公开(公告)号：CN109415493B

公开(公告)日：2021-12-14

申请号：CN201780040156.4

申请日：2017-08-04

Applicant: 太阳油墨制造株式会社

Inventor： 二田完 ,  佐藤和也

IPC: C08G59/40 ,  C08F2/44 ,  C08F2/46 ,  H01L23/12 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

Abstract: 提供一种半导体用密封材料，其能够降低半导体晶片及半导体封装、尤其是扇出型的晶片级封装(FO‑WLP)中的晶片或封装的翘曲。一种半导体用密封材料，其为至少包含热固性成分(A)和活性能量射线固化性成分(B)的半导体用密封材料，其特征在于，对于在不暴露于活性能量射线的环境下于150℃进行了10分钟加热处理后的半导体用密封材料，在25℃、以1J/cm2照射包含351nm波长的紫外线，此时的发热量α(J/g)满足1≤α(J/g)。

公开(公告)号：CN108369928A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201680073780.X

申请日：2016-12-22

Applicant: 太阳油墨制造株式会社

Inventor： 二田完 ,  佐藤和也

IPC: H01L23/29 ,  H01L23/12 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L23/12 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

Abstract: 提供一种半导体用密封材料，其能够抑制在半导体芯片与半导体用密封材料之间形成间隙。本发明的半导体用密封材料的特征在于，其包含能够使半导体氧化的氧化剂而成。

公开(公告)号：CN108327357A

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201810034610.1

申请日：2018-01-15

Applicant: 太阳油墨制造株式会社

Inventor： 舟越千弘 ,  岛宫真梨子 ,  冈田和也 ,  佐藤和也 ,  伊藤秀之 ,  荒井康昭 ,  伊藤信人

IPC: B32B3/30 ,  B32B27/08 ,  B32B27/20 ,  B32B33/00

CPC classification number: B32B3/30 ,  B32B27/08 ,  B32B27/20 ,  B32B33/00 ,  B32B2250/24 ,  B32B2307/40 ,  B32B2307/558

Abstract: 提供一种感光性膜层积体，其难以产生图案的边缘倒塌，即使由于将层压有感光性膜层积体的基板等重合时的强烈的冲击或挤压，也能抑制对感光性膜表面的影响，进而在固化覆膜的外观检查中也能够改善成品率。一种感光性膜层积体，其为依次具备支撑膜、中间层和由感光性树脂组合物形成而成的感光性膜的感光性膜层积体，其特征在于，上述感光性膜具备具有凹凸表面的面，上述凹凸表面的凹凸平均间隔Sm为5μm以上且小于90μm。