公开(公告)号：CN1356531A

公开(公告)日：2002-07-03

申请号：CN01134692.2

申请日：2001-11-13

Applicant: 北京科大天宇微电子材料技术开发有限公司 ,  北京科技大学

Inventor： 潘礼庆 ,  田跃 ,  邱宏 ,  王凤平 ,  吴平 ,  黄筱玲 ,  鲁武军 ,  周怀安

IPC: G01D5/249

Abstract: 本发明提供了一种使用磁隧道结磁敏电阻芯片的磁编码器。其特征在于:磁编码器由敏感元件磁隧道结磁敏电阻芯片(15)和被充磁的磁鼓(16)构成,磁隧道结磁敏电阻芯片(15)中的磁敏电阻感应部分(10)与磁鼓(16)之间的距离为10微米－1毫米;磁隧道结磁敏电阻芯片(15)由基片(1)、在基片(1)上生成的能够产生偏置磁场的部分(5)以及在能够产生偏置磁场的部分(5)上生成的磁敏电阻感应部分(10)组成;本发明的优点是提高磁编码器的灵敏度、温度稳定性,减少其信号处理电路。

公开(公告)号：CN2630798Y

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：CN03236973.5

申请日：2003-01-30

Applicant: 北京科大天宇微电子材料技术开发有限公司 ,  北京科技大学

Inventor： 田跃 ,  邱宏 ,  鲁武军 ,  周怀安 ,  黄筱玲 ,  梁栋 ,  潘礼庆 ,  吴平 ,  王风平

IPC: G01D5/243

Abstract: 本实用新型提供了一种采用自旋阀或金属多层膜巨磁电阻薄膜为敏感材料，由巨磁电阻敏感元件芯片(1)、多极充磁的塑料粘接永磁体磁鼓(2)、信号处理电路的线路板(3)及连接固定机械结构(4)构成。将巨磁电阻敏感元件芯片与磁鼓保持一定间隙、沿圆型磁鼓的径向安装。随着磁鼓的转动，巨磁电阻敏感元件芯片感受到磁鼓具有的磁场强弱的变化，并转变成电桥输出电压的变化。经过信号处理，变成高低电位变化的矩形方波脉冲输出信号，构成轴输出、孔输出和与电动机一体化的磁编码器。其优点是提高磁编码器的灵敏度、温度稳定性，信噪比大，易于后续电信号处理和低成本化。

公开(公告)号：CN201259748Y

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200820109619.6

申请日：2008-08-01

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 田跃 ,  李杰 ,  黄筱玲 ,  赵雪丹 ,  裴屹杰 ,  李紫玥 ,  李申 ,  周义勇 ,  邱宏 ,  陈毅平 ,  廖佳

IPC: G09B23/18

Abstract: 一种磁场特性、磁敏元件综合教学实验仪器，属于仪器仪表领域。其特征是整个实验仪由主实验箱(1)、专用弱磁检测亥姆霍兹线圈检测台(2)、机箱仪表前面板(7)、信号联结侧面板(8)、仪表箱内配线线路板(9)组成；主实验箱(1)包括电磁铁强磁场特性感应敏感元件特性研究部分(3)和磁路特性研究两部分；磁路特性研究部分包括磁集束特性研究部分(4)、U型磁路特性研究部分(5)、E型磁路特性研究部分(6)。本实用新型将当代科学研究的前沿技术转化为基础教学中的研究性实验，为实验者提供进行磁场特性分析、磁路特性分析、磁集束特性分析和多种磁敏感元件特性分析方面的学习型与研究型实验。

公开(公告)号：CN209916310U

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201821139245.2

申请日：2018-07-18

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 田跃 ,  张波 ,  鞠亚坤 ,  裴屹杰

IPC: A61F5/01 ,  A61H23/02 ,  A61H39/04 ,  A61N2/12 ,  G08B6/00 ,  G08B7/06 ,  G08B21/10 ,  G08B21/18

Abstract: 本实用新型提供一种智能矫姿理疗装置，属于保健设备技术领域。该装置包括骨板、骨板固定带、形变敏感元件、微处理器、报警器和震动针刺仪或振动永磁体。其中，骨板为工字型，通过骨板固定带的锁定结构，将骨板固定为整体。骨板的上横板两端和下横板中部或中立板下部，分别放置形变敏感元件，当使用者脊椎变形偏离人体正确姿势造成绑缚人体上的骨板产生微小形变或弯曲时，形变敏感元件给出电信号，经过微处理器编程处理和电路控制，给出声音、光电、震动、无线传输报警信号给予警示。骨板的上横板两端和下横板两端均设置震动针刺仪或振动永磁体。该装置能够有效的智能校正矫姿，并能够起到按摩理疗的作用。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN2641647Y

公开(公告)日：2004-09-15

申请号：CN03200903.8

申请日：2003-01-14

Applicant: 北京科技大学 ,  北京科大天宇微电子材料技术开发有限公司 ,  北京中科科仪技术发展有限责任公司

Inventor： 黄筱玲 ,  田跃 ,  邱宏 ,  李杰 ,  王凤平 ,  吴平 ,  潘礼庆 ,  罗胜 ,  刘亚琪 ,  李祥林 ,  党彦军

IPC: G01N27/04 ,  C23C14/38 ,  C23C14/52

Abstract: 本实用新型提供了一种薄膜生长过程原位动态特性监测实验装置。由真空控制部分、直流溅射镀膜部分和测量部分组成。其真空控制部分由机械泵、真空测量规和真空度显示仪表组成；直流溅射镀膜部分由镀膜用的靶材、安放衬底的衬底架和直流溅射电源组成。镀膜用的靶材和安放衬底的衬底架放置在直流溅射镀膜室中；测量部分由用于同衬底的电流输入电极相连接的电流输入接头、用于同衬底的电压输出电极相连接的电压输出接头、恒流源、电流表和电压表组成。衬底上将预先制备有电流输入电极和电压输出电极，二者的相对位置是：电流输入电极在外侧，电压输出电极在内侧。优点是：清楚地反映薄膜生长过程的动态特性，价格低廉、操作简单。