半导体存储装置
    21.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1218396C

    公开(公告)日:2005-09-07

    申请号:CN03107392.1

    申请日:2003-03-25

    CPC classification number: G11C11/405 H01L27/108

    Abstract: 本发明涉及一种半导体存储装置,能够在用MIS晶体管作为积累电荷的装置的半导体存储装置中,提高数据的写入工作和读出工作的速度。DRAM单元(10)是为了由在第1晶体管(11)的沟道中积累电荷,由第2晶体管(12)和第3晶体管(13)传送电荷而构成的,通过交互地使用用与第2晶体管(12)的栅极连接的第1字线(Wla)和与第2晶体管(12)的漏极连接的第1位线(Bla)的路径、和用与第2晶体管(12)的栅极连接的第1字线(Wla)和与第2晶体管(12)的漏极连接的第1位线(Bla)的路径这样2条路径,可以使数据传输速度高速化。

    半导体器件
    22.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1523667A

    公开(公告)日:2004-08-25

    申请号:CN200410003947.4

    申请日:2004-02-10

    CPC classification number: H03H11/265

    Abstract: 本发明公开了一种半导体器件,其课题是:在检查芯片后不改变光罩的情况下,改善由于电路块间的信号布线而引起的工作容限不足及工作不良。半导体芯片10上形成有逻辑电路块11和存储电路块12,给这些电路块间的布线设了调整信号的传播时刻的时刻调整电路块13。时刻调整电路单元30,由延迟元件块31、计数电路块32以及保险电路块33构成。延迟元件块31拥有多个能够将各自不同的延迟量施加给块间信号DA1的延迟元件A、B、C;计数电路块32从时刻调整电路块13接收时刻调整控制信号CNT;保险电路块33,在时刻检查结束后,根据由计数电路块32所保持的保险信息信号FO而熔断,具有实质上和计数电路块32一样的功能。

    半导体存储器件
    23.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1452178A

    公开(公告)日:2003-10-29

    申请号:CN03122623.X

    申请日:2003-04-16

    Inventor: 黑田直喜

    Abstract: 本发明提供一种能够实现高速随机存取、并且实现小面积化的半导体存储器件。该半导体存储器件,其特征在于,包括:存储单元,由两个晶体管和一个电容器构成;字驱动器,具有两个系统,用于分别交互地控制两条字线,上述两条字线控制一个上述存储单元的读写;地址闭锁电路,具有两个系统,分别设置在具有两个系统的上述字驱动器的前段,用于闭锁对具有两个系统的上述字驱动器进行选择的第一地址信号;及地址解码器,具有一个系统,用于对第二地址信号进行解码,生成上述第一地址信号;而且,上述地址解码器向具有两个系统的上述地址闭锁电路的双方提供上述第一地址信号。

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