公开(公告)号：CN106833398A

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201710028683.5

申请日：2017-01-16

Applicant: 哈尔滨工业大学无锡新材料研究院 ,  无锡海特新材料研究院有限公司

Inventor： 白永平 ,  张晓勇 ,  孙帅 ,  王宇 ,  龙军 ,  李卫东 ,  席丹 ,  殷晓芬

IPC: C09J4/02 ,  C09J4/06 ,  C09J11/06 ,  C08F220/18 ,  C08F218/08 ,  C08F220/06 ,  C08F220/28

Abstract: 本发明公开了一种快速固化丙烯酸酯压敏胶，由包括如下重量份数的原料制得：粘性单体70～85份，内聚单体0～25份，功能单体1～10份，自由基聚合引发剂0.3～0.8份，溶剂100～150份固化单体5～10份，光敏剂为固化单体重量的1～3%，其中，所述固化单体为三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、三（2‑羟乙基）异氰脲酸三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯中的至少一种。本发明利用多官能度的固化单体在UV条件下使分子链之间形成互传网络结构从而对压敏胶进行固化，从而显著缩短固化时间，且在正常使用处理下没有残胶现象，且附着力强，剥离力大，在使用过程中没有脱胶和胶层以及界面破坏的现象，具有较大的应用价值和市场价值。

公开(公告)号：CN106832811A

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201710031301.4

申请日：2017-01-17

Applicant: 哈尔滨工业大学无锡新材料研究院 ,  无锡海特新材料研究院有限公司

Inventor： 白永平 ,  孙帅 ,  张福臣 ,  张晓勇 ,  李卫东 ,  席丹 ,  殷晓芬

IPC: C08L67/02 ,  C08K13/02 ,  C08K3/26 ,  C08K3/36 ,  C08K5/098 ,  C08K5/523 ,  C08K5/526 ,  C08G63/181 ,  C08G63/183 ,  C08G63/86

CPC classification number: C08G63/183 ,  C08G63/181 ,  C08G63/866 ,  C08K3/26 ,  C08K3/36 ,  C08K5/098 ,  C08K5/523 ,  C08K5/526 ,  C08K13/02 ,  C08K2003/265 ,  C08K2003/267 ,  C08L67/02

Abstract: 本发明公开一种抗氧化黄变的光学聚酯，由包括以下重量份数的原料制得：二甲酸单体：20000‑30000份，乙二醇：6000‑10000份，催化剂：5‑15份，稳定剂：10‑25份，开口剂：2‑10份，亚磷酸酯类抗氧剂：5‑30份，镁盐：0.1‑2份。本发明的光学聚酯在保证光学性能的基础上具有很好的良好的色值、抗氧性能、抗紫外线性能、热稳定性能及耐湿热老化性能，可在长期使用的条件下不变黄，同时具有较高的拉伸强度，尺寸稳定性优良，特别适用于屏幕膜、背板膜等电子产品领域。

公开(公告)号：CN102583272A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201210019411.6

申请日：2012-01-21

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 陈刚 ,  邹贤 ,  金仁成 ,  邓明达 ,  闫春爽 ,  孙帅

IPC: C01B19/04

Abstract: 蠕虫状Sb2Se3储氢材料及其制备方法，本发明涉及一种储氢材料及制备方法。是要解决现有的制备碳纳米管储氢材料的方法对设备要求严格、能耗量较大、且产物需要纯化的技术问题。蠕虫状Sb2Se3储氢材料是由酒石酸锑钾、亚硒酸钠、葡萄糖及混合溶剂采用溶剂热合成法制成的蠕虫状Sb2Se3。制备方法：将酒石酸锑钾、亚硒酸钠、葡萄糖和混合溶剂混合均匀后，加入反应釜反应，产物经洗涤后即得，该其蠕虫状Sb2Se3储氢材料直径为1～2μm，长度数十微米；每个蠕虫状Sb2Se3是由许多的Sb2Se3纳米片自组装而成的。该材料的放电容量高达248mAh g-1，纯度高达99％～100％，可应用于规模化储氢领域。

公开(公告)号：CN102583271A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201210019404.6

申请日：2012-01-21

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 陈刚 ,  闫春爽 ,  金仁成 ,  邓明达 ,  孙帅 ,  邹贤

IPC: C01B19/04

Abstract: 刺状Sb2Se3半导体储氢材料及其制备方法，本发明涉及一种半导体储氢材料及其制备方法。本发明是要解决现有的碳纳米管电化学储氢材料对设备要求严格、能耗量大且产物需要纯化的技术问题。刺状Sb2Se3半导体储氢材料由K(SbO)C4H4O6·0.5H2O、Na2SeO3、表面活性剂、乙二醇、水和水合肼用溶剂热合成法制成。方法：将K(SbO)C4H4O6·0.5H2O、Na2SeO3、表面活性剂、乙二醇、水和水合肼并混合后，进行水热反应，再过滤、洗涤、干燥即得。该材料比表面积4.3～4.5m2.g-1，放电容量203.3～210mA·h·g-1，纯度99％～100％，可用作电极材料。