转印膜、层叠体的制造方法、电路配线的制造方法、电子器件的制造方法

    公开(公告)号:CN115884875A

    公开(公告)日:2023-03-31

    申请号:CN202180050843.0

    申请日:2021-08-19

    Abstract: 本发明提供一种不易产生图案外观不良的转印膜、层叠体的制造方法、电路配线的制造方法及电子器件的制造方法。本发明的转印膜具有临时支承体及在临时支承体上配置的树脂组合物层,树脂组合物层包含:树脂;及选自嵌段共聚物及式(1)所表示的化合物中的至少一个化合物,该嵌段共聚物包含:包含具有式(A)所表示的基团或式(B)所表示的基团的结构单元X的嵌段及包含具有聚(氧化烯)基的结构单元Y的嵌段。

    共聚物及含有该共聚物的树脂组合物、膜、相位差膜

    公开(公告)号:CN105524199A

    公开(公告)日:2016-04-27

    申请号:CN201510666081.3

    申请日:2015-10-15

    Abstract: 本发明提供共聚物及含有该共聚物的树脂组合物、膜、相位差膜,所述共聚物在薄膜中的透明性及耐热性优异、通过拉伸可表现大的负取向双折射。本发明的共聚物含有下述通式I所示的富马酸腈残基和通式II所示的芳香族乙烯基单体残基,其中,通式II中,R1表示氢原子、甲基或苯基,R2表示氢原子或取代或无取代的碳数为6~12的芳基,R3、R4、R5、R6及R7各自独立地表示氢原子、卤原子、羟基、碳数为1~4的烷氧基、碳数为2~5的酰基氧基、氰基甲基或碳数为1~8的烷基;R2与R3及R4还可分别键合形成环,R3、R4、R5、R6及R7的任意取代基之间也可键合形成环。

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