-
公开(公告)号：CN116096188A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202111295379.X
申请日：2021-11-03
Applicant: 浙江大学 , 纳晶科技股份有限公司
Abstract: 本公开提供了一种金属氧化物纳米晶分散液及其处理方法、金属氧化物纳米晶及其应用。该处理方法包括制备得到金属氧化物纳米晶的分散液，金属氧化物纳米晶为醇溶性且表面化学吸附了醇类溶剂，向分散液中加入短链金属羧酸盐并反应一定时间，加入沉淀剂进行沉淀并分离得到表面修饰后的金属氧化物纳米晶，其中短链金属羧酸盐选自金属甲酸盐、金属醋酸盐、金属丙酸盐的一种或多种。通过短链金属羧酸盐的表面化学修饰，降低或消除了金属氧化物纳米晶表面的电荷捕获陷阱，可以在无需“积极老化”作用的情况下，实现高性能的发光器件及装置。
-
公开(公告)号：CN113497191B
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202010265478.2
申请日：2020-04-07
Applicant: 浙江大学 , 纳晶科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种光电器件及其制备方法，该光电器件包括依次叠置的基底、第一电子传输层和第二电子传输层，第一电子传输层的材料为第一氧化锌纳米晶，第二电子传输层的材料为第二氧化锌纳米晶，第一氧化锌纳米晶具有第一尺寸、且第一氧化锌纳米晶存在第一缺陷态发光波长或不存在缺陷态发光，能够抑制基底和第一电子传输层界面的激子淬灭；第二氧化锌纳米晶具有第二尺寸、且第二氧化锌纳米晶存在第二缺陷态发光波长或不存在缺陷态发光，第一尺寸和第二尺寸以及第一缺陷态发光波长和第二缺陷态发光波长均不相同，第二氧化锌纳米晶的导电性大于第一氧化锌纳米晶的导电性。本申请的光电器件发光效率高，使用寿命长，兼具放置稳定性和工作稳定性。
-
公开(公告)号：CN109962172B
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN201910214087.5
申请日：2019-03-20
Applicant: 浙江大学 , 纳晶科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种光电器件，包括：衬底，还包括设置于衬底上方的钙钛矿膜层，钙钛矿膜层包括有机金属卤化物钙钛矿量子点和有机金属卤化物钙钛矿量子阱，钙钛矿量子点和钙钛矿量子阱具有能量偶联关系。该钙钛矿膜层包括钙钛矿量子阱和钙钛矿量子点，钙钛矿量子阱可以将能量转移给钙钛矿量子点，从而实现高效率发光。
-
公开(公告)号：CN109468134B
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201811216931.X
申请日：2018-10-18
Applicant: 浙江大学 , 纳晶科技股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种量子点、制作方法、单光子源和QLED。该量子点包括量子点本体和设置在量子点本体外表面的配体，配体包括电化学惰性配体，电化学惰性配体的还原电位大于量子点本体的导带底对应的电位，电化学惰性配体的氧化电位小于量子点本体的价带底对应的电位，电化学惰性配体占量子点本体外表面的所有配体的80％以上。该量子点由于包括电化学惰性配体，使得其发光效率较高，器件较稳定，可靠性较高。
-
公开(公告)号：CN109468134A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201811216931.X
申请日：2018-10-18
Applicant: 浙江大学 , 纳晶科技股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种量子点、制作方法、单光子源和QLED。该量子点包括量子点本体和设置在量子点本体外表面的配体，配体包括电化学惰性配体，电化学惰性配体的还原电位大于量子点本体的导带底对应的电位，电化学惰性配体的氧化电位小于量子点本体的价带底对应的电位，电化学惰性配体占量子点本体外表面的所有配体的80％以上。该量子点由于包括电化学惰性配体，使得其发光效率较高，器件较稳定，可靠性较高。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107681059A
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201710719676.X
申请日：2017-08-21
Applicant: 浙江大学
CPC classification number: H01L51/502 , H01L51/5096 , H01L51/56 , H01L2251/301
Abstract: 本发明提供了单光子源器件、其制备方法及其应用。该单光子源器件包括依次叠置的第一电极层、第一载流子传输层、量子点发光层、第二载流子传输层和第二电极层，量子点发光层包括绝缘材料及分散在绝缘材料中的量子点，且至少部分量子点的相邻间距大于等于量子点的发光光谱中心波长。在量子点发光层中设置绝缘材料，因为受现有载流子材料选择限制，空穴的传输速度相对于电子的传输速度慢，利用绝缘材料的绝缘性平衡量子点发光层两侧的电子和空穴的平衡注入。本申请通过在量子点发光层中设置绝缘材料，增加了电子穿过的障碍，进而能够保证量子点发光的单光子效果，从而进一步减小单光子源器件的自相关系数。
-
公开(公告)号：CN102881832B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201210351259.1
申请日：2012-09-20
Applicant: 浙江大学
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种反型有机太阳能电池的制备方法。该反型有机太阳能电池自下而上依次包括衬底、阴极修饰层、有机感光层、阳极修饰层和阳极电极，其中阴极修饰层为利用电泳ZnO或TiO2纳米晶沉积制备的薄膜。本发明首次将电泳沉积法引入反型有机太阳能电池的制备，相比于磁控溅射、脉冲激光沉积等物理制备工艺，具有制备工艺简单、制备温度低，有利于大幅度降低有机太阳能电池的成本；相比于旋涂、溶胶凝胶等化学制备工艺，具有成膜尺寸不受限制的优点，可工业化大规模生产的优点；同时本发明也可应用于柔性太阳能电池。
-
公开(公告)号：CN102544382A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210075363.2
申请日：2012-03-21
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L51/48
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明公开了一种反结构有机太阳能电池的制备方法。该反结构有机太阳能电池自下而上依次有衬底、阴极修饰层、有机感光层、阳极修饰层和阳极电极，其中阴极修饰层为利用水相前躯体制备的ZnO或TiO2薄膜。本发明将利用水相前躯体制备的ZnO或TiO2薄膜引入有机太阳能电池，相比传统气相高温生长工艺和有机相前驱体制备工艺，具有制备工艺简单、制备温度低的优点，有利于大幅度降低有机太阳能电池的成本；同时由于应用水相前躯体，对环境无污染；并可开发应用于大尺寸器件和柔性太阳能电池等，具有极高的推广价值和极好的工业应用前景。
-
公开(公告)号：CN101935875A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN201010281642.5
申请日：2010-09-14
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种Sn掺杂的ZnO超细纳米线及其合成方法。该纳米线具有六方纤锌矿结构，纳米线的直径为1～10纳米，长度为2～10000纳米。其合成步骤如下：将脂肪酸锌、脂肪酸锡、脂肪胺和高沸点有机溶剂混合置于反应烧瓶中，在惰性保护气氛下，磁力搅拌加热至50～200℃，保温1～1000分钟，然后在惰性保护气氛下加热到200～350℃，保温1～1000分钟，离心分离，得Sn掺杂的ZnO超细纳米线。本发明制备工艺简单、成本较低、重复性好、易于工业化生产，有望在透明导电薄膜、柔性显示器件、薄膜晶体管、传感器等诸多领域得到应用。
-
公开(公告)号：CN119677373A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411799243.6
申请日：2024-12-09
Applicant: 浙江大学
IPC: H10K71/12 , H10K71/15 , H10K50/16 , H10K50/115
Abstract: 本发明公开了一种微米级量子点发光二极管阵列器件的制备方法及应用，该方法是通过在氧化铟锡衬底上依次形成空穴注入层、空穴传输层、图案化绝缘层、量子点发光层、电子传输层和顶部电极，利用光刻胶制备图案化绝缘层，旋涂量子点以构成阵列发光层的工艺路线，通过光刻胶抑制像素间隙处产生的电子泄露，实现高分辨率的同时实现了创纪录的Micro‑QLED阵列器件性能；并采用新型交联型空穴传输层PF8Cz‑X验证与解决光刻胶中存在的光酸产生剂成分生成强氧化性光酸，通过自由基配位结合的方式反应损坏QLED器件中三苯胺结构空穴传输层的问题，并通过设计热交联基团避免微纳加工工艺中显影液的物理溶解，构建兼容溶液加工工艺，对Micro‑QLED阵列器件无损的光刻体系。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
57
records
(took 0.022 seconds)
