝、尿素、氨水、十二烷基醚硫酸钠和柠檬酸钠水热合成，其表面形貌多孔且平滑无尖锐棱角，颗粒大小均匀，粒径尺寸分布窄。所述硅片研磨液包括重量配比如下的各组分：分散剂0.1‑5份、多元醇0.1‑10份、pH调节剂1‑10份、悬浮剂0.1‑5份、表面活性剂0.05‑0.1份、防锈剂0.001‑0.05份、消泡剂0.05‑0.5份、氧化铝磨料10‑20份、α相氧化铝5‑20份、水60‑80份。本发明硅片研磨液具有磨料悬浮性好、不易划伤和研磨效率高的优点。
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公开(公告)号：CN113930165B
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202111393851.3
申请日：2021-11-23
申请人： 浙江奥首材料科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种碳化硅单晶衬底研磨助剂，其包括羧基改性多糖类化合物、膨润土凝胶和抗吸附剂，以及任选的分散剂、保湿剂、pH调节剂、消泡剂、防锈剂和去离子水，还涉及其制备方法、用途、包含其的研磨液及研磨方法，所述研磨液通过各个组份的选择和复配，尤其是通过包括所述研磨助剂，从而具有了诸多有益且优异的技术效果，可用于碳化硅单晶衬底的研磨工序处理，在半导体加工领域具有潜在的巨大应用前景和潜力。
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公开(公告)号：CN115212920A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210807976.4
申请日：2022-07-11
申请人： 浙江奥首材料科技有限公司
摘要： 本发明提供一种壳聚糖基分散催化剂、包含其的半导体材料抛光液、其制备方法及用途。本发明壳聚糖基分散催化剂是由壳聚糖和催化剂耦合而成，其催化剂均匀的负载于壳聚糖表面，暴露了更多的活性位点，因此在氮化镓抛光的过程中可以获得更高的移除速率。本发明还公开了一种基于壳聚糖悬浮体系的半导体材料抛光液，包括重量配比如下的各组分：抛光磨料15‑40份；氧化剂0.1‑10份；上述壳聚糖基分散催化剂5‑20份；pH调节剂5‑25份；多元醇15‑25份；去离子水20‑75份。该抛光液具有极佳的悬浮分散性和稳定性，且采用其抛光后的半导体材料表面质量极高，划伤极少。该抛光液适用于氮化镓、碳化硅及蓝宝石等半导体材料的抛光。
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