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公开(公告)号：CN109959676A
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201711338997.1
申请日：2017-12-14
Applicant: 核工业西南物理研究院
IPC: G01N25/20
Abstract: 本发明属于接触热阻测试技术领域，具体涉及一种石墨与石墨薄膜材料接触热阻测试方法。该测试方法利用热流在石墨材料与石墨薄膜材料间传递的温度变化的特性来测试界面接触热阻。本发明提供的测试方法可以实现对石墨材料与石墨薄膜材料间以及石墨薄膜与石墨薄膜间接触热阻的测试，解决了不能在石墨薄膜材料上埋设热电偶而测试其接触热阻的问题，且该方案广泛适用于其它薄膜材料间接触测试。本发明提供的测试方法，对设备无特殊要求，简单易行。
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公开(公告)号：CN108269620A
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201611254936.2
申请日：2016-12-30
Applicant: 核工业西南物理研究院
Abstract: 本发明属于磁约束聚变技术领域，具体涉及一种托卡马克鼎偏滤器磁场位形构建方法。本发明的方法，设置的第一极向场线圈、第二极向场线圈、第三极向场线圈和第四极向场线圈的几何中心位置与第一X点的距离分别为1～1.5a、1.5～3a、1.5～3a和1.5～2.0a，其中a为等离子体小半径。本发明解决了现有的托卡马克磁约束等离子体实验装置的常规偏滤器靶板受热面积较小，在高加热运行条件下，偏滤器靶板冷却面临重大技术挑战的技术问题。构建的鼎偏滤器磁场位形结构，不仅能缓解靶板热负载，改善偏滤器运行与芯部高加热等离子体运行的兼容性，更好发挥其排灰和屏蔽杂质的特性，也降低实现先进偏滤器位形对线圈电流强度和线圈布置复杂程度的要求。
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公开(公告)号：CN106695043A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201611198639.0
申请日：2016-12-22
Applicant: 核工业西南物理研究院
Abstract: 本发明属于材料连接技术领域，涉及一种碳基材料与铜的钎焊连接方法；该方法通过以下步骤实现：首先通过丝网印刷方法在碳基材料表面刷涂一层铬金属浆料，烘干后进行高温真空烧结，使碳基材料表面金属化；其次在碳基材料金属化表面浇铸一层无氧纯铜，浇铸温度1150‑1200℃，浇铸完毕后，分段保温冷却；最后利用Cu‑P基钎料真空钎焊浇铸了纯铜的碳基材料和铜合金材料，钎焊温度700‑800℃；本发明利用浆料法对碳基材料的表面进行金属化，能增加铜和碳的润湿性；通过分段保温冷却可以有效的降低碳基材料和无氧纯铜之间由于热膨胀系数差异导致的内应力；本发明可以有效消弱铜合金晶粒长大、性能下降等问题；本发明效率高，适宜大规模生产，没有孔隙、夹杂、裂纹等缺陷。
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公开(公告)号：CN104416973B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201310403372.4
申请日：2013-09-06
Applicant: 核工业西南物理研究院
Abstract: 本发明涉及异质材料连接技术领域，具体公开了一种用于聚变装置高热负荷部件的钨铜模块及其制备方法。该方法包括：1）选择合适尺寸的钨、无氧纯铜以及铬锆铜合金热沉材料；2.1）对钨和无氧纯铜表面进行预处理；2.2）钨表面真空浇铸无氧纯铜；3.1）将钨/无氧纯铜块中的无氧纯铜表面和铬锆铜合金的待焊接面进行预处理；3.2）将钨/无氧纯铜块与铬锆铜合金在真空热压炉中进行焊接；3.3）将焊接后的钨/无氧纯铜/铬锆铜合金复合快进行机械加工，形成所需的钨铜模块。该钨铜模块制备方法成本低、效率高和可靠性强，能够承受大于5MW/m2的稳态热负荷。
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公开(公告)号：CN103774141A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201310488060.8
申请日：2013-10-17
Applicant: 厦门虹鹭钨钼工业有限公司 , 核工业西南物理研究院
Abstract: 本发明公开了一种面对等离子体的钨涂层部件的制备方法，包括如下步骤：（1）将铬锆铜合金基材根据面对等离子体部件的尺寸加工成所需的几何形状；（2）将加工好的铬锆铜合金基材的表面清洗干净，去除表面氧化层，并保持基材的温度在480℃以下，采用物理气相沉积法在铬锆铜合金基材表面形成5-100μm厚的纯度高于99.9wt%的铜中间适配层；（3）以六氟化钨气体为原料，以氢气为还原气体，在280-480℃的基材温度条件下，在铜中间适配层上进行化学气相沉积，以形成0.02-2mm厚度的钨涂层，即制得所述面对等离子体的钨涂层部件。本发明的方法相比热等静压扩散焊接、热压扩散焊接、叠层轧制、爆破复合等，工艺过程简单、成本低、易于实现，同时不会污染环境。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103484830A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201210191618.1
申请日：2012-06-12
Applicant: 核工业西南物理研究院 , 厦门虹鹭钨钼工业有限公司
Abstract: 本发明涉及一种厚钨涂层材料的制备方法，用化学气相沉积法，通过氢气还原六氟化钨，在基层材料上沉积钨涂层。沉积速率为0.4-1mm/h，钨涂层厚度大于等于1mm。本发明还涉及一种钨涂层材料，包括纯铜或铜合金、适配层、以及钨涂层；适配层为1-5层的钨铜梯度材料，每层厚度为0.5-1.5mm；紧邻钨涂层一侧，钨铜梯度材料钨含量为50~90wt.%；中间各层钨铜梯度材料钨含量依次递减，铜含量依次递增；紧邻纯铜或铜合金一侧，钨铜梯度材料铜含量为50~90wt.%。本发明采用纯钨涂层-适配层-铜基材料方法，适配层可以解决钨和铜之间热膨胀系数不匹配的问题，减小涂层与基体的热应力。
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公开(公告)号：CN113916936B
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202010659627.3
申请日：2020-07-08
Applicant: 核工业西南物理研究院
IPC: G01N25/72
Abstract: 本发明属于检测装置及方法，具体涉及一种用于高热负荷部件缺陷检测的红外无损检测装置及方法。一种用于高热负荷部件缺陷检测的红外无损检测装置，包括冷水检测循环系统和热水检测循环系统，其中冷水检测循环系统的出水口语热水检测循环系统的出水口连通，混合后的检测水流经多个平行布置的待测样品，流经待测样品的水分别回流到冷水检测循环系统和热水检测循环系统中循环使用。本发明的显著效果是：本系统分为室外设备和室内设备两部分，液冷源和加热源为室外设备，变频流量控制系统、实验操作台、电气控制柜和数据采集及处理系统为室内设备，两部分的分开能够有效降低设备所处环境对待测样品在检测过程中的干扰，提高可靠性。
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公开(公告)号：CN112908496B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN201911135268.5
申请日：2019-11-19
Applicant: 核工业西南物理研究院
IPC: G21B1/11
Abstract: 本发明属于磁约束核聚变技术，具体为一种适用于级联弧离子源的小尺寸环形冷却结构，包括冷却套管主体、进水环形干流管和出水环形干流管；冷却套管主体筒状结构，筒壁内沿着筒壁竖直方向设有N个入水孔和N个出水孔，冷却套管主体筒体下端设有N个连通部，其将相邻的入水孔和出水孔连通，入水孔/出水孔内部壁面均排列有孔壁螺旋肋，通过螺旋肋条将靠近内壁一侧的高温水与靠近外壁一侧的低温水不断交换，相对于光滑壁面的水路，能大幅度提高冷却剂的换热效率，降低结构最高温度，平衡冷却套管内外区域的热量沉积。
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公开(公告)号：CN117936123A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410060371.2
申请日：2024-01-16
Applicant: 核工业西南物理研究院
Abstract: 本发明公开了具有优异抗高热负荷性能的钨钾合金穿管模块及制备方法，包括铜合金管和穿设在铜合金管上的钨钾合金块，所述钨钾合金块的中心孔与铜合金管之间通过钎焊连接，所述钨钾合金块为钾泡强化钨合金，所述钨钾合金块中钾的含量为30～120ppm，所述钨钾合金块的塑性变形加工的变形量不低于70％。本发明采用WK替代纯钨制备穿管模块，可以有效提高WK合金的力学性能和再结晶温度，同时对钨材料的热导率影响较小，采用钎焊连接工艺实现了WK合金块与铜合金管材的无缺陷焊接，焊接后的WK合金穿管模块可以实现承受1000次20MW/m2的电子束高热负荷测试后WK材料表面无肉眼可见的严重塑性变形及贯穿大裂纹。
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公开(公告)号：CN117690607A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311711584.9
申请日：2023-12-13
Applicant: 核工业西南物理研究院
IPC: G21B1/13
Abstract: 本发明公开了一种聚变堆偏滤器穿管‑平板复合模块及冷却靶板结构，涉及磁约束核聚变偏滤器技术领域，包括复合模块，复合模块包括面向等离子体部件以及过渡层，面向等离子体部件位于外围且用于与等离子体接触，面向等离子体部件中设置有匹配过渡层的通孔，过渡层冶金连接在通孔内，过渡层内冶金连接冷却管，冷却剂流过冷却管内以带走聚变引起的热量，且过渡层的外侧形状为上平下圆的U形结构，过渡层的内侧形状为圆形结构，这样的设计可以有效增加过渡层与面向等离子体部件的比重，整体提升复合模块的导热能力，缓解复合模块的应力及应变集中问题，同时保证偏滤器靶板模块的安全性，避免在高热负荷下靶板材料发生脱落而污染堆芯等离子体。
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