公开(公告)号：CN218648738U

公开(公告)日：2023-03-17

申请号：CN202223168920.3

申请日：2022-11-29

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 颜景斌 ,  许森洋 ,  王玺哲

IPC: H02M7/68 ,  H02M7/797

Abstract: 本实用新型提供了一种基于新型开关电感单元的高增益双向准Z源逆变器，包括直流电压源Vg、滤波电容C、电容CZ1和CZ2、开关管S1、S2和S3、二极管D1、D2和D3、新型开关电感单元SL1和SL2和三相逆变桥P。本实用新型具有能量双向流动能力，消除了非正常运行模态。本实用新型具有高升压因子、高电压增益、低Z源网络和新型开关电感单元电容电压应力、低Z源网络二极管和新型开关电感单元电流应力和低功率损耗。同时降低了结构和控制的复杂度。本实用新型具有高安全性和高效率，应用前景广泛。

公开(公告)号：CN216531071U

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202122823345.5

申请日：2021-11-18

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 颜景斌 ,  许森洋 ,  王玺哲

IPC: H02M1/42 ,  H02M7/04 ,  H02M7/217 ,  H02M7/06

Abstract: 本实用新型提供了一种基于超快速IGBT的高增益无桥PFC变换器，包括单相交流电源Vg、第一绕组和第二绕组分别为L1和L2的耦合电感、开关管S1和S2、SiC二极管D1和D2、开关管SD3和SD4、隔离变压器P、二极管VD、电容C0和负载RL。超快IGBT和SiC二极管的组合使得拓扑结构可以用于CCM操作。本实用新型在传统无桥PFC变换器拓扑的基础上，使用耦合电感代替原来的电感，通过耦合电感来实现高增益。为了进一步提高系统效率，整流二极管可以用电流型MOSFET代替，减小整个拓扑的通态损耗。同时由于隔离变压器的存在，易于实现电气隔离。本实用新型电路结构简单、损耗低、安全性高、效率高，能用于功率因数校正并且输入电压低、电流大、高增益的场合。