一种宽带定向耦合器及其设计方法

    公开(公告)号:CN116111313B

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202310347998.1

    申请日:2023-04-04

    IPC分类号: H01P5/18 H01P11/00

    摘要: 本发明适用于耦合器设计领域,提供了一种宽带定向耦合器及其设计方法,包括壳体和耦合器本体,所述耦合器本体设置在所述壳体内;所述耦合器本体包括通过HTCC技术预制的两个介质基板,以及印制在两个所述介质基板之间的带状线结构,其中印制后的带状线结构经过HTCC技术二次共烧;所述带状线结构至少包括主线、副线和多个端口,所述主线和副线耦合连接构成有输入端、直通端、耦合端以及隔离端,并分别与多个所述端口相连;所述主线包括多节级联连接的主耦合线,所述副线包括多节级联连接的副耦合线。采用多节耦合线级联实现倍频程,带宽更宽,满足多个频段使用的需求;采用带状线结构,便于在上下双面加载散热结构,来提升散热效果。

    一种基于HTCC的宽带电桥
    22.
    发明授权

    公开(公告)号:CN115986356B

    公开(公告)日:2023-05-26

    申请号:CN202310281453.5

    申请日:2023-03-22

    IPC分类号: H01P5/16 H05K7/20

    摘要: 本发明适用于3dB电桥技术领域,提供了一种基于HTCC的宽带电桥,所述宽带电桥包括介质基板、主线和次线;所述介质基板中设置有第一耦合腔、第二耦合腔和第三耦合腔,所述第一耦合腔、第二耦合腔与第三耦合腔依次相连;所述主线包括级联连接的第一主耦合线、第二主耦合线和第三主耦合线,所述第一主耦合线远离第二主耦合线的一端设有输入端,所述第三主耦合线远离第二主耦合线的一端设有直通端;所述次线包括级联连接的第一次耦合线、第二次耦合线和第三次耦合线。本发明采用高温共烧陶瓷(HTCC)技术实现小型化电桥的三维集成,采用多节耦合线级联以及三个不同深度的耦合腔配合,实现多频程和超宽带。

    一种宽带定向耦合器及其设计方法

    公开(公告)号:CN116111313A

    公开(公告)日:2023-05-12

    申请号:CN202310347998.1

    申请日:2023-04-04

    IPC分类号: H01P5/18 H01P11/00

    摘要: 本发明适用于耦合器设计领域,提供了一种宽带定向耦合器及其设计方法,包括壳体和耦合器本体,所述耦合器本体设置在所述壳体内;所述耦合器本体包括通过HTCC技术预制的两个介质基板,以及印制在两个所述介质基板之间的带状线结构,其中印制后的带状线结构经过HTCC技术二次共烧;所述带状线结构至少包括主线、副线和多个端口,所述主线和副线耦合连接构成有输入端、直通端、耦合端以及隔离端,并分别与多个所述端口相连;所述主线包括多节级联连接的主耦合线,所述副线包括多节级联连接的副耦合线。采用多节耦合线级联实现倍频程,带宽更宽,满足多个频段使用的需求;采用带状线结构,便于在上下双面加载散热结构,来提升散热效果。

    一种基于HTCC的宽带电桥
    24.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115986356A

    公开(公告)日:2023-04-18

    申请号:CN202310281453.5

    申请日:2023-03-22

    IPC分类号: H01P5/16 H05K7/20

    摘要: 本发明适用于3dB电桥技术领域,提供了一种基于HTCC的宽带电桥,所述宽带电桥包括介质基板、主线和次线;所述介质基板中设置有第一耦合腔、第二耦合腔和第三耦合腔,所述第一耦合腔、第二耦合腔与第三耦合腔依次相连;所述主线包括级联连接的第一主耦合线、第二主耦合线和第三主耦合线,所述第一主耦合线远离第二主耦合线的一端设有输入端,所述第三主耦合线远离第二主耦合线的一端设有直通端;所述次线包括级联连接的第一次耦合线、第二次耦合线和第三次耦合线。本发明采用高温共烧陶瓷(HTCC)技术实现小型化电桥的三维集成,采用多节耦合线级联以及三个不同深度的耦合腔配合,实现多频程和超宽带。