公开(公告)号：CN201259748Y

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200820109619.6

申请日：2008-08-01

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 田跃 ,  李杰 ,  黄筱玲 ,  赵雪丹 ,  裴屹杰 ,  李紫玥 ,  李申 ,  周义勇 ,  邱宏 ,  陈毅平 ,  廖佳

IPC: G09B23/18

Abstract: 一种磁场特性、磁敏元件综合教学实验仪器，属于仪器仪表领域。其特征是整个实验仪由主实验箱(1)、专用弱磁检测亥姆霍兹线圈检测台(2)、机箱仪表前面板(7)、信号联结侧面板(8)、仪表箱内配线线路板(9)组成；主实验箱(1)包括电磁铁强磁场特性感应敏感元件特性研究部分(3)和磁路特性研究两部分；磁路特性研究部分包括磁集束特性研究部分(4)、U型磁路特性研究部分(5)、E型磁路特性研究部分(6)。本实用新型将当代科学研究的前沿技术转化为基础教学中的研究性实验，为实验者提供进行磁场特性分析、磁路特性分析、磁集束特性分析和多种磁敏感元件特性分析方面的学习型与研究型实验。

公开(公告)号：CN2641647Y

公开(公告)日：2004-09-15

申请号：CN03200903.8

申请日：2003-01-14

Applicant: 北京科技大学 ,  北京科大天宇微电子材料技术开发有限公司 ,  北京中科科仪技术发展有限责任公司

Inventor： 黄筱玲 ,  田跃 ,  邱宏 ,  李杰 ,  王凤平 ,  吴平 ,  潘礼庆 ,  罗胜 ,  刘亚琪 ,  李祥林 ,  党彦军

IPC: G01N27/04 ,  C23C14/38 ,  C23C14/52

Abstract: 本实用新型提供了一种薄膜生长过程原位动态特性监测实验装置。由真空控制部分、直流溅射镀膜部分和测量部分组成。其真空控制部分由机械泵、真空测量规和真空度显示仪表组成；直流溅射镀膜部分由镀膜用的靶材、安放衬底的衬底架和直流溅射电源组成。镀膜用的靶材和安放衬底的衬底架放置在直流溅射镀膜室中；测量部分由用于同衬底的电流输入电极相连接的电流输入接头、用于同衬底的电压输出电极相连接的电压输出接头、恒流源、电流表和电压表组成。衬底上将预先制备有电流输入电极和电压输出电极，二者的相对位置是：电流输入电极在外侧，电压输出电极在内侧。优点是：清楚地反映薄膜生长过程的动态特性，价格低廉、操作简单。

公开(公告)号：CN2630798Y

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：CN03236973.5

申请日：2003-01-30

Applicant: 北京科大天宇微电子材料技术开发有限公司 ,  北京科技大学

Inventor： 田跃 ,  邱宏 ,  鲁武军 ,  周怀安 ,  黄筱玲 ,  梁栋 ,  潘礼庆 ,  吴平 ,  王风平

IPC: G01D5/243

Abstract: 本实用新型提供了一种采用自旋阀或金属多层膜巨磁电阻薄膜为敏感材料，由巨磁电阻敏感元件芯片(1)、多极充磁的塑料粘接永磁体磁鼓(2)、信号处理电路的线路板(3)及连接固定机械结构(4)构成。将巨磁电阻敏感元件芯片与磁鼓保持一定间隙、沿圆型磁鼓的径向安装。随着磁鼓的转动，巨磁电阻敏感元件芯片感受到磁鼓具有的磁场强弱的变化，并转变成电桥输出电压的变化。经过信号处理，变成高低电位变化的矩形方波脉冲输出信号，构成轴输出、孔输出和与电动机一体化的磁编码器。其优点是提高磁编码器的灵敏度、温度稳定性，信噪比大，易于后续电信号处理和低成本化。