一种抗静电半导体晶圆切割液及其制备方法

    公开(公告)号:CN115851363A

    公开(公告)日:2023-03-28

    申请号:CN202211572667.X

    申请日:2022-12-08

    Abstract: 本发明提供一种抗静电半导体晶圆切割液及其制备方法,所述切割液总量为100质量份,所述切割液的组分及其质量份为:聚乙二醇35.0‑50.0份、抗静电剂2.0‑10.0份、第一表面活性剂3.0‑12.0份、有机酸螯合剂0.5‑2份、消泡剂0.5‑1.0份、超纯水余量。所述制备方法为按所述切割液的组分及其质量份准备原料;向分散搅拌机中加入所述超纯水,准确称取所述有机酸螯合剂,进行第一搅拌至所述所述有机酸螯合剂完全溶解;加入所述聚乙二醇、所述抗静电剂、所述消泡剂和所述第一表面活性剂,进行第二搅拌,得到所述切割液。所述切割液可中和切割碎屑中的负电荷,减少碎屑再沉降,提高晶圆表面洁净度,提高晶圆表面的静电逸散能力,减少静电聚集,且该切割液十分安全,不会对晶圆产生腐蚀。

    一种光致变色喷墨光油
    22.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115785737A

    公开(公告)日:2023-03-14

    申请号:CN202211656431.4

    申请日:2022-12-22

    Abstract: 本发明提供一种光致变色喷墨光油,包括以下质量百分比的各组分:50‑60%丙烯酸酯单体,10‑20%丙烯酸酯低聚物,10‑20%光引发剂,0.1‑5%表面助剂,0.1‑5%抗氧阻聚剂,0.1‑10%的光致变色材料,1‑2%紫外线吸收剂UV‑770,1‑2%分散剂DOP。该喷墨光油可以经喷嘴均匀喷出,实现无接触打印在材料上,该喷墨光油内包含有光致变色材料,在不同的光照条件下实现颜色变换,具有良好的装饰效果。

    一种应用于单晶硅电池片表面织构化的碱刻蚀添加剂

    公开(公告)号:CN117736736A

    公开(公告)日:2024-03-22

    申请号:CN202311752113.2

    申请日:2023-12-19

    Abstract: 本发明涉及碱刻蚀添加剂技术领域,尤其涉及一种应用于单晶硅电池片表面织构化的碱刻蚀添加剂。其技术方案包括以下原料组成形核主剂3‑5%,绒面调节剂1‑2%,消泡剂0.1‑0.3%,pH值调节剂0.5‑2%,韧性剂5‑8%,去离子水余量。本发明制备出的碱液刻蚀蚀刻均匀,使用寿命长,同时降低单晶硅电池片的反射率,提高单晶硅电池片对光的吸收,使得电池表面在粗糙度增加的情况下仍然能保证良好的韧性,避免蚀刻使产生裂纹,增加电池片的韧性,保证电池片的性能和使用寿命。

    一种低残留金属中框保护油墨
    25.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116478573A

    公开(公告)日:2023-07-25

    申请号:CN202310604932.6

    申请日:2023-05-26

    Abstract: 本发明提供一种低残留金属中框保护油墨,所述低残留金属中框保护油墨包括以下质量份数的各组分:聚酯丙烯酸酯40‑60份,水溶性环氧双官能度丙烯酸酯低聚物10‑20份,光引发剂3‑6份,填料20‑35份,色浆0.3‑0.6份以及乙醇余量。通过合理复配聚酯丙烯酸酯、水溶性环氧双官能度丙烯酸酯低聚物、光引发剂、填料、色浆和乙醇,可以有效降低金属中框上金属与塑胶结合位置上的保护油墨脱除难度,减少残留,提升脱墨效率且有利于后续金属中框的进一步加工应用。

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