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公开(公告)号：CN107966824B
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201711396912.5
申请日：2017-12-21
Applicant: 南开大学
IPC: G02B27/10
Abstract: 本发明公开了一种分光器以及采用该分光器的光通讯系统和显示装置。该分光器包括：一透光基底，与该透光基底的表面平行且相互垂直的两个方向分别定义为X方向和Y方向；以及多个设置于该基底表面的结构相同的微结构单元组，该多个设置于该基底表面的结构相同的微结构单元组在X方向和Y方向分别周期性设置，从而形成一超表面结构；其中，每个微结构单元组包括多个微结构单元，每个微结构单元包括多个平行且间隔设置的微纳米柱，每个微结构单元包括的所述多个微纳米柱的高度相同且横截面尺寸沿着排列方向梯度变化；且该多个微结构单元的梯度方向不同。
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公开(公告)号：CN108061936A
公开(公告)日：2018-05-22
申请号：CN201711396942.6
申请日：2017-12-21
Applicant: 南开大学
IPC: G02B6/125
CPC classification number: G02B6/125
Abstract: 本发明公开了一种分光器以及采用该分光器的分光方法。该分光器包括：一透光基底；设置于该透光基底表面的多个周期性的第一微结构单元，所述第一微结构单元包括多个沿X方向平行且间隔设置的第一微纳米柱，所述多个第一微纳米柱的高度相同，且所述多个第一微纳米柱的横截面尺寸梯度变化；以及设置于该透光基底表面的多个周期性的第二微结构单元，所述第二微结构单元包括多个沿X方向平行且间隔设置的第二微纳米柱，所述多个第二微纳米柱的高度相同，所述多个第二微纳米柱的横截面尺寸梯度变化，且所述多个第一微纳米柱的梯度与所述多个第二微纳米柱的梯度相同但相反；所述多个周期性的第一微结构单元和多个周期性的第二微结构单元交替设置。
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公开(公告)号：CN105157579B
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201510445700.6
申请日：2015-07-27
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明公开了一种微结构阵列光学位移传感器的制造方法及其用于检测微小位移的方法，所述方法包括：首先在基底材料表面进行镀膜，利用微纳米加工方法在基底材料上制备具有光谱特征峰的微结构阵列；将具有微结构阵列的基底固定于被测样品表面并利用光谱仪对样品表面的微结构进行光谱测量；移动位移传感器，记录光谱特征峰移动位置并计算位移量。所述方法制造的微结构阵列光学位移传感器可以测量微小区域内位移变化量，且具有测量灵敏度高、检测速度快的优势。
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公开(公告)号：CN103715292B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201410012447.0
申请日：2014-01-02
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/102 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种具有高增益的可见和近红外硅基光电探测器制备方法，其是在n型衬底与n+型黑硅层之间形成n-n+结，该n-n+结经过快速热退火处理激活黑硅硫掺杂层中的硫杂质元素；该硫掺杂黑硅层增加了材料对可见和红外光的吸收；该硅基光电探测器器件工作在反偏电压下，硅基光电探测器器件吸收光子产生的光生电子-空穴对在电场的作用下分离，并向两边的电极运动，被电极收集后形成光电流，从而实现了光探测。本发明具有结构简单、工艺简单、易加工和易保存等优点，最突出的，该光电探测器在400nm-2500nm波长范围内，-5V偏压下的响应度均大于为1A／W，在低偏压下实现了高增益。
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公开(公告)号：CN105157579A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201510445700.6
申请日：2015-07-27
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明公开了一种微结构阵列光学位移传感器的制造方法及其用于检测微小位移的方法，所述方法包括：首先在基底材料表面进行镀膜，利用微纳米加工方法在基底材料上制备具有光谱特征峰的微结构阵列；将具有微结构阵列的基底固定于被测样品表面并利用光谱仪对样品表面的微结构进行光谱测量；移动位移传感器，记录光谱特征峰移动位置并计算位移量。所述方法制造的微结构阵列光学位移传感器可以测量微小区域内位移变化量，且具有测量灵敏度高、检测速度快的优势。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1278089A
公开(公告)日：2000-12-27
申请号：CN00121093.9
申请日：2000-07-20
Applicant: 南开大学
IPC: G06T9/00
Abstract: 本发明属数字信息存储技术领域。动态差分编码和解码方法,利用边框定位编码图中的有效信息,把作为一个整体来考虑的一个或多个象素称为定义块,利用相邻定义块之间的灰度关系进行位的判断。编码图中有效信息的内容包括:文件名、文件长度或/和文件内容。解决了由CCD接收中有效信息的定位问题和光斑不均匀及其它噪音引起的误码率升高的问题,使得误码率低于10－6,这样三维光子存储器就可以走向实际应用。
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公开(公告)号：CN1274916A
公开(公告)日：2000-11-29
申请号：CN00121096.3
申请日：2000-07-20
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明属信息存储。将红光半导体激光器用作三维全息存储装置中的读出光源。本发明包括计算机、精密转台、写入光源、读出光源、透镜、空间滤波器、空间光调制器、反射镜、相位失配调整器、光折变晶体(如单掺、双掺铌酸锂,钽酸锂)与CCD构成;利用绿光(532nm)作为写入光,读出光波长(650—690nm,典型波长670nm)远离写入光的波长,使得图像的信噪比大大提高,并解决了光固定的难题。本发明用红光半导体激光作为读出光源,解决了现有存储器用原写入光源读出的一些弱点,大大压缩了系统的尺寸,使信息存储寿命远大于一百年,解决了信息固定的难题。
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公开(公告)号：CN115744809A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202111032740.X
申请日：2021-09-03
Applicant: 南开大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本申请提供一种铌酸锂超构表面的制备方法，通过在铌酸锂基材上沉积金属膜，作为聚焦离子束图形化和干法刻蚀中的掩膜，防止铌酸锂光栅结构顶端椭圆化；通过聚焦离子束图形化金属膜及铌酸锂基材，从而形成图形化的金属膜和图形化的铌酸锂基材，降低了工艺复杂性及工艺难度；通过干法刻蚀对图形化的铌酸锂基材去损，实现去除聚焦离子束图形化铌酸锂基材导致的铌酸锂光栅结构表层污染及非晶化；湿法去除图形化的金属膜，最终得到高光学质量的铌酸锂光栅。
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公开(公告)号：CN107966824A
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201711396912.5
申请日：2017-12-21
Applicant: 南开大学
IPC: G02B27/10
CPC classification number: G02B27/10
Abstract: 本发明公开了一种分光器以及采用该分光器的光通讯系统和显示装置。该分光器包括：一透光基底，与该透光基底的表面平行且相互垂直的两个方向分别定义为X方向和Y方向；以及多个设置于该基底表面的结构相同的微结构单元组，该在X方向和Y方向分别周期性设置，从而形成一超表面结构；其中，每个微结构单元组包括多个微结构单元，每个微结构单元包括多个平行且间隔设置的微纳米柱，所述多微纳米柱的高度相同且横截面尺寸沿着排列方向梯度变化；且该多个微结构单元的梯度方向不同。
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公开(公告)号：CN105319738B
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201510801683.5
申请日：2015-11-19
Applicant: 南开大学
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明涉及一种偏振成像系统，其包括：一偏振光源、一调控光源、一消光滤波装置、一成像装置以及一光学非线性偏振调控元件；该光学非线性偏振调控元件包括：一绝缘透明基底；一设置于该绝缘透明基底的一表面的金属等离子激元层，所述等离子激元层包括多个周期设置的具有手性的微结构；以及一设置于该金属等离子激元层远离该绝缘透明基底的表面且将该金属等离子激元层覆盖的折射率可调控薄膜；所述折射率可调控薄膜包括折射率在光照下可调控的材料。本发明还涉及一种利用该偏振成像系统成像的方法。本发明提供的偏振成像系统可以实现对偏振光的全光式调控成像。该成像方法，具有方法简单，响应速度快的优点。
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