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公开(公告)号：CN112436079A
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN202011195545.4
申请日：2020-10-31
Applicant: 扬州大学
Abstract: 本发明公开了一种倒三角势垒的GaN基LED外延结构及其生长方法，该发光层由势垒层和量子阱层交替构成，其中，势垒层为GaN‑InxGa1‑xN‑GaN势垒层，简称为GIG势垒层，按生长顺序该势垒层依次由GaN势垒、InxGa1‑x N势垒和GaN势垒构成，InxGa1‑xN势垒中的x沿生长方向从0到0.1再到0渐变。本发明采用GIG倒三角形势垒结构代替传统LED的GaN势垒结构，势垒层中的InGaN材料的应用能够有效降低势垒与量子阱的极化电场，有效抑制量子斯塔克效应，同时本发明提出的特殊势垒形状并没有降低势垒的有效高度，倒三角形势垒仍然可以有效地限制载流子。
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公开(公告)号：CN112436078A
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN202011195544.X
申请日：2020-10-31
Applicant: 扬州大学
Abstract: 本发明公开了一种提高发光效率的GaN基LED外延结构，该外延结构的发光层由势垒层和量子阱层交替构成，其中，势垒层命名为GaN‑AlxGa1‑xN‑GaN势垒层，简称GAG势垒层，按生长顺序该势垒层依次由GaN势垒、AlxGa1‑xN势垒和GaN势垒构成，AlxGa1‑xN势垒中的x沿生长方向从0到0.15再到0渐变。本发明采用GAG势垒结构可以在不增大器件发光层内的极化电场的情况下，有效提高势垒层对发光层中载流子的限制能力，从而达到提高GaN基LED的光电性能的目的。
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公开(公告)号：CN118943881A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411010844.4
申请日：2024-07-26
Applicant: 扬州大学
Abstract: 本发明公开了一种高功率半导体激光巴条封装结构；属于半导体激光器封装领域，包括斜踢面阶梯型基础热沉、小通道结构、斜踢面阶梯型绝缘次热沉、正电极条、负电极条、半导体激光巴条及封装单元；本发明公开了一种高功率半导体激光巴条封装结构，该封装结构在保证激光器在输出高质量光束的同时，通过对封装单元进行错位阶梯排布，以改善巴条与巴条之间的热串扰问题，另外还增加了巴条的散热空间，进而有效降低了激光器芯片工作时的结温。本发明所提出的封装结构能有效提升芯片的散热效率，进而抑制由结温升高所引起的激光器波长红移、功率下降、阈值电流变大等问题。
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公开(公告)号：CN118890858A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410963590.1
申请日：2024-07-18
Applicant: 扬州大学
IPC: H05K7/20 , H01L23/367 , H01L23/473 , B81B7/00 , B81C1/00 , F25D1/02
Abstract: 本发明公开了一种扩‑缩型微通道散热器，属于电子器件散热技术领域。该散热器包括：顶部盖板、内部流道、底部基板以及冷却液。所述顶部盖板的一端设置有冷却液入口，另一端设置有冷却液出口；所述内部流道中设置有若干个四角星形凸起结构；该凸起结构俯视图轮廓是由四条圆弧组成。在横向和纵向方向上，相邻两行/列所述四角星形凸起结构交错阵列排布，形成了若干个扩‑缩型微通道和汇流‑分流区。本发明一方面，通过若干个扩‑缩型微通道和四角星形凸起结构中圆弧的分流设计减小了压降损失，进一步提高了结构的稳定性。另一方面，若干个扩‑缩型微通道和汇流‑分流区的布置提高了冷热流体的混合能力和混合范围，从而提升了温度均匀性和换热效率。
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公开(公告)号：CN113703244B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202110953527.6
申请日：2021-08-19
Applicant: 扬州大学
Abstract: 总线连接，用于使各路光产生相位差。本发明公开了一种大规模集成的电光微环光学相控阵，至下而上包括硅衬底、二氧化硅掩埋层和硅芯层；二氧化硅掩埋层附着在硅衬底；在硅芯层这一层上还包括用于接收激光光源并将激光光源引导至光分束网络的光栅耦合器、用于将光栅耦合器输出的光源分成多路信号并传输至相位调谐区的光分束网络、用于产生相位差光束的相位调谐区和用于将产生的相位差光束发射至自由空间的天线阵列；相位调谐区包括由多个阵元构成的调谐阵列、与光分束网络连接的直波导、用于控制阵元的电压输出的控制总线；每个阵元均包括定向耦合器、p‑i‑n调制器和电
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116847628A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310815349.X
申请日：2023-07-05
Applicant: 扬州大学
IPC: H05K7/20
Abstract: 本发明公开了一种射流微通道热沉，包括壳体，壳体由层板分隔为下层的微通道层和上层的射流发生层。各条微通道中间隔设置若干对第一肋片，用于加强了壁面及射流孔附近流体的扰动。相邻第一肋片之间还设有第二肋片对，用于对相邻射流孔之间的流体进行扰动，使得第二肋片附近的流体速度更大，有助于减小相邻射流孔中间区域的温度。射流发生层内还设有用于对射流入口流入的流体进行扰动的若干射流分散肋片，解决射流分布不均的问题。此外，本发明结构还可加入横流，并通过对射流孔径分布的改进，使得横流混合射流后，微通道后半部分的流体仍具有较大的速度，能带走更多的热量，使微通道的温度分布更加均匀。
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公开(公告)号：CN114910988A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210539500.7
申请日：2022-05-17
Applicant: 扬州大学
IPC: G02B5/00
Abstract: 本发明公开了一种多重纳米方柱阵列宽带完美吸收器，在基底上依次设有锗层和硅光栅，在硅光栅上设有周期排列的铁纳米方柱阵列。在硅光栅的各行硅结构上表面，沿光栅长度方向，铁纳米方柱的高度成波浪状排列，且相邻两个铁纳米方柱高度差为dh；相邻两行硅结构上的铁纳米方柱的高度排列步调相反。本发明的完美吸收器采用的材料为成本低廉的Fe、Ge、Si，结构相对简单，并将吸收波段进一步扩大，实现了从紫外波段到近红外波段非常高的吸收。在采用理想参数情况下，实现在200nm‑2200nm波段平均96.8％的吸收率，其中490nm‑510nm达到99.96％的吸收峰值。
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公开(公告)号：CN112436081B
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202011195588.2
申请日：2020-10-31
Applicant: 扬州大学
Abstract: 本发明公开了一种提高载流子注入效率的GaN基LED外延结构及其生长方法，该发光层由势垒层和量子阱层交替构成，其中按生长顺序，最后一层势垒层采用Al组分即x值从0至0.15渐变的AlxGa1‑xN势垒层，其它势垒层为GaN势垒层，子阱层采用InyGa1‑yN量子阱层，y为0.1~0.3。本发明去除生长AlGaN电子阻挡层，能够减少p型Mg掺杂AlGaN带来的空穴势垒的提高，同时减少生长AlGaN时带来的严重的晶格缺陷和较大应力，以及其高温生长条件对发光层结构的高温损伤，提高芯片质量，采用Al组分渐变的AlxGa1‑xN最后一层势垒层，依然能实现有效提高电子势垒的作用，同时还能有效地降低空穴势垒，不但抑制了电子泄漏还进一步提高了空穴注入能力，从而提高了发光层中有效辐射复合速率，提高了GaN基LED的发光效率。
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公开(公告)号：CN114547975A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210128205.2
申请日：2022-02-11
Applicant: 扬州大学
IPC: G06F30/27 , G06N3/12 , G06F111/08
Abstract: 本发明公开了一种用于非周期平面天线阵元排布的改良遗传迭代算法，通过规划初始种群，计算适应度函数来择选出满足条件的优异个体，如果循环过程不满足输出条件，则继续执行选择操作，选出其中比较优异的种群个体。在此种群基础上，对其实数编码运算(SBX)，取用局部层面的实数编码获得的种群转码后与选择操作后产生的种群组合，参与概率变异，进而完成一轮循环操作，如此往复，直至循环产生的结果满足条件，输出最优个体；本发明方法在实现较大空间遗传探索的同时，确保了小范围的集中搜索，保证了结果的多样性使得算法不至于过早收敛，同时改善了运算结果的精度和运算效率。
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公开(公告)号：CN113648545A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202110972973.1
申请日：2021-08-24
Applicant: 扬州大学
Abstract: 本发明公开了一种具有皮肤检测功能的LED红蓝光美容仪，包括壳体、LED光照组件、检测组件以及控制电路组件。LED光照组件包括基板，基板中央设有通孔，基板上位于内侧的一组光源为环绕通孔阵列排列的RGB LED，位于外侧的一组光源为波长分别为不同波长的近红外LED灯依次交替循环排列形成环形。检测组件包括依次连接的反射光入射通道、反射光波长选择器、CMOS图像传感器，反射光入射通道与通孔连接。头部的LED光照组件的两组光源，在皮肤光谱检测时可实现不同波长的光照输出，在进行红蓝光嫩肤美容时，控制RGB LED即可实现单色红蓝光的输出，将皮肤光谱检测和红蓝光美容功能结合，实用新强。
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