公开(公告)号：CN103080863B

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：CN201180040380.6

申请日：2011-08-01

Applicant: 日立汽车系统株式会社

Inventor： 广津铁平 ,  金川信康 ,  田边至

IPC: G05F1/10 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04

CPC classification number: G05F1/10 ,  H02P3/22 ,  H02P6/24

Abstract: 提供一种电流控制用半导体元件和使用它的控制装置，该电流控制用半导体元件能够通过动态修正增益（a）和偏置（b）的变动，而在单芯片的IC内进行高精度的电流检测。在同一半导体芯片上，具有晶体管（4）、电流-电压转换电路和AD转换器。参考电流生成电路（6）在负载（2）的电流上叠加电流脉冲，使AD转换器输出的电压数字值变动。增益偏置修正部（8）对参考电流生成电路（6）产生的电压数字值的变动进行信号处理，动态取得AD转换器输出的电压数字值与负载的电流数字值的线性关系式中的增益（a）和偏置（b）。电流数字值运算部（12）使用增益偏置修正部（8）取得的增益和偏置修正AD转换器输出的电压值。

公开(公告)号：CN102971843A

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201180032330.3

申请日：2011-06-02

Applicant: 日立汽车系统株式会社

Inventor： 广津铁平 ,  金川信康 ,  田边至

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L27/088 ,  H03K17/14 ,  H03K17/695

CPC classification number: H01L27/088 ,  H01L27/0211 ,  H01L27/0266 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/4238 ,  H03K17/145

Abstract: 提供一种电流控制用半导体元件、以及使用了该电流控制用半导体元件的控制装置，其能够除去感应比的温度分布依赖性并且能提高基于感应MOSFET的电流检测的精度。电流控制用半导体元件(1)在同一半导体芯片上具有：驱动电流的主MOSFET(7)、和与主MOSFET(7)并联连接并用于分流主MOSFET的电流来进行电流检测的感应MOSFET(8)。主MOSFET使用具有多个沟道并且排列成一列的多指MOSFET来形成。若设从多指MOSFET(7)的中心到最远的沟道为止的距离为L，则将多指MOSFET的距中心最接近的位置的沟道用作感应MOSFET(8)的沟道。