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公开(公告)号：CN112331773A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202011155925.5
申请日：2020-10-26
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开一种全透明的防水柔性有机忆阻器件及其制备方法。该全透明的防水柔性有机忆阻器件，包括：柔性衬底；底层电极，形成在柔性衬底上；经过低温退火的PEDOT:PSS有机功能层，形成在底层电极上；顶层电极，相互隔离分布在PEDOT:PSS有机功能层上。本发明解决了有机材料器件易受到水的影响而使得器件性能衰减或失效的问题，为有机忆阻器件的防水应用场景提供了可能。
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公开(公告)号：CN110265547A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201910512415.X
申请日：2019-06-13
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体为一种基于COMS后端工艺的柔性3D存储器的制备方法。本发明包括以下步骤：提供柔性衬底；利用硬掩膜，采用低温溅射方法生长第一电极；在第一电极上形成阻变功能层；利用硬掩膜，采用低温溅射方法生长第二电极；在第二电极上形成阻变功能层；交替重复上述两步骤，形成具有多层阻变功能层的柔性3D存储器，其中，位于各层的第一电极的位置不相重叠，位于各层的第二电极的位置不相重叠，并且位于顶层的第二电极形成后，不再形成阻变功能层。本发明简化了工艺过程，降低了成本；制备过程全采用CMOS后端生产工艺，为柔性3D存储器的进一步发展应用提供基础。
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公开(公告)号：CN108666335A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201810478676.X
申请日：2018-05-18
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体为一种CMOS图像传感器三维集成方法。本发明方法包括：提供制备在全耗尽的SOI晶片上的CMOS图像传感器芯片；形成第一金属互连布线层和钝化层；在所述第一金属互连线上形成嵌入式电极；切割所述CMOS图像传感器芯片，并进行表面等离子体激活处理；以及使两块所述CMOS图像传感器芯片的嵌入式电极相互对应完成键合。本发明利用嵌入式电极将绝缘体上硅层直接结合，不需占用额外的空间，得到高密度堆叠的三维COMS图像传感器。本发明适用于高密度集成。
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公开(公告)号：CN113517285B
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202110248345.9
申请日：2021-03-08
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体为一种二维互补型存储器及其制备方法。本发明二维互补型存储器包括：衬底；底电极阵列，包括多条沿第一方向延伸，沿第二方向排列的线状底电极；在底电极阵列上依次形成的第一BN二维材料层、石墨烯二维材料层、第二BN二维材料层；以及顶电极阵列，包括多条沿第二方向延伸，沿第一方向排列的线状顶电极，其中，所述第一方向与所述第二方向垂直。本发明采用独立的互补型存储器解决交叉阵列中的“潜行电流”问题，提高了材料的选择范围，同时全二维材料构建的范德瓦尔斯异质结作为互补型存储器的功能层，可缩减至原子级别的厚度，有效提高二维存储器的高密度集成能力。
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公开(公告)号：CN112331772B
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202011155918.5
申请日：2020-10-26
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开一种感存算一体的柔性有机忆阻器及其制备方法。该感存算一体的柔性有机忆阻器包括：柔性衬底(100)；底层电极(101)，其以一定间隔分布在柔性衬底(100)上；有机功能层(102)，其形成底层电极(101)上，具有紫外光响应，并且可以在紫外光脉冲的激励下进行电荷的存储与擦除，撤去光脉冲后的电流状态与施加光脉冲前的初始电流状态不同，且能保持较长的时间；顶层电极(103)，其以一定间隔分布在有机功能层(102)上，且其延伸方向与底层电极(101)的延伸方向垂直；当利用紫外光脉冲源对所形成的感存算一体的柔性有机忆阻器进行照射时，忆阻器可感应到光信号并产生电流信号，相应的电流信号可被忆阻器存储记忆并用于多态神经计算，从而实现感存算一体化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112331772A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202011155918.5
申请日：2020-10-26
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开一种感存算一体的柔性有机忆阻器及其制备方法。该感存算一体的柔性有机忆阻器包括：柔性衬底(100)；底层电极(101)，其以一定间隔分布在柔性衬底(100)上；有机功能层(102)，其形成底层电极(101)上，具有紫外光响应，并且可以在紫外光脉冲的激励下进行电荷的存储与擦除，撤去光脉冲后的电流状态与施加光脉冲前的初始电流状态不同，且能保持较长的时间；顶层电极(103)，其以一定间隔分布在有机功能层(102)上，且其延伸方向与底层电极(101)的延伸方向垂直；当利用紫外光脉冲源对所形成的感存算一体的柔性有机忆阻器进行照射时，忆阻器可感应到光信号并产生电流信号，相应的电流信号可被忆阻器存储记忆并用于多态神经计算，从而实现感存算一体化。
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公开(公告)号：CN108447881A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810337094.X
申请日：2018-04-16
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体为一种基于微互连的3D堆叠图像传感器及其制备方法。本发明传感器包括相互键合的顶部晶圆和底部晶圆；其中，在顶部晶圆的上表面以一定间距形成有互连线，在底部晶圆的上表面以相同间距形成有互连线及微凸块，所述顶部晶圆的连线与所述底部晶圆的微凸块相互对应连接，在所述顶部晶圆与所述底部晶圆之间的空隙填充有绝缘材料；顶部晶圆背面安装有彩色滤光片和微透镜。本发明利用上下两衬底互连的结构制备了新型3D堆叠图像传感器，有效解决了传统TSV技术不适用于光电二极管阵列的问题，具有理想的全局快门功能，能够实现超过160dB的寄生光灵敏度和超高速捕获等。
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公开(公告)号：CN108269820A
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201810124408.8
申请日：2018-02-07
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明属于图像传感器技术领域，具体为一种三维背光源结构CMOS图像传感器及其制备方法。本发明方法包括以下步骤：对制作在硅衬底上的CMOS图像传感器芯片层进行双层互连；将CMOS图像传感器芯片层和载物层进行暂时性粘合；对衬底进行减薄处理至预设厚度，并进行应力消除；将衬底和背光源进行永久性的粘合；将CMOS图像传感器芯片层上的载物层解除；制作硅通孔插入层；以及将CMOS图像传感器芯片层和所述硅通孔插入层进行互连。本发明有效消除了传统芯片级封装器件结构因应力所导致的不稳定性，能够在小尺寸的情况下提高器件对光的吸收能力，从而提高灵敏度。
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公开(公告)号：CN113161479A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110248356.7
申请日：2021-03-08
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体为一种剥离式自支撑的神经突触仿生器件的制备方法。本发明制备方法包括以下步骤：提供支撑衬底；在所述支撑衬底上旋凃形成柔性薄膜，并进行烘烤；生长第一层电极；生长功能层；光刻定义顶电极阵列图形，生长并刻蚀形成顶电极阵列；以及将柔性薄膜从支撑衬底上剥离获得自支撑的柔性神经突触仿生器件。本发明通过将柔性薄膜溶液旋涂于支撑衬底获得平整的界面，并在器件制备完成后将其整体剥离，极大提高了器件良率、有效降低了生产成本。
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