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公开(公告)号：CN109923610A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201780067434.5
申请日：2017-10-11
Applicant: 田中贵金属工业株式会社 , 国立大学法人东北大学
Abstract: 本发明提供能够制作在维持良好的磁特性的同时实现磁性晶粒的微细化以及磁性晶粒的中心间距离的减小的磁性薄膜的磁记录介质用溅射靶。所述磁记录介质用溅射靶是含有金属Pt和氧化物、余量由金属Co和不可避免的杂质构成的磁记录介质用溅射靶，其中，相对于上述磁记录介质用溅射靶的金属成分的合计，含有70原子％以上且90原子％以下的金属Co，含有10原子％以上且30原子％以下的金属Pt，相对于上述磁记录介质用溅射靶的整体，含有26体积％以上且40体积％以下的上述氧化物，并且，上述氧化物由B2O3和熔点为1470℃以上且2800℃以下的一种以上的高熔点氧化物构成。
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公开(公告)号：CN108291294A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201680069144.X
申请日：2016-11-15
Applicant: 田中贵金属工业株式会社 , 国立大学法人东北大学
Abstract: 本发明提供能够制作矫顽力Hc大的磁性薄膜的溅射靶。该溅射靶含有金属Co、金属Pt和氧化物而成，其是除了不可避免的杂质以外不含金属Cr的溅射靶，上述氧化物的熔点为600℃以下、并且该氧化物的每1mol O2的标准生成吉布斯自由能ΔGf为-1000kJ/mol O2以上且-500kJ/mol O2以下。
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公开(公告)号：CN106232862A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201580021850.2
申请日：2015-04-14
Applicant: 田中贵金属工业株式会社 , 国立大学法人东北大学
Abstract: 本发明提供能够制作矫顽力Hc大的磁性薄膜的溅射靶及其制造方法。一种溅射靶，其含有金属Co、金属Pt和氧化物而成，其中，不含有金属Cr，并且，上述氧化物具有WO3和TiO2中的至少任意一者而成。
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公开(公告)号：CN109923610B
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN201780067434.5
申请日：2017-10-11
Applicant: 田中贵金属工业株式会社 , 国立大学法人东北大学
Abstract: 本发明提供能够制作在维持良好的磁特性的同时实现磁性晶粒的微细化以及磁性晶粒的中心间距离的减小的磁性薄膜的磁记录介质用溅射靶。所述磁记录介质用溅射靶是含有金属Pt和氧化物、余量由金属Co和不可避免的杂质构成的磁记录介质用溅射靶，其中，相对于上述磁记录介质用溅射靶的金属成分的合计，含有70原子％以上且90原子％以下的金属Co，含有10原子％以上且30原子％以下的金属Pt，相对于上述磁记录介质用溅射靶的整体，含有26体积％以上且40体积％以下的上述氧化物，并且，上述氧化物由B2O3和熔点为1470℃以上且2800℃以下的一种以上的高熔点氧化物构成。
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公开(公告)号：CN111971414A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN201980023830.7
申请日：2019-01-17
Applicant: 田中贵金属工业株式会社 , 国立大学法人东北大学
Abstract: 本发明提供可以在使磁记录层颗粒膜层叠于Ru基底层的上方的情况下能够使磁记录层颗粒膜中的磁性晶粒彼此良好地分离的缓冲层的形成中使用的溅射靶。一种含有金属和氧化物的溅射靶，其中，所含有的所述金属在使其整体为单一的金属时成为含有hcp结构的非磁性金属，该非磁性金属中含有的所述hcp结构的晶格常数a为 以上且 以下，并且，所含有的所述金属中含有相对于该金属的整体为4原子％以上的金属Ru，并且，含有20体积％以上且50体积％以下的所述氧化物，所含有的所述氧化物的熔点为1700℃以上。
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