含铁电纳米晶的电光极化聚合物及其制备方法

    公开(公告)号:CN1273540C

    公开(公告)日:2006-09-06

    申请号:CN200410014335.5

    申请日:2004-03-16

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 含铁电纳米晶的电光极化聚合物及其制备方法:铁电纳米晶均匀分布在透明的薄膜聚合物内。铁电纳米晶材料:铌酸锶钡、锆钛酸铅、掺镧的锆钛酸铅、钛酸钡BaTiO3,铌酸锂LiNbO3或钽酸锂LiTaO3,纳米晶粒径为20~80nm。聚合物基体材料:聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚碳酸酯(PC)、和聚酰亚胺类和热塑性聚酰胺酸。可以在聚合时将铁电纳米晶共聚在聚合物内。亦可以将聚合物基体材料溶解在极性溶剂内,再将铁电纳米晶的前体溶液与此溶剂混和,再以甩胶法或浸渍法沉积薄膜。本发明通过将无机的铁电纳米晶和有机聚合物进行复合,既具有较大的电光系数,又具有优异的线性电光品质电光极化聚合物复合薄膜。

    稳定的水溶性的铌和钽前体的制备方法及应用

    公开(公告)号:CN1699186A

    公开(公告)日:2005-11-23

    申请号:CN200410014962.9

    申请日:2004-05-21

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 稳定的水溶性的铌和钽前体的制备方法,使用钽或铌的五氧化物为原料,将五氧化铌或五氧化钽与氢氧化钾或氢氧化钠按摩尔比混合研磨均匀,在400-550℃灼烧反应2-4小时,获得铌酸钾(钠)或钽酸钾(钠)的熔体;将熔体溶于去离子水,过滤后的清液,使溶液呈强酸性(pH<2),使溶液中的铌或钽以铌酸或钽酸形式完全沉淀出来;将铌酸沉淀加入适量的柠檬酸的水溶液或钽酸沉淀加入适量的草酸的水溶液,得到水溶性的铌前体或钽的草酸盐水溶液。本发明用于制备SBN等铁电体前体溶液,利用廉价、稳定的原料,通过一种简便可行的合成路径,获得极其稳定的水溶性的钽或铌的前体。

    外加电场控制胶体粒子自组装及三维光子晶体的制备

    公开(公告)号:CN1358882A

    公开(公告)日:2002-07-17

    申请号:CN01137309.1

    申请日:2001-11-27

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 外加电场控制胶体粒子自组装及三维光子晶体的制备方法:首先对制备的二氧化硅等径微球悬浮液调节pH值4-12,然后通过在微球悬浮液中施加直流外电场,电场强度为50-500V/cm,使带某种特定电荷的微球在外电场的作用下,在平板导电玻璃等平板上定向沉积,从而形成三维周期性排列长程有序结构的模板。本发明可以制备出长程排列有序的三维周期性模板。沉积时间短,效率高,制备的三维周期性排列长程有序结构的模板质量高。

    一种无机-有机杂化纳孔薄膜阻变存储器及其制备方法

    公开(公告)号:CN116261394B

    公开(公告)日:2025-05-23

    申请号:CN202310066764.X

    申请日:2023-01-29

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开了一种具有多级存储功能的无机‑有机杂化纳孔薄膜阻变存储器,属于半导体微电子器件领域,本发明的阻变存储器结构从下往上依次为衬底、活性电极、阻变功能层、惰性电极;所述阻变功能层为无机‑有机杂化纳米多孔薄膜材料。本发明利用分子层沉积和原子层沉积技术来制备具有多级存储功能的无机‑有机杂化纳孔薄膜阻变存储器,所采用的分子层沉积和原子层沉积技术能够与微电子工艺兼容、适合大规模集成。

    一种基于三元半导体金属氧化物的复合薄膜湿度传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN119395102A

    公开(公告)日:2025-02-07

    申请号:CN202411510190.1

    申请日:2024-10-28

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于三元半导体金属氧化物的复合薄膜湿度传感器及其制备方法,属于半导体传感器领域,本发明在绝缘衬底上利用原子层沉积技术制备Sn‑Ti‑Zn‑O三元半导体金属氧化物薄膜,在无需贵金属催化剂辅助情况下,获得灵敏度高、响应/恢复迅速、量程较宽、稳定性好的薄膜型湿度传感器,解决了常见湿度传感器响应/恢复时间长的问题;本发明湿度传感器结构简单,制备工艺与微电子工艺兼容,适于多场合下湿度监测使用,而且传感器成本也明显降低。

    一种无机-有机杂化纳孔薄膜阻变存储器及其制备方法

    公开(公告)号:CN116261394A

    公开(公告)日:2023-06-13

    申请号:CN202310066764.X

    申请日:2023-01-29

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开了一种具有多级存储功能的无机‑有机杂化纳孔薄膜阻变存储器,属于半导体微电子器件领域,本发明的阻变存储器结构从下往上依次为衬底、活性电极、阻变功能层、惰性电极;所述阻变功能层为无机‑有机杂化纳米多孔薄膜材料。本发明利用分子层沉积和原子层沉积技术来制备具有多级存储功能的无机‑有机杂化纳孔薄膜阻变存储器,所采用的分子层沉积和原子层沉积技术能够与微电子工艺兼容、适合大规模集成。

    一种超高灵敏度多巴胺生物传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN111678963B

    公开(公告)日:2021-11-12

    申请号:CN202010576334.9

    申请日:2020-06-22

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开了一种超高灵敏度多巴胺生物传感器及其制备方法,属于生物传感器领域,实现了对多巴胺的快速电化学响应,具有低至0.4pM的检测限,优异选择性,且工艺简单、成本低廉,适合临床诊断和生理功能检测,特别是活体多巴胺静态基础值的测定。本发明的多巴胺生物传感器包括从上至下依次为HfO2超薄膜、导电硅衬底、Al电极;采用与半导体工艺兼容的热ALD或等离子体增强ALD在导电硅基底上低温沉积HfO2超薄膜;再在硅衬底背面蒸镀金属铝以形成良好的电学接触,即获得了多巴胺生物传感器。

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