公开(公告)号：CN105331364A

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201510656765.5

申请日：2015-10-12

Applicant: 杭州电子科技大学 ,  杭州广荣科技有限公司

Inventor： 陈大钦 ,  周洋 ,  周向志 ,  王伟 ,  师伟堂

IPC: C09K11/80 ,  H01L33/50

CPC classification number: Y02B20/181 ,  C09K11/7706 ,  H01L33/502

Abstract: 本发明提供一种YAG：Mn红色荧光粉以及其制备方法和应用。所研制的红色荧光粉可以有效的应用在白光LED中。本发明的荧光粉其化学通式为：RE(3-y)Al(5-x-z)O12：xMn4+/yCa2+/zME，其中RE为Y3+、Lu3+、Gd3+中的一种或多种；ME＝Mg2+、Ge4+中的一种或两种；x＝0.001～0.2、y＝0～0.8、z＝0～0.8，且y、z不同时为0。本发明的荧光粉通过共掺杂Mg2+、Ca2+和Ge4+离子作为化合价补偿离子增强其发光效率。

公开(公告)号：CN109800515A

公开(公告)日：2019-05-24

申请号：CN201910066308.9

申请日：2019-01-24

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 汤景东 ,  朱亚萍 ,  杨成忠 ,  唐帅帅 ,  王伟 ,  孟小飞

IPC: G06F17/50 ,  G06N3/00 ,  H02S50/10

Abstract: 本发明公开了一种基于头脑风暴算法的太阳能电池参数求解方法。本发明包含以下步骤：1、搭建数据采集环境；2、采集太阳能电池的表面温度和I-V数据；3、确定太阳能电池模型及其函数表达式；4、确定适应度函数作为评价标准；5、将温度及I-V数据导入函数表达式中；6、通过使用头脑风暴算法对函数表达式进行优化，得到最优解。本发明使用头脑风暴算法求解太阳能电池参数，可有效的提高太阳能电池参数的准确率。

公开(公告)号：CN106057958B

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201610648715.7

申请日：2016-08-08

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 王伟 ,  张钰 ,  卫振奇

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了单光子雪崩光电二极管的制作方法。现有单光子雪崩二极管的保护环能够承受的最大偏置电压过低。本发明单光子雪崩光电二极管的制作方法：硅基上均匀掺杂p‑衬底，p‑衬底的中心掺杂深n阱层；深n阱层外端掺杂第一p+型半导体层，第一p+型半导体层外侧掺杂p‑阱层；p‑阱层外周掺杂p‑型半导体层；p‑型半导体层外周掺杂n+型半导体层，n+型半导体层外周掺杂第二p+型半导体层；第一p+型半导体层和第二p+型半导体层外端均设置阳极电极，n+型半导体层外端设置阴极电极。本发明使雪崩光电二极管能够承受的最大反向偏置电压达到30.51V。

公开(公告)号：CN106411299A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201610852464.4

申请日：2016-09-27

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 王伟 ,  张钰 ,  卫振奇

IPC: H03K17/22 ,  H03K17/78

CPC classification number: H03K17/22 ,  H03K17/78

Abstract: 本发明公开了一种高速单光子雪崩二极管淬灭复位电路。现有单光子雪崩光电二极管淬灭恢复电路不能快速地完成对雪崩光电二极管的淬灭恢复功能。本发明首先利用检测器对雪崩光电二极管产生的信号进行检测，当检测器的输出信号为高电平，第二MOS管内阻升高两端电压增加，第七MOS管导通，第十MOS管截止，使得雪崩光电二极管两端的反向偏置电压快速地降低，高速地完成电路的淬灭功能；当检测器的输出信号为低电平时，第二MOS管内阻降低两端电压减少，第七MOS管截止，第十MOS管导通，使得雪崩光电二极管两端的反向偏置电压快速地增加，高速地完成电路的恢复功能，以此来完成本发明的功效。

公开(公告)号：CN109101677B

公开(公告)日：2022-11-18

申请号：CN201810649184.2

申请日：2018-06-22

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 吴玉光 ,  王伟

IPC: G06F30/17

Abstract: 本发明提出一种三基准体系下两宽度要素基准组合遵循公差相关要求的被测要素检验公差带计算方法，包括：S1，对全部基准要素分别建立D_DFS和M_DFS；S2，根据所述D_DFS构件建立设计坐标系，根据所述M_DFS构件建立测量坐标系；S3，根据D_DFS构件和M_DFS构件装配后存在的相对运动建立设计坐标系和测量坐标系的相对运动关系；以定义转移公差和被测要素检验公差带；S4，采用变长曲柄平行四边形机构和摆杆机构的串联组合表示设计坐标系相对于测量坐标系的最大相对运动关系，根据平行四边形机构和摆杆机构的结构参数和性能参数，计算所述被测要素检验公差带。本发明所述方法可用于计算应用公差相关要求的两个基准要素为宽度要素时的任意基准方位布局下的转移公差，具有较好的普遍性。

公开(公告)号：CN108984850A

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201810649338.8

申请日：2018-06-22

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 吴玉光 ,  王伟

IPC: G06F17/50

Abstract: 本发明提出一种三基准体系下两宽度要素基准组合遵循公差相关要求的被测要素检验公差带计算方法，包括：S1，对全部基准要素分别建立D_DFS和M_DFS；S2，根据所述D_DFS构件建立设计坐标系，根据所述M_DFS构件建立测量坐标系；S3，根据D_DFS构件和M_DFS构件装配后存在的相对运动建立设计坐标系和测量坐标系的相对运动关系；根据所述相对运动关系，定义转移公差和被测要素检验公差带；S4，采用双滑块和摆杆机构的串联组合表示设计坐标系相对于测量坐标系的最大相对运动关系，根据双滑块和摆杆机构的结构参数和性能参数，计算所述被测要素检验公差带。本发明所述方法适用于多个基准遵循公差相关要求的转移公差的计算，具有较高的理论意义和使用价值。

公开(公告)号：CN106531837A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201611245601.4

申请日：2016-12-29

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 卫振奇 ,  张钰 ,  王伟

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/107 ,  H01L31/035272 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/1804

Abstract: 本发明公开了双结单光子雪崩二极管及其制作方法。现有双结结构光子探测效率低。本发明方法：对p-衬底层掺杂形成p阱电荷层；p阱电荷层外端掺杂反型深n阱；反型深n阱内端掺杂p掺杂控制区域；反型深n阱外端掺杂n阱电荷层；n阱电荷层外围掺杂p-型半导体层；n阱电荷层外端掺杂p+型光吸收层；阳极电极置于p+型光吸收层外端；p-型半导体层外围掺杂n阱层和n+型半导体层，n+型半导体层掺入n阱层内；n+型半导体层外端设置阴极电极；反型深n阱外端掺杂p阱层和p+型半导体层，p+型半导体层掺入p阱层内；p+型半导体层外端设置GND电极。本发明具有实现短波/长波探测可调谐功能，且有更高的光子探测效率。