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公开(公告)号：CN111293219A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN202010130112.4
申请日：2020-02-28
Applicant: 北京大学
Inventor： 刘力锋 , 王泽昊 , 马跃驰 , 于傲 , 丁向向 , 冯玉林 , 张兴
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明实施例提供一种阻变存储器件，包括依次层叠设置的第一电极层、绝缘介质层、阻变层、氧存储层和第二电极层，其中，所述阻变层包括多个子阻变层。本发明实施例提供的阻变存储器件，通过设置具有多个子阻变层的阻变层，在多个相互贴合的子阻变层之间形成局部导电细丝，能够提供均匀可靠的高低阻态，使得阻变存储器件拥有良好的均匀性和可靠性。
