磁性存储装置及方法
    21.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105097007A

    公开(公告)日:2015-11-25

    申请号:CN201410172835.5

    申请日:2014-04-25

    Abstract: 本发明实施例提供一种磁性存储装置及方法,磁性存储装置包括:包含至少一个磁畴区的磁性存储轨道,用于存储写入的磁畴;第一写装置,用于在所述磁畴区写入磁畴;第二写装置,用于在所述磁畴区写入与所述第一写装置写入方向垂直的磁畴。能够实现多级存储,提高磁性存储装置的存储量。

    黄连素在制备治疗脱发的药物中的应用

    公开(公告)号:CN117482088A

    公开(公告)日:2024-02-02

    申请号:CN202311412244.6

    申请日:2023-10-30

    Abstract: 本发明公开了黄连素在制备治疗脱发的药物中的应用,属于中药技术领域。本发明证实了黄连素能够促进毛发长度生长、延长毛发生长期、增加毛发生长面积,具体表现在:能够显著促进人毛乳头细胞的增殖能力;促进雄激素性脱发患者枕部正常毛囊生长;促进雄激素性脱发患者枕部正常毛囊生长期延长;促进雄激素性脱发患者微小化毛囊生长;促进雄激素性脱发患者微小化毛囊生长期延长;促进脱毛小鼠毛发生长面积增大;促进脱毛小鼠毛发生长长度增长;促进脱毛小鼠毛生长期延长。因此可将黄连素用于治疗脱发。

    一种基于图神经网络预测药物-副作用关系的方法

    公开(公告)号:CN112216396B

    公开(公告)日:2022-11-22

    申请号:CN202011097537.6

    申请日:2020-10-14

    Applicant: 复旦大学

    Inventor: 赵兴明 杨凯

    Abstract: 本发明公开了一种基于图神经网络预测药物‑副作用关系的方法,用于解决如何利用深度学习的方法以及充分考虑边和节点的信息来表示网络中的节点的问题;包括收集药物数据进行预处理,建立药物与药物、药物副作用与副作用之间的关系;构建药物‑副作用异质网络模型;使用图神经网络对网络中的节点和多关系边进行向量化表示;本发明通过构建多关系网络,利用神经网络,对网络中的节点进行表示;通过不同平台的公开数据进行爬取,描述药物的特征更加全面,数据采集方便快捷,对数据进行预处理后再进行分析,增强了挖掘的效果,提高了挖掘数据的质量,构建了能代表多模态数据的异质网络模型,使用了图神经网络方法,结合了点和边的信息。

    磁性存储轨道和磁性存储器

    公开(公告)号:CN105244043B

    公开(公告)日:2018-09-21

    申请号:CN201410330469.1

    申请日:2014-07-11

    Abstract: 本发明提供一种磁性存储轨道和磁性存储器,包括多个堆叠的存储轨道单元,相邻两个存储轨道单元之间设置有过渡层,且该过渡层由在绝缘材料上淀积的半导体材料构成,包括选通电路和读写装置。由于磁性存储轨道包括多个堆叠的存储轨道单元,从而磁性存储轨道的轨道长度由多个存储轨道单元的轨道长度构成,因此,当增大磁性存储轨道的轨道长度时,可通过增加存储轨道单元实现,避免增加存储轨道单元的轨道长度,从而解决了在提高磁性存储轨道存储能力时,由于磁性存储轨道的轨道长度增长导致工艺难度增大的技术问题。

    一种磁性存储器
    27.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105632544B

    公开(公告)日:2018-05-04

    申请号:CN201410584291.3

    申请日:2014-10-27

    CPC classification number: G11C11/02

    Abstract: 本发明实施例提供一种磁性存储器,包括多个存储单元、行、列控制器,存储单元包括U型磁性轨道、第一及第二开关单元、读写装置,U型磁性轨道包括第一及第二端口、第一及第二存储区域,第一及第二存储区域分别位于第一及第二端口与U型磁性轨道底部的第一及第二端之间,同一列第一端口接收第一驱动电压;同一列第二端口接收第二驱动电压;行控制器连接同一列的第一及第二开关单元以控制其通断;同一列第一及第二开关单元还分别连接至U型磁性轨道底部第二端及第一端;同一列第一及第二开关单元还接收第三驱动电压,以驱动第一或第二存储区域的磁畴移动;读写装置用于对磁畴执行读操作或写操作。本发明提高存储密度和降低功耗。

    一种存储阵列、存储器及存储阵列控制方法

    公开(公告)号:CN104795086B

    公开(公告)日:2017-11-17

    申请号:CN201410028573.5

    申请日:2014-01-21

    Abstract: 本发明实施例公开了一种存储阵列、存储器及存储阵列控制方法,减少整个存储阵列的功耗,提升存储容量。存储阵列包括:存储单元,其存储区域顶部端口分别与阴极总线、阳极总线相连,其读写装置包括第一端口和第二端口,其存储区域包括第三端口和第四端口,对于一个存储单元,第一端口与第二列选通管相连,第二端口通过第一开关管与行译码器相连,第三端口通过第二开关管连接至第一列选通管和行译码器,第四端口通过第三开关管连接至第一列选通管和行译码器;通过对阴极总线、阳极总线、行译码器与第一列选通管的控制,选通存储单元和输入进行移位操作的信号;通过对行译码器与第二列选通管的控制,选通读写装置和输入进行读写操作的信号。

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