公开(公告)号：CN100459184C

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200410082283.5

申请日：2004-08-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 土屋薰 ,  安西彩 ,  坂仓真之 ,  永井雅晴 ,  松田丰

IPC: H01L33/00 ,  H01L27/15 ,  H05B33/12 ,  H05B33/04

CPC classification number: H01L33/52 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3276 ,  H01L51/5246 ,  H01L2251/5323 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的就是提供这样一种密封结构，其阻止了作为破坏因素的材料例如水或者氧气从外部进入，并且在显示器中使用有机或无机场致发光元件的显示器中可以获得足够的可靠性。鉴于上述目的，关注层间绝缘膜的渗透性，根据本发明，通过阻止水从层间绝缘膜的进入，抑制了场致发光元件的损坏并且获得了足够的可靠性。

公开(公告)号：CN1591922A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN200410076977.8

申请日：2004-08-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  永井雅晴 ,  中村理

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/00 ,  H05B33/10 ,  H05B33/04 ,  H05B33/12

CPC classification number: H01L27/3244 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/136227 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3258 ,  H01L51/5246 ,  H01L51/529 ,  H01L2251/5323

Abstract: 本发明的一个目的是提供一种高可靠性EL显示器件以及制造该显示器件的方法，它可以屏蔽侵入的潮气或氧，这是劣化EL元件性能的一个因素，而没有增大EL显示器件。在本发明中，涂敷作为一种方法，用于形成高热稳定性平整薄膜16，典型的是，TFT的中间绝缘薄膜(作为以后发光元件的基础薄膜)，在该薄膜中，采用硅(Si)和氧(O)的组合构成主干结构。在形成之后，再形成具有锥形形状的边缘部分和开孔部分。此后，添加具有相对较大原子半径的惰性元素产生变形，以改进或高密度化其表面(包括侧面)，从而防止潮气或氧的侵入。