公开(公告)号：CN101569015A

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200880001145.6

申请日：2008-10-10

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 工藤千秋 ,  楠本修 ,  桥本浩一

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/0847 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7828

Abstract: 本发明中的半导体装置(100)具备：由碳化硅构成的第一导电型的半导体衬底(10)；在半导体衬底(10)的主面(10a)上形成的第一导电型的碳化硅外延层(20)；在碳化硅外延层(20)的一部分形成的第二导电型的阱区域(22)；以及在阱区域(22)的一部分形成的第一导电型的源区域(24)。在碳化硅外延层(20)、阱区域(22)和源区域(24)上形成有由碳化硅构成的沟道外延层(30)，在沟道外延层(30)中位于阱区域(22)上的部位作为沟道区域(40)而作用，向沟道外延层(30)中除去沟道区域(40)以外的部位(33、35)注入第一导电型的掺杂剂。