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公开(公告)号：CN209072438U
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201821714147.7
申请日：2018-10-22
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03F3/24
Abstract: 本实用新型提供一种抑制了由高次谐波终止电路造成的特性的劣化的半导体装置。半导体装置(100A)具备：半导体基板(110)；晶体管(Q1)，形成在半导体基板(110)，将供给到输入端的输入信号放大并从输出端输出放大信号；以及第一高次谐波终止电路(HT1a)，用于使放大信号包含的高次谐波分量衰减，形成在半导体基板(110)，使得一端与晶体管(Q1)的输出端连接，另一端与晶体管(Q1)的接地端连接。
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