-
公开(公告)号：CN102569813B
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201210009216.5
申请日：2012-01-12
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种锂离子电池氧化钼碳复合负极材料的制备方法，属于新材料和电化学领域，所要解决的问题是提供一种较高比容量以及较高首次库仑效率的复合电极材料以及经济可行的制备工艺。以四水钼酸铵为原料，柠檬酸、硝酸、氨水为氧化还原剂，加入碳源，采用自蔓延低温燃烧的方法，制备出MoO3-C纳米颗粒，然后通过高温热处理，使碳源裂解，得到MoO3-C复合材料。本发明的优点在于原料成本低，工艺过程简单，耗时少，产率高。此方法制备的MoO3-C复合材料颗粒细小，粒径、成分分布均匀，具有较高的首次效率及较好的循环稳定性，能够发挥MoO3、C各自的优势，是一种理想的锂离子电池复合负极材料，可广泛应用于各种便携式电子设备、电动汽车以及航空航天等领域。
-
公开(公告)号：CN103107351A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201310042846.7
申请日：2013-02-02
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01M8/10
CPC classification number: Y02E60/525
Abstract: 一种促进硅基磷灰石电解质材料致密化的方法，属于固体氧化物燃料电池领域。本发明采用化学共沉淀法，通过引入分散剂，降低粉体颗粒度，有效促进硅基磷灰石电解质材料的致密化，在同等温度下烧结可提高致密度5％以上。本发明的优点在于材料制备工艺简单、制备的材料粉体颗粒细小均匀、致密化温度低，可以有效的解决用传统固相法合成时难以烧结致密的问题。
-
公开(公告)号：CN102723473A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201210216073.5
申请日：2012-06-26
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01M4/48
Abstract: 本发明公开了一种锂离子电池负极材料的制备方法，属于新材料和电化学领域，所要解决的问题是提供一种较高比容量以及良好循环稳定性的锂离子电池电极材料以及经济可行的制备工艺。本发明以硝酸锂、硝酸钴和钛酸四丁酯为原料，硝酸和氨水为pH值调节剂，采用柠檬酸自燃烧法结合热处理的方法，制备出Li2CoTi3O8纳米颗粒。本发明的优点在于原料成本低，工艺过程简单，耗时少，产率高。此方法制备的Li2CoTi3O8材料颗粒细小，粒径、成分分布均匀，具有较高的容量特性和循环稳定性，是一种理想的锂离子电池负极材料，可广泛应用于各种便携式电子设备、电动汽车以及航空航天等领域。
-
公开(公告)号：CN102593467A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210055496.3
申请日：2012-03-05
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种高电导率双钙钛矿型阳极材料及其制备方法，属固体氧化物燃料电池领域，通过对双钙钛矿型（A2BB′O6）固体氧化物燃料电池阳极材料Sr2MgMoO6的B位进行Y的掺杂而形成一种双钙钛矿结构的混合导体。将B位掺杂的Sr2Mg1-xYxMoO6(x=0.1-0.2)的粉体在一定的压力下压制成试样条，在空气气氛下高温烧结，还原条件下还原后进行电导率的测量，其电导率比掺杂前提高了5.8倍（x=0.2）。同时制备了多孔薄膜型Sr2Mg1-xYxMoO6(x=0.1-0.2)阳极材料，该材料与电解质GDC、LSGM具有较好的结合性和化学相容性，且具有比传统的阳极材料Ni/YSZ更高的抗碳沉积和硫中毒能力。
-
公开(公告)号：CN102054992A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN201010562547.2
申请日：2010-11-23
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种高电导率双钙钛矿型阳极材料及其制备方法，属燃料电池领域。本发明方法是通过对双钙钛矿型(A2BB′O6)固体氧化物燃料电池阳极材料Sr2MgMoO6的B位进行Co的掺杂而形成一种双钙钛矿结构的混合导体。将B位掺杂的Sr2Mg1-xCoxMoO6(x＝0.1-0.7)粉体在一定的压力下压制成试样条，在空气气氛下高温烧结，然后在低氧条件下进行还原，随后进行电导率的测量，其电导率比掺杂前提高了13.5倍(x＝0.7)，这将有助于电极工作特性的改善。同时，制备了多孔的Sr2Mg1-xCoxMoO6，该多孔阳极具有很好的强度，能作为阳极支撑电池的基底，该材料与电解质GDC、LSGM具有良好的化学相容性，并且具有比传统的阳极材料Ni/YSZ更高的抗碳沉积和硫中毒能力。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117819589A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410011622.8
申请日：2024-01-04
Applicant: 北京科技大学
IPC: C01F17/241 , H01M8/126 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01F17/10
Abstract: 本发明涉及一种氧化钆掺杂氧化铈材料(GDC)制备方法，包括以下步骤：配制苯甲酸铵沉淀剂溶液及硝酸盐原料溶液；将所述苯甲酸铵沉淀剂溶液及硝酸盐原料溶液混合，并进行搅拌，将所得沉淀物进行多次抽滤洗涤，然后烘干得到纤维棒状的前驱体粉体；将前驱粉体研磨破碎并进行煅烧，得到淡黄色的GDC纯相粉体；将GDC纯相粉体置于球磨罐中，与液体介质及钙盐溶液混合，进行球磨，而后进行热处理，使得钙盐溶剂充分分解成纳米氧化钙，并包覆在GDC纯相粉体表面，最终得到纳米氧化钆掺杂氧化铈材料；其中，氧化钙的添加量控制在2wt％以内。
-
公开(公告)号：CN106450296B
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201610874891.2
申请日：2016-09-30
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01M4/58 , H01M10/0525 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种(101)晶面择优生长的SnS2纳米片负极材料的制备方法。本研究以无机锡盐为锡源，以有机硫化物为硫源，以聚乙二醇为添加剂，通过简单的溶剂热法一步制备出以(101)晶面择优生长的SnS2纳米片。这些以(101)晶面为裸露表面的纳米片，在充放电过程中可以提供充足的电化学活性位点，缩短锂离子的扩散路径，加快电化学反应动力学，从而使得电极的倍率性能优异。本发明的优点在于(101)晶面择优生长的SnS2纳米片的制备工艺简单易行，并可以应用到其他层状物质的择优生长。此方法制备的(101)晶面择优生长的SnS2纳米片具有优异的倍率性能，是一种潜在的高性能锂离子电池负极材料，有望广泛应用于各种便携式电子设备、电动汽车以及航空航天等领域。
-
公开(公告)号：CN109437882A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811419252.2
申请日：2018-11-26
Applicant: 北京科技大学
IPC: C04B35/40 , C04B35/622 , B01D53/22
Abstract: 本发明属无机膜材料领域，涉及一种A位掺杂La元素、B位掺杂Cu元素的BaFeO3-δ基陶瓷透氧膜材料及其制备方法。Ba0.975La0.025FeO3-δ的B位掺杂Cu元素，材料的化学分子式为Ba0.975La0.025Fe1-xCuxO3-δ，其中0.05
-
公开(公告)号：CN108649235A
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201810368928.3
申请日：2018-04-23
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种A位层状钙钛矿型电极材料及其制备方法，属于固体氧化物燃料电池技术领域。本发明利用A位层状钙钛矿氧化物的高氧离子电导特性、B位Mn离子的多价态和抗还原特性，合成制备结构稳定、电化学性能优良的对称电极材料。通过B位过渡金属离子(Fe、Co、Ni)的掺杂，进一步调控材料的催化活性。电极材料的分子式为：LnBaMn2-xMxO5+δ，其中Ln＝Sm、Gd、Nd，M＝Mn、Fe、Co、Ni，0≤x≤2，0≤δ≤1。电极材料分为致密型电极材料和多孔薄膜型电极材料。A位离子的存在，为材料提供了充足的氧空位浓度，有助于材料离子电导率的提高；所选过渡金属元素，其低价特征和较低金属-氧健强特征，可进一步增加晶格中氧空位浓度。同时，这些元素的d电子特征，又可强化材料的催化活性。
-
公开(公告)号：CN102617139B
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201210057621.4
申请日：2012-03-06
Applicant: 北京科技大学
IPC: C04B35/47 , C04B35/626 , H01M4/86
Abstract: 一种钛酸锶镧基粉体材料的制备方法，属于燃料电池领域。本方法采用柠檬酸-硝酸盐自燃烧法，以柠檬酸为络合剂以及还原剂，硝酸为氧化剂，通过原位引入助烧剂硝酸铵，同金属硝酸盐溶于去离子水中，再加入钛酸四丁酯的柠檬酸溶液形成均匀透明的溶液，再水浴加热除去多余水分，形成均匀溶胶，然后将溶胶于马弗炉内加热直至自燃烧形成非常蓬松的前躯体粉末。然后研磨，再于电炉中煅烧得到单一钛酸锶镧基阳极粉体。优点是合成工艺简单、成本低、粉体颗粒细小均匀、材料成相温度低。本方法同样适用于钛酸锶基纳米粉体的合成制备。可用于固体氧化物燃料电池阳极粉体材料的实验室合成及工业生产。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
44
records
(took 0.019 seconds)
