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公开(公告)号：CN106757239A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710061198.8
申请日：2017-01-25
Applicant: 厦门大学
CPC classification number: C25D5/54 , C25D3/12 , C25D7/0607
Abstract: 一种碳化硅纤维表面电镀镍的方法，涉及碳化硅纤维的表面处理。将连续SiC纤维裁剪，得连续SiC纤维后进行热处理脱胶，得脱胶后的SiC纤维；将脱胶后的SiC纤维置于NaOH溶液中煮沸，冲洗后，得除油污后的SiC纤维；把除油污后的SiC纤维放入硝酸水溶液中浸泡进行酸腐蚀，让其表面粗糙化，以提高其表面能，增强镀层与纤维间的结合力，从硝酸水溶液取出后，再冲洗，得表面粗化后的SiC纤维；将表面粗化后的SiC纤维干燥，得预处理的干燥SiC纤维；配制电镀液，将得的预处理的干燥SiC纤维作为阴极，金属镍板作为阳极，置于电镀液中，预处理的干燥SiC纤维表面形成一层光亮致密的镍金属涂层，实现碳化硅纤维表面电镀镍。
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公开(公告)号：CN105272266A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510851884.6
申请日：2015-11-27
Applicant: 厦门大学
IPC: C04B35/565 , C04B38/08
Abstract: 一种先驱体转化碳化硅泡沫陶瓷的制备方法，涉及碳化硅泡沫陶瓷。制备固态聚碳硅烷；将固态聚碳硅烷与二甲苯溶液混合得浆料A；将聚氨酯有机泡沫置于氢氧化钠溶液中静置，去除多余的有机泡沫间膜，泡沫取出后洗净，得预处理的聚氨酯有机泡沫模板，再置于浆料A中碾压，使浆料A浸润泡沫模板，排除多余浆料A，形成挂浆产物A；在固态聚碳硅烷中加入二甲苯，得浆料B；将挂浆产物置于浆料B中浸渍，离心，得挂浆产物B；将挂浆产物B放入鼓风烘箱中，在流动空气中升温到180～200℃，得产物G；将产物G放入高温炉中，在N2气氛下以2℃/min的速度升温至500℃，再以5℃/min的速度升温至800～1200℃，即得产物。
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公开(公告)号：CN109338512A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811184917.6
申请日：2018-10-11
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种氧化铈-氧化铝纤维及其制备方法，涉及氧化铈-氧化铝纤维。氧化铈-氧化铝纤维的长度不小于1mm，直径为微米数量级，铈的含量为铈和铝总质量的1％～50％，吸收波长为350～700nm。制备时，合成铈-铝溶胶；配制前驱体纺丝液；将前驱体纺丝液形成纤维形态，煅烧，得氧化铈-氧化铝纤维。氧化铈-氧化铝纤维可在制备空气净化材料和水净化材料中应用。以过渡金属离子掺杂的方式调整氧化铈的禁带宽度，使其吸收波长红移到可见光区域，提高对自然光的利用率。通过制造氧化铈-氧化铝复合纤维，可方便地实现氧化铈光催化材料的回收利用，避免二次污染。
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公开(公告)号：CN106757239B
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201710061198.8
申请日：2017-01-25
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种碳化硅纤维表面电镀镍的方法，涉及碳化硅纤维的表面处理。将连续SiC纤维裁剪，得连续SiC纤维后进行热处理脱胶，得脱胶后的SiC纤维；将脱胶后的SiC纤维置于NaOH溶液中煮沸，冲洗后，得除油污后的SiC纤维；把除油污后的SiC纤维放入硝酸水溶液中浸泡进行酸腐蚀，让其表面粗糙化，以提高其表面能，增强镀层与纤维间的结合力，从硝酸水溶液取出后，再冲洗，得表面粗化后的SiC纤维；将表面粗化后的SiC纤维干燥，得预处理的干燥SiC纤维；配制电镀液，将得的预处理的干燥SiC纤维作为阴极，金属镍板作为阳极，置于电镀液中，预处理的干燥SiC纤维表面形成一层光亮致密的镍金属涂层，实现碳化硅纤维表面电镀镍。
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公开(公告)号：CN107130274A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201710574633.7
申请日：2017-07-14
Applicant: 厦门大学
CPC classification number: C25D7/0607 , C25D17/005 , C25D17/02
Abstract: 一种SiC纤维连续电镀的装置，涉及SiC纤维。设有电源设备、导电轮、第1绝缘导轮、第2绝缘导轮、第3绝缘导轮、电镀槽体和收线部件；所述电源设备用于安装各种零部件的支架，所述导电轮固定在支架左上方，所述第1绝缘导轮固定在支架上且位于导电轮正下方；所述第2绝缘导轮安装在支架上且位于第1绝缘导轮右下方；所述第3绝缘导轮固定在支架上且位于第2绝缘导轮水平右侧；所述电镀槽体放置在支架底座上；所述收线部件固定在支架上且位于第3绝缘导轮右上方。使电流在SiC纤维表面分布稳定，消除SiC纤维电镀时因特有的电阻效应导致的镀层厚度不均匀问题；装置结构简单、成本低廉、生产效率高，可用于工业化扩大生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104597327B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201510061436.6
申请日：2015-02-06
Applicant: 厦门大学
IPC: G01R27/14
Abstract: 陶瓷纤维电阻率的测试方法，涉及陶瓷纤维。利用双面胶将多根陶瓷纤维平行粘结于金属板样品台上，利用银导电胶使多根纤维处于并联状态；待银胶凝固后，将纤维试样连同金属板样品台一起放入金属电磁屏蔽盒中；将样品台、测试电路电流的静电计以及提供测试电压的数字源表串联；在恒温恒湿条件下，进行微电流测试实验，每测量出一个电流值之后，关闭数字源表电压的输出，打开金属屏蔽盒，拨断一根纤维，然后继续测量剩余并联纤维对应的微电流，直至不同根数纤维对应的电流全部测出；根据欧姆定律及体积电阻率计算公式求出多组不同根数纤维的电阻率值，并获得统计平均值。可有效解决细直径陶瓷纤维高电阻无法准确测量的问题。
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公开(公告)号：CN104597327A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201510061436.6
申请日：2015-02-06
Applicant: 厦门大学
IPC: G01R27/14
Abstract: 陶瓷纤维电阻率的测试方法，涉及陶瓷纤维。利用双面胶将多根陶瓷纤维平行粘结于金属板样品台上，利用银导电胶使多根纤维处于并联状态；待银胶凝固后，将纤维试样连同金属板样品台一起放入金属电磁屏蔽盒中；将样品台、测试电路电流的静电计以及提供测试电压的数字源表串联；在恒温恒湿条件下，进行微电流测试实验，每测量出一个电流值之后，关闭数字源表电压的输出，打开金属屏蔽盒，拨断一根纤维，然后继续测量剩余并联纤维对应的微电流，直至不同根数纤维对应的电流全部测出；根据欧姆定律及体积电阻率计算公式求出多组不同根数纤维的电阻率值，并获得统计平均值。可有效解决细直径陶瓷纤维高电阻无法准确测量的问题。
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公开(公告)号：CN119085321A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411199952.0
申请日：2024-08-29
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种粉体电子辐照处理装置，涉及到材料加工领域。设有带有加热炉的主腔体，主腔体竖直设置，主腔体的上部直径大，下部直径小，中间采用圆锥段过渡，形成圆柱型腔体；主腔体的顶盖上安装有用于透过电子束的电子辐照钛窗、尾气排出口及进料口；主腔体的上部大直径端的侧边安装有内置冷却装置的进出风管以及辅助工作气口，主腔体底部安装有带有搅拌桨、排料口以及工作气进口的双层底；安装件与主腔体间采用密封连接；采用工作气将粉末吹起并保持其流化状态，在辐照过程及后续的热处理过程中粉末始终保持流化悬浮状态，避免粉体在辐照中热量堆积或在后续的热处理中烧结团聚。辐照处理中粉末粉体热量容易导出，可采用较大电子束流辐照，工艺适用性广。
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公开(公告)号：CN119082713A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411200117.4
申请日：2024-08-29
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种粉体CVD合成炉，涉及到材料合成领域。包括反应原料预热器、气体混合器、加热炉膛、沉淀冷却罐及过滤器；CVD反应原料在原料预热器中预热，使其达到或接近粉体合成工艺温度，后在气体混合器中均匀混合并产生反应形成粉体，混合后的原料气体到加热炉膛继续加热反应完全，尾气携带生成的粉体到沉淀冷却罐冷却，形成的粉末沉降；最后再经过滤器滤下剩余粉末并排空；采用先将反应原料单独汽化、预热至反应工艺温度，再让反应原料气体在反应工艺温度下混合反应形成粉体。原料在混合反应时不与加热的高温部件接触，避免原料在高温部件沉积，原料利用性好，通过控制原料进入流量，即可调整原料混合比例及反应原料高温停留时间，工艺适用性好。
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公开(公告)号：CN119038502A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411200405.X
申请日：2024-08-29
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B21/068 , C04B35/626 , C04B35/584 , C01C1/16 , C08G77/60 , C08G77/62
Abstract: 一种硅胺基团交换法制备氮化硅超纯粉体的方法，涉及材料领域。采用六甲基二硅氮烷(HMDZ)与SiCl4在有机溶剂中反应，将SiCl4中Cl原子以副产物(CH3)3SiCl方式从反应体系中去除，HMDZ与SiCl4在有机溶剂中形成[Si(NH)2]m[Si(CH3)3]n聚合物；后者在NH3以及加热的作用下形成Si(NH)2(s)硅胺前体沉淀，最后将硅胺前体沉淀加热分解形成超纯Si3N4粉体。合成过程条件温和，避免高压合成条件。通过调整HMDZ在有机溶剂中的浓度以及SiCl4的通气速率，可直接控制最终的氮化硅粉体的粒径，调整方便。成本低，产品纯度高。
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