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公开(公告)号：CN114016138A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111273889.7
申请日：2021-10-29
Applicant: 华中科技大学
IPC: C30B29/54 , C30B7/14 , C30B7/08 , C07C279/02 , C07C257/14 , C07C257/12 , C07C211/07 , C07C211/04
Abstract: 本发明属于二维钙钛矿单晶材料领域，公开了一种高质量二维或准二维层状钙钛矿单晶材料及其制备，其通式为(L)2(A)n‑1BnX3n+1，其中，L为正丙基胺根离子(C3H7NH3+)、异丙基胺根离子(C3H7NH3+)、正丁基胺根离子(C4H9NH3+)、正戊基胺根离子(C5H11NH3+)、正己基胺根离子(C6H13NH3+)、苯甲基胺根离子(C6H5CH2NH3+)、苯乙基胺根离子(C6H5CH2CH2NH3+)中的至少一种。本发明通过对二维或准二维钙钛矿单晶材料的内部组成及细节结构进行改进，引入特定的L这一有机间隔离子，能够大大扩充ABX3型钙钛矿材料中A位离子的种类选择范围，克服容忍因子t的限制，大大丰富有机‑无机杂化钙钛矿材料的种类。
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公开(公告)号：CN110171842B
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN201910306815.5
申请日：2019-04-17
Applicant: 华中科技大学
IPC: C01G19/02 , H01L31/0216 , H01L33/12 , H01L33/14 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种混合价态锡基氧化物半导体材料的制备方法及应用，将四价锡盐和二价锡盐按照预设摩尔比例溶于水中，加入沉淀剂进行沉淀；进行离心分离和去离子水清洗；将产物置于水热反应装置中，加入矿化剂，并加水分散经水热反应得到锡基氧化物半导体材料纳米晶。所得的锡基氧化物半导体材料可以作为太阳能电池、发光二极管、光电探测器和场效应管等光电器件中的载流子传输层或者缓冲层，由于混合价态锡基氧化物组分可调，从而具有载流子迁移率、能带结构、透光率、导电性等半导体材料性能可调的优点，同时本发明制备方法工艺简单，反应条件温和，在光电器件领域对器件的灵活设计与性能优化有着明显的促进作用，有很大的工业化应用前景。
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公开(公告)号：CN110797463B
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN201911042302.4
申请日：2019-10-30
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于钙钛矿太阳能电池领域，更具体地，涉及一种碳对电极钙钛矿太阳能电池及其制备方法。通过结合多孔碳层和导热石墨片的优点，在钙钛矿前驱液填充扩散均匀之后将图案化的导热石墨片附着于溶液表面，经过退火处理后钙钛矿晶体与石墨片通过分子间作用力结合在一起。通过添加的导热石墨片，一方面利用石墨片优异的电学性能降低整个碳对电极的方块电阻，另一方面，利用导热石墨片膜优异的热传导性能，将其与太阳能电池结构之外的导热材料连接，不仅使得太阳能电池温度分布更加均匀，而且可有效降低钙钛矿太阳能电池在工作时的温度，减小高温给钙钛矿太阳能电池带来的不利影响。
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公开(公告)号：CN110350093A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201810313355.4
申请日：2018-04-08
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L51/48
Abstract: 本发明公开了一种基于熔融法制备太阳能电池吸光层的方法及其应用，其中吸光层的制备方法为：在衬底上依次制备透明导电层、电荷传输层、绝缘层和碳对电极层；将半导体吸光材料置于碳对电极层表面后，通过加热使得半导体吸光材料达到熔点熔化，进而依次渗透进入碳对电极层、绝缘层和电荷传输层；或将半导体吸光材料溶解填充只三层介孔膜结构中，烘干后加热使得该半导体吸光材料达到熔点熔化退火处理。所述半导体吸光材料的熔点小于450℃。本发明工艺简单、不使用有毒溶剂、环境友好。
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公开(公告)号：CN107591486B
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201710728543.9
申请日：2017-08-18
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明公开了一种有机无机杂化钙钛矿半导体材料及其制备方法，制备方法包括：将(A1)x(A2)1‑xB(X1)y(X2)3‑y溶解在有机溶剂中，得到钙钛矿前驱体溶液，其中，0≤x≤1，0≤y≤3，A1为一价有机阳离子或一价无机阳离子，A2为一价有机阳离子或一价无机阳离子，B为二价金属阳离子，X1为一价阴离子，X2为一价阴离子；向钙钛矿前驱体溶液中加入体积百分比为10％～50％的助溶剂，经过退火得到有机无机杂化钙钛矿半导体材料。本发明通过在钙钛矿前驱液中添加助溶剂，大幅度地提升了钙钛矿材料在溶剂中的溶解度，在制备钙钛矿材料的过程中，有效减少了溶剂的使用量，同时本发明公开的方法所制备的钙钛矿材料还具有缺陷态密度小，荧光寿命长的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109753678A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201811370674.5
申请日：2018-11-17
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种校准太阳能电池伏安特性曲线的方法，包括以下步骤：(1)装配带有不同孔径大小的遮蔽罩；(2)对太阳能电池进行伏安特性曲线的测试，以遮蔽罩孔径面积为测试面积，计算得到短路电流密度数值；(3)处理得出多对孔径倒数-短路电流密度值；(4)对多对孔径倒数-短路电流密度值进行二次曲线拟合得到函数关系，其中的零阶拟合函数常数即为有效短路电流密度，从而得到校准后的短路电流密度。本发明通过建立孔径倒数与短路电流密度值两者拟合的函数关系，可校准得到有效短路电流密度值，有效减小遮蔽罩上孔的边缘效应对太阳能电池伏安特性曲线测试造成的误差，从而解决伏安特性曲线测试结果不准的技术问题。
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公开(公告)号：CN109103337A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201810771232.5
申请日：2018-07-13
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种以碘铅甲脒作为太阳能电池吸光层的工艺及其应用，该太阳能电池吸光层具体为含碘铅甲脒组分的钙钛矿，其制备方法具体是(1)制备介孔结构；(2)含FAPbI3碘铅甲脒钙钛矿的前驱液的配制：将包括PbI2、FAI、CsI等在内的原料按化学剂量比配比，然后溶解在溶剂中，搅拌均匀，获得澄清透明的前驱液；(3)将前驱液填充于介孔结构中，静置，然后在溶剂氛围下退火即可得到内部含有碘铅甲脒的结构。本发明通过在溶剂蒸气辅助下的退火处理，溶剂的蒸汽辅助在抑制碘甲脒(FAI)等的挥发的同时可减缓结晶，能够使得FAPbI3在介孔膜结构中被稳定在黑色相。
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公开(公告)号：CN109088003A
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201810771511.1
申请日：2018-07-13
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于钙钛矿功能器件领域，具体公开了一种基于单晶转移法制备太阳能电池吸光层的方法及其应用，其中内部含有钙钛矿材料的结构的制备方法包括以下步骤：(1)制备钙钛矿材料的单晶粉末；(2)制备介孔结构；(3)将单晶粉末置于介孔结构的表面，通入甲胺气使单晶粉末转变为液态中间相，静置使液态中间相渗透进入介孔结构；(4)通入氩气或氮气，使甲胺气排出，辅助使介孔结构内部的液态中间相转变为固态的钙钛矿材料。本发明通过对内部含有钙钛矿材料的结构的制备方法其整体流程工艺设计，利用钙钛矿材料在甲胺气、不含甲胺气的气氛下发生相态作用，可实现钙钛矿单晶转移，并可有效提高钙钛矿太阳能电池器件的性能。
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公开(公告)号：CN107591486A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201710728543.9
申请日：2017-08-18
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明公开了一种有机无机杂化钙钛矿半导体材料及其制备方法，制备方法包括：将(A1)x(A2)1-xB(X1)y(X2)3-y溶解在有机溶剂中，得到钙钛矿前驱体溶液，其中，0≤x≤1，0≤y≤3，A1为一价有机阳离子或一价无机阳离子，A2为一价有机阳离子或一价无机阳离子，B为二价金属阳离子，X1为一价阴离子，X2为一价阴离子；向钙钛矿前驱体溶液中加入体积百分比为10％～50％的助溶剂，经过退火得到有机无机杂化钙钛矿半导体材料。本发明通过在钙钛矿前驱液中添加助溶剂，大幅度地提升了钙钛矿材料在溶剂中的溶解度，在制备钙钛矿材料的过程中，有效减少了溶剂的使用量，同时本发明公开的方法所制备的钙钛矿材料还具有缺陷态密度小，荧光寿命长的优点。
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公开(公告)号：CN107015087A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201710348378.4
申请日：2017-05-17
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01R31/00
CPC classification number: G01R31/00
Abstract: 本发明公开了一种光电器件的电容性能检测方法，该方法包括：确定测试电压，所述测试电压用于测试光电器件的电容性能，所述测试电压为从起始电压开始，连续上升至终止电压，随即所述测试电压从所述终止电压开始，连续下降至起始电压结束，所述测试电压上升的速率和下降的速率相同；将所述测试电压加载至光电器件的两端，根据测试电流和测试电压的变化关系确定所述光电器件的电容性能，所述测试电流为在所述测试电压连续变化的过程中所述光电器件上流过的电流，所述光电器件置于没有光照的环境中。本发明通过测试电压连续变化，并且通过改变测试电压的上升或下降速率，准确反映了光电器件的电容性能。
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