NdFeB系烧结磁体
    21.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104221100B

    公开(公告)日:2018-03-16

    申请号:CN201380018248.4

    申请日:2013-03-26

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种在高温环境下不容易产生不可逆退磁、发热的NdFeB系烧结磁体。本发明的NdFeB系烧结磁体的特征在于,其为使Dy和/或Tb附着到基材的表面并通过晶界扩散处理使其扩散到该基材内部的晶界的NdFeB系烧结磁体,且矩形比为95%以上,所述基材通过将NdFeB系合金的粉末在磁场中进行取向、烧结而制造。这种NdFeB系烧结磁体可以如下来制造:使用以规定的间隔大致均等地分散有富稀土相的薄片的NdFeB系合金作为起始合金,并且在使该合金吸存氢后直至烧结工序为止保持不进行用于使吸存的氢脱附的加热,制作NdFeB系烧结磁体的基材,并对其进行晶界扩散处理。

    NdFeB系烧结磁体
    24.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103797549A

    公开(公告)日:2014-05-14

    申请号:CN201280021381.0

    申请日:2012-12-27

    Abstract: 本发明提供一种NdFeB系烧结磁体,其为利用晶界扩散法制造的NdFeB系烧结磁体,其具有高矫顽力和矩形比,最大磁能积的降低少。本发明的NdFeB系烧结磁体的特征在于,其为通过晶界扩散处理而使附着在基材表面的Dy和/或Tb(以下,将“Dy和/或Tb”记为“RH”)扩散到该基材内部的晶界的NdFeB系烧结磁体,所述基材是通过将NdFeB系合金的粉末进行取向、烧结而制造的,出现在附着有RH的面的晶界中的RH浓度Cs(wt%)与从前述附着面起深度3mm的晶界中的RH浓度Cd3(wt%)之差Cs-Cd3为20wt%以下。

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