公开(公告)号：CN1993806A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200580026453.0

申请日：2005-05-31

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 佐佐木雄一朗 ,  水野文二 ,  冈下胜己 ,  金成国 ,  伊藤裕之

IPC: H01L21/265 ,  H01J37/30 ,  H01J37/317 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/2236 ,  H01J37/32412

Abstract: 本发明提供了一种能够有效地实现浅杂质引入的引入方法。该杂质引入方法包括：第一步骤，通过使由在半导体层内是电学非活性的粒子组成的等离子体与包括所述半导体层的固态基体的表面反应，由此使所述半导体层表面成为非晶；以及第二步骤，将杂质引入到所述固态基体的表面。在执行所述第一步骤之后，通过执行所述第二步骤，在包括所述半导体层的固态基体表面上形成具有精细孔隙的非晶层，且在所述非晶层内引入杂质以形成杂质引入层。

公开(公告)号：CN1965392A

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：CN200580018635.3

申请日：2005-05-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 金成国 ,  佐佐木雄一朗 ,  水野文二 ,  冈下胜己 ,  伊藤裕之 ,  奥村智洋 ,  前嶋聪 ,  中山一郎

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01L21/2236 ,  H01L21/0276

Abstract: 一种方法包括通过等离子体掺入方法将杂质引入固态基体的步骤、从该固态基体形成起着降低光反射率的功能的抗光反射膜的步骤、以及通过光辐射执行退火的步骤。降低了退火时辐射光的反射率，有效地将能量引入杂质掺入层中，改善了激活效率，在防止扩散的同时降低杂质掺入层的薄层电阻。

公开(公告)号：CN1965391A

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：CN200580018450.2

申请日：2005-05-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 水野文二 ,  佐佐木雄一朗 ,  中山一郎 ,  伊藤裕之 ,  奥村智洋 ,  金成国 ,  冈下胜己 ,  金田久隆

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01L21/26513 ,  H01L21/26566 ,  H01L21/28035 ,  H01L29/7833

Abstract: 提供了一种具有均匀特征的并且能够以高成品率制造的半导体器件。为了消除由干法蚀刻引起的衬底表面内的差异，调整由作为后处理的掺杂和退火步骤引起的差异，最后提供在衬底表面内实现极佳均匀性的步骤。

公开(公告)号：CN1842896A

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN200480024667.X

申请日：2004-08-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 佐佐木雄一朗 ,  冈下胜己 ,  水野文二 ,  伊藤裕之 ,  金成国 ,  田村秀贵 ,  中山一郎 ,  奥村智洋 ,  前嶋聪

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02052 ,  H01L21/2236

Abstract: 本发明提供一种杂质导入层的形成方法，其至少具有：在硅基板等固体基体的一个主面上形成抗蚀剂图案的工序(S27)；通过离子模式的等离子体掺杂将杂质导入固体基体的工序(S23)；除去抗蚀剂的工序(S28)；清洗固体基体表面的金属污染、粒子的工序(S25a)；和热处理工序(S26)，除去抗蚀剂的工序(S28)向抗蚀剂进行氧等离子体照射(S28a)或者使硫酸和过氧化氢水溶液的混合溶液或NH4OH、H2O2和H2O的混合溶液与抗蚀剂接触。清洗工序(S25a)使硫酸和过氧化氢水溶液的混合溶液或NH4OH、H2O2和H2O的混合溶液与固体基体的一个主面接触，另外，除去抗蚀剂的工序(S28)和清洗工序(S25a)通过使硫酸和过氧化氢水溶液的混合溶液或NH4OH、H2O2和H2O的混合溶液与抗蚀剂和固体基体的一个主面接触而同时进行。