公开(公告)号：CN104871296B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201380065148.7

申请日：2013-10-09

Applicant: 栗田工业株式会社

Inventor： 井田纯一 ,  永井达夫

IPC: H01L21/306 ,  B08B3/08 ,  H01L21/304

Abstract: 为了在对基板上具有氮化硅和氧化硅的基板进行清洗时用清洗液选择性地蚀刻氮化硅，将用于清洗在同一基板上具有氮化硅和氧化硅并且前述氮化硅以及前述氧化硅的一方或双方的至少一部分露出的基板的清洗液在较好地165℃以上且不到沸点的条件下与基板接触而选择性地蚀刻氮化硅，该清洗液包含磷酸、含有由电解而生成的优选浓度为1.0g/L～8.0g/L的过硫酸的电解硫酸以及水，由此在抑制氧化硅的蚀刻的同时有效地蚀刻氮化硅，良好地清洗图案线宽在37nm以下的高集成度的半导体基板。

公开(公告)号：CN102057470B

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN200980121999.2

申请日：2009-03-11

Applicant: 栗田工业株式会社

Inventor： 内田稔 ,  永井达夫 ,  山川晴义

IPC: H01L21/304 ,  C25B1/30 ,  H01L21/027

CPC classification number: C25B1/285 ,  C25B15/08

Abstract: 本发明的目的在于高效地生成作为功能性溶液的硫酸电解液，并且在抑制通过电解生成的过硫酸的自分解的情况下将其高效地供给至使用侧。本发明是一种功能性溶液供给系统，该系统是通过电解硫酸溶液来制造功能性溶液并供给至使用侧的功能性溶液供给系统，其特征在于，该系统包括用于贮留硫酸溶液的贮留槽(2)、用于电解硫酸溶液的电解装置(电解室(3))、用于对硫酸溶液加温的加温单元(加热器(4))、用于冷却硫酸溶液的冷却单元(冷却器(4))、以及下述的3个循环管路：第一循环管路(11)，该第一循环管路(11)不经由加温单元、而是经由电解装置将从贮留槽(2)排出的硫酸溶液返回至所述贮留槽(2)；第二循环管路(12)，该第二循环管路(12)不经由加温单元、而是依次经由冷却单元和所述贮留槽(2)将从使用侧(洗涤机(1))导入的硫酸溶液返回至使用侧；第三循环管路(13)，该第三循环管路(13)不经由冷却单元和所述贮留槽(2)、而是经由加温单元(加热器(4))将从所述使用侧导入的硫酸溶液返回至所述使用侧。