一种含氮半导体石墨的制备方法

    公开(公告)号:CN109437185B

    公开(公告)日:2022-03-04

    申请号:CN201811528875.3

    申请日:2018-12-13

    Applicant: 华侨大学

    Inventor: 李四中

    Abstract: 本发明公开了一种含氮半导体石墨的制备方法,本发明使石墨在2000‑3000℃的温度环境中进行热处理,石墨烯面内的碳原子活泼性大大增加,含氮的氮源在高温下其中氮元素在浓度梯度的驱动下扩散至石墨颗粒,且氮的原子直径和碳原子直径差别不大,在高温下氮原子将碳原子替代,实现了氮原子的替代性掺杂,得到氮元素原位替代掺杂的半导体石墨。

    一种硼掺杂半导体石墨烯的制备方法

    公开(公告)号:CN109399625B

    公开(公告)日:2021-10-01

    申请号:CN201811394561.9

    申请日:2018-11-21

    Applicant: 华侨大学

    Inventor: 李四中

    Abstract: 本发明公开了一种硼掺杂半导体石墨烯的制备方法,本发明中硼纤维加热后碳源气体硼纤维表面沉积生成碳/石墨,在进一步的高温加热处理过程中硼纤维中的硼元素在浓度梯度的驱动下扩散至热解碳/石墨,且硼的原子直径和碳原子直径相差较小,硼原子将碳原子替代,可以实现硼原子的替代性掺杂,得到硼元素原位替代掺杂石墨,进一步处理后得到硼掺杂半导体石墨烯。

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