公开(公告)号：CN1577899A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410061868.9

申请日：2004-06-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 根上卓之 ,  桥本泰宏

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0256 ,  H01L31/0248 ,  H01L31/06

CPC classification number: H01L31/0322 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/07 ,  Y02E10/541

Abstract: 本发明涉及一种具有高转换效率的CIS基太阳能电池，其通过省略窗口层降低了成本。该太阳能电池包括：具有半透明性和导电性的第一层；和靠近第一层设置的p型半导体层，通过第一层和p型半导体层形成结，其中p型半导体层包括具有含Ib族元素、IIIb族元素和VIb族元素的黄铜矿结构的半导体，第一层具有1019/cm3或更大的载流子密度，第一层的带隙Eg1(eV)和p型半导体层的带隙Eg2(eV)满足由公式：Eg1＞Eg2表示的关系，并且第一层的电子亲合势X1(eV)和p型半导体层的电子亲合势X2(eV)满足由公式：0≤(X2－X1)＜0.5的表示关系。

公开(公告)号：CN1156020C

公开(公告)日：2004-06-30

申请号：CN99104304.9

申请日：1999-03-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 桥本泰宏 ,  根上卓之 ,  和田隆博 ,  林茂生

IPC: H01L31/0264 ,  H01L31/042 ,  H01L31/078 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0749 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0328 ,  Y02E10/541 ,  Y10T428/12528

Abstract: 提供了至少包含含有Ib族元素、IIIb族元素和VIb族元素的n型化合物半导体层的半导体薄膜、其制造方法以及使用该半导体薄膜的太阳能电池。该太阳能电池包含有基板(71)，在基板(71)上顺序层合的背面电极(72)、p型半导体层(13)、n型化合物半导体层(12)、n型半导体层(14)、窗层(76)和透明导电膜(77)，p侧电极(78)，以及n侧电极(79)。n型化合物半导体层(12)含有Ib族元素、IIIb族元素、VIb族元素和II族元素，是载流子密度高的n型。

公开(公告)号：CN1407634A

公开(公告)日：2003-04-02

申请号：CN02132109.4

申请日：2002-08-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 岛川伸一 ,  室真弘 ,  佐藤琢也 ,  根上卓之

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L31/022425 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0463 ,  Y02E10/50

Abstract: 提供可高合格率且高产率地制造通用性强的太阳电池的制造方法以及制造装置。包含以下工序：在基板(11)形成长方形的第1电极层(12)的工序；在第1电极层(12)上形成长方形的半导体层(13)的工序；在半导体层(13)上形成长方形的第2电极层(14)的工序。第1电极层(12)以及第2电极层(14)中的至少1个电极层，利用以下工序分割成长方形：(a)涂抹抗蚀液并形成条状的抗蚀图的工序，(b)覆盖抗蚀图地形成上述至少1个电极层的工序，(c)同时除去抗蚀图以及在抗蚀图上形成的上述至少1个电极层的工序。

公开(公告)号：CN1230031A

公开(公告)日：1999-09-29

申请号：CN99104304.9

申请日：1999-03-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 桥本泰宏 ,  根上卓之 ,  和田隆博 ,  林茂生

IPC: H01L31/0264 ,  H01L31/042 ,  H01L31/078 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0749 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0328 ,  Y02E10/541 ,  Y10T428/12528

Abstract: 提供了至少包含含有Ⅰb族元素、Ⅲb族元素和Ⅵb族元素的n型化合物半导体层的半导体薄膜、其制造方法以及使用该半导体薄膜的太阳能电池。该太阳能电池包含有基板71,在基板71上顺序层合的背面电极72、p型半导体层13、n型化合物半导体层12、n型半导体层14、窗层76和透明导电膜77,p侧电极78,以及n侧电极79。n型化合物半导体层12含有Ⅰb族元素、Ⅲb族元素、Ⅵb族元素和Ⅱ族元素,是载流子密度高的n型。

公开(公告)号：CN1185662A

公开(公告)日：1998-06-24

申请号：CN97126412.0

申请日：1997-10-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 西谷干彦 ,  根上卓之 ,  小原直树 ,  和田隆博 ,  桥本泰宏

IPC: H01L31/06 ,  H01L31/0264 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0749 ,  H01L31/0322 ,  Y02E10/541

Abstract: 在把P型黄铜矿结构半导体做成光吸收层的薄膜太阳电池中,在P型黄铜矿结构半导体薄膜和n型结构半导体薄膜之间,形成电阻率比该P型黄铜矿结构半导体还要大的材料。在混合Ⅲb族元素盐(例如:lnCl3)、含Ⅵb族元素的有机化合物(例如:CH3CSNH2)、酸(例如:HCl)的溶液中,浸P型黄铜矿结构半导体(例如:CulnSe2),以此形成该材料。