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公开(公告)号:CN106104833A
公开(公告)日:2016-11-09
申请号:CN201580014491.8
申请日:2015-03-26
Applicant: 富士胶片株式会社 , 国立大学法人东京大学
IPC: H01L51/30 , C07D493/14 , C07D495/14 , C07D497/14 , C07D513/14 , C07D517/14 , C07D519/00 , H01L21/336 , H01L21/368 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40
CPC classification number: H01L51/0074 , C07D493/14 , C07D495/14 , C07D497/14 , C07D513/14 , C07D517/14 , C07D519/00 , C09B57/00 , C09D5/24 , H01L51/0003 , H01L51/0068 , H01L51/0071 , H01L51/0545 , H01L51/0558 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 一种有机晶体管,其具有半导体有源层,该半导体有源层含有由下式表示且分子量为3000以下的化合物(X为氧、硫、硒、碲原子或NR5;Y和Z为CR6、氧、硫、硒、氮原子或NR7;含有Y和Z的环为芳香族杂环;R1和R2中的任意一个与含有Y和Z的芳香族杂环、或者、R3和R4中的任意一个与苯环可以经由特定的二价连接基团而键合;R1、R2、R5~R8为氢原子、烷基、烯基、炔基、芳基或杂芳基;R3和R4为烷基、烯基、炔基、芳基或杂芳基;m和n为0~2的整数),该有机晶体管的载流子迁移率高。本发明提供化合物、非发光性有机半导体器件用有机半导体材料、有机晶体管用材料、非发光性有机半导体器件用涂布液、有机晶体管的制造方法、有机半导体膜的制造方法、非发光性有机半导体器件用有机半导体膜、有机半导体材料的合成方法。
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公开(公告)号:CN113728449B
公开(公告)日:2025-04-11
申请号:CN202080030609.7
申请日:2020-04-21
Applicant: 富士胶片株式会社 , 国立大学法人东京大学
Abstract: 本发明的课题在于,提供一种即使在低温条件下也能够制造载流子迁移率优异的有机薄膜晶体管的组合物。本发明的组合物含有下述式(1)所表示的化合物和下述式(S1)所表示的醇。#imgabs0#
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公开(公告)号:CN112638895A
公开(公告)日:2021-04-09
申请号:CN201980055254.4
申请日:2019-08-29
Applicant: 国立大学法人东京大学 , Pi-克瑞斯托株式会社
IPC: C07D333/50 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/30
Abstract: 本发明提供一种具有优异的载流子迁移率的新型的含氧族元素的有机半导体化合物。其为由下式(1a)或式(1b)表示的化合物,[化学式1]在式(1a)和(1b)中,X表示S、O或Se,并且R1分别独立地表示氢原子、卤素原子、烷基、芳基、芳烷基、吡啶基、呋喃基、噻吩基或噻唑基。
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公开(公告)号:CN106165105B
公开(公告)日:2019-07-09
申请号:CN201580015681.1
申请日:2015-03-26
Applicant: 富士胶片株式会社 , 国立大学法人东京大学
IPC: C07D495/14 , H01L29/786 , H01L21/336 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40
CPC classification number: H01L51/0074 , C07D495/14 , C09B57/00 , C09D5/24 , H01L51/0007 , H01L51/0558 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 一种非发光性有机半导体器件用涂布液,其含有通式(2)表示的化合物和沸点为100℃以上的溶剂(通式(2)中,R11和R12各自独立地表示氢原子、烷基、烯基、炔基或烷氧基,也可以具有取代基,通式(2)中的芳香族部分可以取代有卤原子),该涂布液的载流子迁移率高。本发明提供有机晶体管、化合物、非发光性有机半导体器件用有机半导体材料、有机晶体管用材料、有机晶体管的制造方法和有机半导体膜的制造方法。
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