公开(公告)号：CN102402117B

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201110348752.3

申请日：2011-09-09

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  凸版印刷株式会社

Inventor： 吉川博树 ,  稻月判臣 ,  小板桥龙二 ,  金子英雄 ,  原口崇 ,  小岛洋介 ,  广濑智一

IPC: G03F1/50 ,  G03F1/32 ,  G03F1/72 ,  G03F1/48

CPC classification number: G03F1/72 ,  G03F1/32 ,  G03F1/48 ,  G03F1/50

Abstract: 本发明涉及一种光掩模坯料和制造方法、光掩模、光图案曝光方法和过渡金属/硅基材料膜的设计方法。本发明特别涉及一种光掩模坯料，其具有过渡金属/硅基材料的膜，该过渡金属/硅基材料包含过渡金属、硅、氧和氮，具有至少3原子％的氧含量，并满足式：4×CSi/100-6×CM/100＞1，其中CSi是以原子％计的硅含量和CM是以原子％计的过渡金属含量。

公开(公告)号：CN103135362B

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201210599017.4

申请日：2012-11-21

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  凸版印刷株式会社

Inventor： 吉川博树 ,  稻月判臣 ,  小板桥龙二 ,  金子英雄 ,  小岛洋介 ,  原口崇 ,  广濑智一

IPC: G03F7/20 ,  G03F1/32 ,  G03F1/72

CPC classification number: G03F1/00 ,  G03F1/32 ,  G03F1/60

Abstract: 本发明涉及一种光图案曝光方法，光掩模及光掩模坯料。光图案曝光方法是通过光掩模向抗蚀膜照射ArF准分子激光。光掩模包括透明衬底和包含过渡金属、硅、氮和氧的材料的光学膜的图案，过渡金属、硅、氮和氧的含量在特定范围内。光掩模可被ArF准分子激光以至少10kJ/cm2的累积剂量照射过。

公开(公告)号：CN1973244B

公开(公告)日：2010-05-05

申请号：CN200580020602.2

申请日：2005-04-19

Applicant: 凸版印刷株式会社

Inventor： 小岛洋介 ,  小西敏雄 ,  田中启司 ,  大泷雅央 ,  佐佐木淳

IPC: G03F1/08 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F1/30 ,  G03F1/36

Abstract: 一种Levenson型相移掩模，具有形成在透明衬底上的遮光部分和开口。部分挖掘开口处的透明衬底或者在开口处的透明衬底上部分设置透明膜，以形成移相器开口和非移相器开口。移相器开口和非移相器开口重复存在于掩模中。移相器开口将透射光的相位反相。该Levenson型相移掩模具有从两侧插入在相邻的相同类型的开口之间的遮光部分图案。该遮光部分图案受到偏移修正，相对于通过掩模设计设定的预定设计线宽，所述偏移修正使遮光部分图案以预定量向其两侧扩展。

公开(公告)号：CN101080671A

公开(公告)日：2007-11-28

申请号：CN200580043248.5

申请日：2005-12-02

Applicant: 凸版印刷株式会社

Inventor： 小西敏雄 ,  小岛洋介 ,  根本悟 ,  佐佐木淳 ,  田中启司

IPC: G03F1/08 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F1/30 ,  G03F1/28

Abstract: 一种相移掩模，具备透明基板、和形成在该透明基板上的遮光膜，在上述遮光膜上交替地形成有第1开口部和第2开口部，上述透明基板从上述第2开口部开始被凹入规定的深度，从而形成凹部，通过上述第1及第2开口部的透射光的相位交替地反转，其特征在于，根据上述遮光膜的上述第1开口部的开口端部和第2开口部的开口端部之间的截距，设定上述透射光的相位差。

公开(公告)号：CN110462510A

公开(公告)日：2019-11-15

申请号：CN201880021110.2

申请日：2018-04-02

Applicant: 凸版印刷株式会社

Inventor： 坂本好史 ,  小岛洋介 ,  长友达也

IPC: G03F1/32 ,  G03F1/50 ,  G03F1/80

Abstract: 本发明的目的是提供一种具有良好的晶圆转印特性和耐照射性的光掩模坯料和光掩模。光掩模坯料(200)是为了制作曝光波长193nm的光掩模所使用的光掩模坯料(200)，所述光掩模坯料(200)具备：透光性基板(103)；形成在该透光性基板(103)上且带来相移效应的相移膜(102)，相移膜(102)对曝光光的透光率为30％以上；和形成在该相移膜(102)上的遮光膜(101)。相移膜(102)是通过层叠使用了氮化硅系材料的第1相移膜(102b)、和使用了氮氧化硅系材料的第2相移膜(102a)而构成的，所述第1相移膜(102b)的折射率n1为2.5以上2.75以下，衰减系数k1为0.2以上0.4以下，所述第2相移膜(102a)的折射率n2为1.55以上2.20以下，衰减系数k2大于0且为0.1以下。

公开(公告)号：CN101080671B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200580043248.5

申请日：2005-12-02

Applicant: 凸版印刷株式会社

Inventor： 小西敏雄 ,  小岛洋介 ,  根本悟 ,  佐佐木淳 ,  田中启司

IPC: G03F1/08 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F1/30 ,  G03F1/28

Abstract: 一种相移掩模，具备透明基板、和形成在该透明基板上的遮光膜，在上述遮光膜上交替地形成有第1开口部和第2开口部，上述透明基板从上述第2开口部开始被凹入规定的深度，从而形成凹部，通过上述第1及第2开口部的透射光的相位交替地反转，其特征在于，根据上述遮光膜的上述第1开口部的开口端部和第2开口部的开口端部之间的截距，设定上述透射光的相位差。

公开(公告)号：CN1973244A

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：CN200580020602.2

申请日：2005-04-19

Applicant: 凸版印刷株式会社

Inventor： 小岛洋介 ,  小西敏雄 ,  田中启司 ,  大泷雅央 ,  佐佐木淳

IPC: G03F1/08 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F1/30 ,  G03F1/36

Abstract: 一种Levenson型相移掩模，具有形成在透明衬底上的遮光部分和开口。部分挖掘开口处的透明衬底或者在开口处的透明衬底上部分设置透明膜，以形成移相器开口和非移相器开口。移相器开口和非移相器开口重复存在于掩模中。移相器开口将透射光的相位反相。该Levenson型相移掩模具有从两侧插入在相邻的相同类型的开口之间的遮光部分图案。该遮光部分图案受到偏移修正，相对于通过掩模设计设定的预定设计线宽，所述偏移修正使遮光部分图案以预定量向其两侧扩展。