公开(公告)号：CN107482092A

公开(公告)日：2017-12-15

申请号：CN201710615088.1

申请日：2017-07-26

Applicant: 南京大学扬州光电研究院

Inventor： 徐峰 ,  陈鹏 ,  高峰 ,  汤文景 ,  张琳 ,  华雪梅

IPC: H01L33/04 ,  H01L33/06 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/04

Abstract: 一种395nm短波长紫外LED结构的外延加工方法，属于半导体技术领域，在衬底上以依次外延生长缓冲层、GaN层、InGaN插入层、AlInGaN超晶格模板层和InGaN/AlInGaN多量子阱结构层。其中AlInGaN超晶格模板层由生长20层的短周期InGaN/AlGaN超晶格结构层形成；在生长所述InGaN/AlxInyGa1-x-yN多量子阱结构层时，先在AlInGaN超晶格模板层上生长一层AlxInyGa1-x-yN超晶格势垒层，然后再在AlxInyGa1-x-yN超晶格势垒层上生长一层InGaN势阱层，如此交替地生长AlxInyGa1-x-yN超晶格势垒层和InGaN势阱层，直至最后生长AlxInyGa1-x-yN超晶格势垒层。本发明提升LED量子阱结构内量子效率达到3倍以上。

公开(公告)号：CN103715315A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201310617228.0

申请日：2013-11-29

Applicant: 南京大学扬州光电研究院

Inventor： 徐兆青 ,  陈鹏 ,  谭崇斌 ,  徐洲 ,  张琳 ,  吴真龙 ,  徐峰 ,  高峰 ,  夏群 ,  邵勇 ,  王栾井 ,  宋雪云

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L27/156 ,  H01L33/0066 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/405 ,  H01L33/62 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0066

Abstract: 一种金属反射镜电极高压LED芯片的制备方法，属于半导体照明技术领域，在衬底的GaN基材料上阵列式布置的若干个电性隔离的微晶粒、制备出N台阶、淀积透明绝缘层、制备出P电极和N电极，用于制备P电极的金属蒸镀层覆盖至绝缘层的边缘和微晶粒的侧面；在Si基板上淀积绝缘层，并在绝缘层上蒸镀金属连线及用来倒装键合的凸点；将制得的GaN芯片倒装在以上Si基板上，其中阵列式布置的微晶粒与Si基板上的金属连线和凸点电性连接。本发明的P电极既具有电极功能，又具有反射镜的功能，因此采用在透明的绝缘层上进行的P电极上蒸镀的金属面积需要做到尽量大，可使金属反射镜面积可达到芯片发光面积的90%以上。