功率半导体器件
    21.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104134648B

    公开(公告)日:2017-02-22

    申请号:CN201410335689.3

    申请日:2014-07-15

    CPC classification number: H01L2224/33 H01L2924/13055 H01L2924/00

    Abstract: 本发明的功率半导体器件包括第一电极、第二电极、设置在第一电极和第二电极之间的芯片,以及设置在第一电极和第二电极之间的旁路导通单元。旁路导通单元包括导电件和固定件。其中,固定件构造成在芯片正常工作时能阻止导电件与第一电极和第二电极导通,而在芯片失效后受热膨胀以解除对导电件的阻止,使得第一电极通过导电件与第二电极导通。由于在芯片失效后,第一电极和第二电极可以通过旁路导通单元导通,因此,在芯片失效后,该功率半导体器件仍能正常工作。

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