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公开(公告)号：CN105720204A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201610071186.9
申请日：2016-02-01
Applicant: 南京理工大学
CPC classification number: H01L51/502 , H01L51/56
Abstract: 本发明公开了一种反置结构的无机钙钛矿量子点发光二极管，包括ITO玻璃基板、沉积在ITO玻璃表面的ZnO电子传输层、无机钙钛矿CsPbX3量子点发光层、4,4',4”?三(咔唑?9?基)三苯胺空穴传输层、空穴注入层和阳极电极材料。通过以下步骤制备：首先在洁净的ITO玻璃上采用磁控溅射法沉积ZnO电子传输层，之后取CsPbX3量子点的分散液旋涂在器件表面，然后热蒸发沉积TCTA空穴传输层，再热蒸发沉积空穴注入层，最后沉积阳极电极材料。本发明的发光二极管可调节量子点发光层材料的卤素配比覆盖可见光范围，发光稳定且发光效率高。
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公开(公告)号：CN105679942A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610046310.6
申请日：2016-01-22
Applicant: 南京理工大学
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/4213 , H01L51/0003
Abstract: 本发明公开了高性能垂直结构全无机钙钛矿CsPbX3纳米晶可见光探测器，通过旋涂制备空穴传输层，离心制备钙钛矿活性层，再用旋涂制备电子传输层，最后热蒸发沉积电极材料。本发明所述的可见光探测器的探测波长范围可通过改变纳米晶的卤素配比进行调节，该探测器的性能优越，信噪比高、响应速度快，可应用于快速响应的探测领域。
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公开(公告)号：CN105206718A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201510621455.X
申请日：2015-09-25
Applicant: 南京理工大学
CPC classification number: H01L33/005 , H01L33/06
Abstract: 本发明公开了一种溶液法制备的CsPbX3无机钙钛矿量子点发光二极管，在ITO玻璃上旋涂PEDOT：PSS空穴注入层，然后旋涂空穴传输层以及金属卤化物钙钛矿量子点，通过热蒸发或磁控溅射沉积电子传输层，再通过热蒸发沉积发光二极管的金属电极，得到发光均匀的CsPbX3无机钙钛矿量子点发光二极管。本发明制备的量子点发光二极管的发光颜色可通过改变量子点发光层材料的卤素配比进行调节，能够覆盖整个可见光谱范围。
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公开(公告)号：CN104988475A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510299607.9
申请日：2015-06-03
Applicant: 南京理工大学
IPC: C23C18/40
Abstract: 本发明公开了一种铜镍合金纳米线柔性电极及其制备方法，将一定量的铜镍合金纳米线分散在适量的正己烷溶液中，通过抽滤的方法使铜镍合金纳米线在滤膜上成膜，再将之转移到准备的PDMS柔性衬底上，利用一定压力将纳米线嵌在柔性衬底表面，然后通过在还原性气氛条件下加热到一定温度并保持一段时间，从而得到高质量的铜镍合金纳米线柔性电极。本发明操作过程简单，制得的柔性电极具有很好的导电性，可拉伸性，可弯曲性以及优异的稳定性。
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公开(公告)号：CN104923803A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201510299276.9
申请日：2015-06-03
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一步法合成高稳定高导电铜纳米线墨水的方法，将含镍的前驱盐和含有氯的铜前驱盐溶解于长烷链的有机胺溶剂中；将该混合溶液在惰性气体氛围下加热到一定温度得到铜纳米线，随后继续升温反应一段时间，得到高稳定的铜镍壳-铜核纳米线；最后再在正己烷-丙酮的混合溶液中离心处理2～4次后分散在有机溶剂中，获得高稳定、高导电的铜纳米线墨水。本发明反应条件温和，反应为一步法，反应时间较短，制备工艺简单易控，重复性高，通过所述方法得到的铜镍壳-铜核米线直径为40～50nm，长度为50～70μm，长径比较大，导电性能优异，且透过率高，性能非常稳定。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103088422B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201310022362.6
申请日：2013-01-18
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明是一种正交晶系MoO3纳米棒的制备方法。取向生长的α-MoO3纳米棒具有良好的场电子发射性能，较低的阈值电场，可广泛应用于场发射显示器件、超级电容及电化学能量存储装置等。本发明采用两步扩散脉冲激光沉积技术，以α-MoO3为靶材，在硅衬底上沉积正交晶系MoO3纳米棒，所沉积的MoO3纳米棒具有密度高、直径小。首先通过传统的脉冲激光烧蚀在基片上沉积一层薄的MoO3籽晶层，然后将样品反转，用扩散脉冲激光沉积方法在籽晶层上进一步生长均一的MoO3纳米棒。本发明能够在无催化剂的条件下制备高结晶度、低缺陷密度的单晶MoO3纳米棒阵列，制备工艺简单、容易控制、重复性好、绿色环保。
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公开(公告)号：CN103088422A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201310022362.6
申请日：2013-01-18
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明是一种正交晶系MoO3纳米棒的制备方法。取向生长的α-MoO3纳米棒具有良好的场电子发射性能，较低的阈值电场，可广泛应用于场发射显示器件、超级电容及电化学能量存储装置等。本发明采用两步扩散脉冲激光沉积技术，以α-MoO3为靶材，在硅衬底上沉积正交晶系MoO3纳米棒，所沉积的MoO3纳米棒具有密度高、直径小。首先通过传统的脉冲激光烧蚀在基片上沉积一层薄的MoO3籽晶层，然后将样品反转，用扩散脉冲激光沉积方法在籽晶层上进一步生长均一的MoO3纳米棒。本发明能够在无催化剂的条件下制备高结晶度、低缺陷密度的单晶MoO3纳米棒阵列，制备工艺简单、容易控制、重复性好、绿色环保。
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公开(公告)号：CN119799326A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411924111.1
申请日：2024-12-25
Applicant: 南京理工大学
IPC: C09K11/62 , G02F1/13357 , C09K11/02
Abstract: 本发明公开了一种原位构筑水相Ag‑In‑Ga‑S量子点背光膜的方法，利用一步法将量子点前驱体溶液和两种配体与聚合物基质混合，在反应釜内高温高压环境下，水相量子点在聚合物基质中原位生长，并进一步将量子点与聚合物混合胶体固化为背光膜。采用原位构筑方法，避免了传统两步法单纯机械搅拌混合产生大量气泡的问题，薄膜均一性更好，量子点在聚合物基质中分散性好，与聚合物结合度更高，聚合物也进一步填补了表面缺陷，提高了量子点薄膜荧光强度与荧光量子效率，且量子点结晶性好，量子点粒径均一，量子点受聚合物保护效果更好，稳定性较高，操作方法简单，重复性高，可实现大面积构筑。
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公开(公告)号：CN119709194A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411924117.9
申请日：2024-12-25
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开一种氯化锶辅助提高锰掺杂CsPbCl3量子点荧光量子产率的方法，将碳酸铯加入十八烯中加热搅拌至均匀混合，注入油酸后得到油酸铯溶液；将不同量的氯化锶辅助掺杂剂、氯化锰掺杂剂、氯化铅、油胺、油酸加入十八烯中加热搅拌使其混合均匀，得到前驱体混合溶液；将油酸铯溶液注入到前驱体混合溶液中，反应一定时间后将其置于冰水中降温至室温，形成CsPbCl3量子点原液；向原液中加入一定比例的絮凝剂，经历离心处理获得CsPbCl3量子点溶液。本发明通过调控掺杂剂添加量提高Mn掺杂CsPbCl3量子点Mn发射的荧光量子产率，最终Sr、Mn共掺杂CsPbCl3量子点的Mn发射荧光量子产率高达100%。
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公开(公告)号：CN118460206A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410051055.9
申请日：2024-01-15
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开一种Ag‑In‑Ga‑S量子点的水相制备方法，称量硝酸银、硝酸铟和硝酸镓，将其溶解于水中搅拌使其混合均匀，得到金属阳离子前驱体溶液；加入谷胱甘肽和柠檬酸钠的混合物，得到配体‑金属阳离子前驱体溶液；加入硫化钠，充分搅拌均匀，得到前驱体溶液；将前驱体溶液放入反应釜中，反应得到AIGS量子点原液；在AIGS量子点原液中加入提纯剂，混合均匀后放入离心机离心，得到AIGS量子点。本发明简单可控，可重复性高，有利于大批量制备。谷胱甘肽的引入进一步增加了量子点的辐射复合比例，提高荧光量子产率，柠檬酸钠的极性基团保护了量子点在水中的生长与分散，进一步提升了结晶性，且量子点粒径均一、稳定性较高。
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