公开(公告)号：CN108988834B

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201811085238.3

申请日：2018-09-18

Applicant: 清华大学

Inventor： 曾嵘 ,  张翔宇 ,  余占清 ,  黄瑜珑 ,  陈政宇 ,  屈鲁 ,  魏天予

IPC: H03K17/041

Abstract: 本发明提供一种缓冲电路、设备及方法，缓冲电路包括串联的缓冲电容和阻尼电阻，其特征在于，所述阻尼电阻采用非线性电阻，所述非线性电阻具有阻值随电流增大而减小的特性。所述缓冲电路包括RC结构缓冲电路和RCD结构缓冲电路，主要应用于断路器中，以满足电子电力设备关断时的软关断需求，并能够在电流下降后快速衰减电流，高效关断。

公开(公告)号：CN111736058A

公开(公告)日：2020-10-02

申请号：CN202010557687.4

申请日：2020-06-18

Applicant: 清华大学

Inventor： 余占清 ,  刘佳鹏 ,  曾嵘 ,  陈政宇 ,  任春频 ,  赵彪

IPC: G01R31/28

Abstract: 本发明公开了一种适用于芯片测试系统的测试平台，包括：承片台，其上设置待测试芯片；至少一测试座，装设于所述承片台上；转接板，电性连接于所述测试座及测试电路；其中，所述待测芯片根据驱动信号进行动作后，所述测试座通过探针或键合线电性连接于所述待测芯片，所述测试电路通过所述转接板采集测量所述待测芯片的电性能参数。

公开(公告)号：CN111524861A

公开(公告)日：2020-08-11

申请号：CN202010129802.8

申请日：2020-02-28

Applicant: 清华大学

Inventor： 曾嵘 ,  周文鹏 ,  刘佳鹏 ,  陈政宇 ,  赵彪 ,  余占清

IPC: H01L23/04 ,  H01L23/043 ,  H01L23/10 ,  G01R31/26

Abstract: 本发明公开了一种功率半导体器件管壳，由阳极管壳、阴极管壳以及绝缘环形成放置半导体芯片的空腔，其中，所述阳极管壳通过阳极接触片与半导体芯片的阳极接触，所述阴极管壳通过阴极接触片与半导体芯片的阴极接触，所述阴极管壳包括阴极底座与多个阴极通流环；所述阴极底座与多个阴极通流环相嵌合，且所述阴极底座与多个阴极通流环相嵌合的一侧表面上间隔设置有多个第一沟槽，所述第一沟槽用于放置电流线圈。通过设置阴极管壳的结构，在其内部布置电流线圈孔道，同时将电流线圈从阴极管壳内部引出，实现对半导体芯片不同区域的阴极电流进行测量。

公开(公告)号：CN111416510A

公开(公告)日：2020-07-14

申请号：CN202010201942.1

申请日：2020-03-20

Applicant: 清华大学

Inventor： 余占清 ,  许超群 ,  曾嵘 ,  赵彪 ,  陈政宇

IPC: H02M1/32 ,  H02M1/34

Abstract: 本发明公开了一种用于高压直流输电混合换流器的均压电路，所述均压电路包括可关断管和稳压电路，且所述可关断管与所述稳压电路连接。本发明的均压电路采用简单的电路拓扑结构，实现了所述新型高压直流输电混合换流器的桥臂的可关断管的电压均衡设计，从而在所述新型高压直流输电混合换流器正常运行和抵御换相失败故障时能够钳制电压过电压，保护好可关断管不受过电压损坏。

公开(公告)号：CN111404127A

公开(公告)日：2020-07-10

申请号：CN202010163657.5

申请日：2020-03-10

Applicant: 清华大学

Inventor： 余占清 ,  曾嵘 ,  黄瑜珑 ,  屈鲁 ,  周雁南 ,  陈政宇 ,  甘之正

IPC: H02H7/26 ,  H02H9/00

Abstract: 本发明提供一种自然换流型混合式直流断路器及直流系统的电流关断方法，所述自然换流型混合式直流断路器由主通流支路、转移支路和能量吸收支路组成，所述主通流支路、转移支路和能量吸收支路并联连接；所述主通流支路由真空间隙快速机械开关和气体间隙快速机械开关串联组成。本发明的自然换流型混合式直流断路器具有通态损耗近零、支持重合闸和电流差异化、换流可靠、可控性强、体积紧凑、占地面积小、成本低等特点。

公开(公告)号：CN109709423B

公开(公告)日：2020-07-03

申请号：CN201811615509.1

申请日：2018-12-27

Applicant: 清华大学

Inventor： 曾嵘 ,  刘佳鹏 ,  周文鹏 ,  赵彪 ,  余占清 ,  陈政宇

IPC: G01R31/00

Abstract: 本发明公开了一种电气器件换流回路杂散参数的测量方法，所述换流回路包括依次串联连接的电气器件中的功率半导体元件、第n个阴极环对应的管壳、驱动板、门极驱动线路、开关元件、以及电容器；在电气器件换流过程中，基于所述换流回路中的电气参数和/或电气参数关系，采用拟合法得到第n个阴极环对应管壳、电容器以及门极驱动线路的杂散电阻与杂散电感。该测量方法实现了对于换流回路各部分杂散参数的分离，便于电气器件后续的分析与改进。

公开(公告)号：CN110767637A

公开(公告)日：2020-02-07

申请号：CN201810829497.6

申请日：2018-07-25

Applicant: 清华大学

Inventor： 陈政宇 ,  曾嵘 ,  赵彪 ,  余占清 ,  刘佳鹏 ,  周文鹏

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/48

Abstract: 一种应用于压接型MOSFET的压装结构，包括第一铜块，弹性结构，压接型MOSFET，电路板和第二铜块。其中，多个压接型MOSFET能够形成并联阵列，排布成环形或矩阵型。所述压装结构的结构简单、紧凑，通流能力和散热能力增强，拓宽了适用范围。

公开(公告)号：CN107769369B

公开(公告)日：2019-10-25

申请号：CN201711007803.X

申请日：2017-10-25

Applicant: 清华大学

Inventor： 余占清 ,  曾嵘 ,  屈鲁 ,  黄瑜珑 ,  魏天予 ,  陈政宇 ,  张翔宇 ,  杨超 ,  姚大伟

IPC: H01H9/54 ,  H02H9/06

Abstract: 本发明提出了一种基于耦合负压电路的混合式开关电路、切换开关、切换保护系统及其控制方法，其中所述混合式开关电路包括，机械开关支路、换流支路、辅固态开关支路和能量吸收支路，所述换流支路包括主固态开关支路和耦合负压电路；所述辅固态开关支路中的固态开关包括反向并联的电力电子开关；所述主固态开关支路拓扑为全桥电路，包括电力电子开关/二极管反并联电路和电容，所述电力电子开关/二极管反并联电路与所述电容并联。本发明的基于耦合负压电路的混合式开关电路、切换开关、切换保护系统具有可靠性高的特点，而且控制方便。

公开(公告)号：CN110118929A

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201810916506.5

申请日：2018-08-13

Applicant: 清华大学 ,  广东电网有限责任公司电力科学研究院

Inventor： 曾嵘 ,  屈鲁 ,  余占清 ,  张翔宇 ,  陈政宇 ,  肖祥 ,  黄松波 ,  赵伟 ,  曾杰

IPC: G01R31/327

Abstract: 本发明提供了一种开断设备测试装置及测试方法，所述测试装置包括：第一充电电路，第二充电电路和一个放电电路；所述第一充电电路与所述放电电路连接，所述充电电路充电后能够被控制放电，给放电电路提供电流；所述第二充电电路与所述放电支路连接，所述充电电路充电后能够被控制放电，给放电电路提供电流；所述放电电路设有用来接入所述开断设备的端口。所述测试方法基于所述测试装置对待检测的开断设备进行开断、合闸和重合闸测试。本发明实现了对开断设备的开断性能的有效全面测试。

公开(公告)号：CN109979998A

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201811616848.1

申请日：2018-12-27

Applicant: 清华大学

Inventor： 刘佳鹏 ,  曾嵘 ,  周文鹏 ,  赵彪 ,  余占清 ,  陈政宇

IPC: H01L29/744 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明提供一种具备高电流冲击(dI/dt)耐受能力的集成门极换流晶闸管器件，包括门极换流晶闸管芯片单元及门极驱动单元，所述集成门极换流晶闸管器件还具有以下一种或多种：触发电流提升至10A的门极驱动单元、内部载流子寿命>100us的门极换流晶闸管芯片、阴极电流密度在芯片各区域近似相等的门极接触环阴极面结构、横向尺寸缩短至200um以内的单个门极换流晶闸管单元。本发明的集成门极换流晶闸管器件在高电流冲击的状况下能够充分导通而不损坏，有效降低系统应用中用于限制电流上升速率的阳极电抗，减小外部模块体积，提升了在应用中的便捷性。