公开(公告)号：CN115911011A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202211405501.9

申请日：2022-11-10

Applicant: 北京智慧能源研究院

Inventor： 魏晓光 ,  杜玉杰 ,  王亮 ,  林仲康 ,  代安琪 ,  王磊 ,  唐新灵

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/495 ,  H01L23/498

Abstract: 本发明提供的功率半导体器件串联均压结构及功率半导体器件，多级串联功率芯片结构的第一端固定至所述第一极性金属板的第一侧面上；所述多级串联均压回路结构的第一端固定至所述第一极性金属板的第一侧面上；所述多级串联功率芯片结构的第二端与所述多级串联均压回路结构的第二端固定连接。本发明通过在器件内部完成器件的串联，并集成均压回路，提高了模块的功率密度和集成度，并提升了可靠性。

公开(公告)号：CN115799085A

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202211426344.X

申请日：2022-11-15

Applicant: 北京智慧能源研究院 ,  国网北京市电力公司

Inventor： 代安琪 ,  金锐 ,  王亮 ,  王磊 ,  唐新灵 ,  林仲康 ,  马慧远 ,  陈巍

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明公开了一种绝缘灌封方法及功率半导体器件，该方法包括：在待灌封样品表面形成涂覆层；在待灌封样品形成涂覆层的表面进行第一层灌封，第一层灌封包括第一灌胶和第一脱气处理，第一脱气处理包括多次真空和正压处理；在待灌封样品进行第一层灌封后的表面进行第二层灌封。通过实施本发明，对待灌封样品构建了三道保护防线，其中，形成的涂覆层能够降低局放起始电压，第一层灌封能够对待灌封样品进行绝缘保护，第二层灌封起到支撑和导热作用，同时能够更好的隔绝外部环境水汽，提高器件可靠性。并且，在进行第一层灌封时，第一脱气处理采用真空和正压反复处理，能够通过改变气体的逃逸系数，促使气泡排除/破裂，从而实现无缺陷灌封。

公开(公告)号：CN115621232B

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202211405492.3

申请日：2022-11-10

Applicant: 北京智慧能源研究院

Inventor： 林仲康 ,  魏晓光 ,  唐新灵 ,  王亮 ,  杜玉杰 ,  周扬 ,  王磊

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/495

Abstract: 本发明提供一种功率半导体器件封装结构和功率半导体器件模块。功率半导体器件封装结构包括：第一压接电极模块、功率芯片、第二压接电极模块、衬板和弹性电极；衬板设置于第一电极一侧表面，绝缘板与功率芯片位于第一电极相同一侧表面；芯片第二电极和芯片第三电极分别电性连接至不同的衬板；弹性电极一端适于弹性连接衬板中的一个，另一端连接器件第二电极或器件第三电极；弹性电极适于沿第二压接电极模块向第一压接电极模块的方向弹性伸缩；第一压接电极模块和第二压接电极模块适于通过施加外力相向运动，通过弹性电极的弹性形变实现与功率芯片的电性导通。

公开(公告)号：CN115910985A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202211405522.0

申请日：2022-11-10

Applicant: 北京智慧能源研究院

Inventor： 魏晓光 ,  唐新灵 ,  林仲康 ,  王亮 ,  代安琪 ,  杜玉杰 ,  石浩 ,  韩荣刚 ,  周扬 ,  王磊 ,  孙帅

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/495 ,  H01L23/367 ,  H01L23/24 ,  H01L23/64

Abstract: 本发明公开了一种功率半导体模块，包括：栅极PCB板和多个并联的子模组，每个子模组包括半导体芯片和栅极引出端，栅极PCB板包括驱动连接单元，栅极引出端的一端连接半导体芯片的栅极；栅极PCB板上设置有多个与栅极引出端的另一端电连接的栅极触点，多个栅极触点通过多个第一布线层与驱动连接单元连接，流经多个第一布线层的电流路径一致。通过实施本发明，使得驱动端至各栅极触点的电流路径一致，实现了栅极寄生参数均衡化，从而有效提升了模块内部并联模组间电流的均流能力，提升了模块整体的安全工作区。并且均流能力的提升，能够在增加并联子模组的同时，提升其安全可靠性。

公开(公告)号：CN115910935A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202211330318.7

申请日：2022-10-27

Applicant: 北京智慧能源研究院 ,  国网江西省电力有限公司 ,  国网江西省电力有限公司吉安供电分公司

Inventor： 周扬 ,  王磊 ,  代安琪 ,  唐新灵 ,  林仲康 ,  王亮 ,  杜玉杰 ,  支妍力 ,  曾萍

IPC: H01L23/10 ,  H01L23/14 ,  H01L23/18 ,  H01L21/50

Abstract: 本发明提供一种功率半导体器件绝缘封装结构及绝缘封装方法，功率半导体器件绝缘封装结构包括：导电底板；位于导电底板一侧的绝缘层；位于绝缘层背离导电底板的一侧表面的导电层；位于导电底板的一侧表面的壳体，壳体与导电底板形成容置空间，功率半导体器件、绝缘层以及导电层均位于容置空间内；填充容置空间的绝缘填充介质，绝缘层与绝缘填充介质的接触区域的介电常数与绝缘填充介质的介电常数的差值为0～1，介电常数的差异较小能够改善电场分布，从而避免了由于接触位置的电场集中而发生局部放电，降低了绝缘层被击穿的风险，提高了功率半导体器件绝缘封装结构的绝缘性。

公开(公告)号：CN115621232A

公开(公告)日：2023-01-17

申请号：CN202211405492.3

申请日：2022-11-10

Applicant: 北京智慧能源研究院

Inventor： 林仲康 ,  魏晓光 ,  唐新灵 ,  王亮 ,  杜玉杰 ,  周扬 ,  王磊

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/495

Abstract: 本发明提供一种功率半导体器件封装结构和功率半导体器件模块。功率半导体器件封装结构包括：第一压接电极模块、功率芯片、第二压接电极模块、衬板和弹性电极；衬板设置于第一电极一侧表面，绝缘板与功率芯片位于第一电极相同一侧表面；芯片第二电极和芯片第三电极分别电性连接至不同的衬板；弹性电极一端适于弹性连接衬板中的一个，另一端连接器件第二电极或器件第三电极；弹性电极适于沿第二压接电极模块向第一压接电极模块的方向弹性伸缩；第一压接电极模块和第二压接电极模块适于通过施加外力相向运动，通过弹性电极的弹性形变实现与功率芯片的电性导通。