一种固态工质射频离子电推进系统

    公开(公告)号:CN114320799B

    公开(公告)日:2024-11-01

    申请号:CN202111479371.9

    申请日:2021-12-06

    Abstract: 本申请涉及航天空间推进技术领域,具体而言,涉及一种固态工质射频离子电推进系统,包括固态工质贮供单元、射频离子推力器、电源、以及控制单元,其中:固态工质贮供单元与射频离子推力器通过气体分配网连接;电源分别与固态工质贮供单元和射频离子推力器电连接,用于向固态工质贮供单元和射频离子推力器供电;控制单元与固态工质贮供单元、射频离子推力器、和电源分别电连接,用于接收固态工质贮供单元以及射频离子推力器的反馈信息,并根据反馈信息调节电源的输出。本申请的固态工质射频离子电推进系统,最大限度的减小了系统体积、提升了系统紧凑度和集成度、提高了推力输出精度和稳定度。

    一种检测柔性硅氧烷薄膜厚度的方法

    公开(公告)号:CN114858065B

    公开(公告)日:2024-02-20

    申请号:CN202210448963.2

    申请日:2022-04-26

    Abstract: 本发明提供一种检测柔性硅氧烷薄膜厚度的方法,涉及薄膜材料检测领域。所述柔性硅氧烷薄膜是在柔性基底表面用PECVD方法镀制的硅氧烷薄膜,所述方法包括以下步骤:取样:取柔性基底及其表面镀制的硅氧烷薄膜作为检测样品,所述检测样品由于应力作用使其截面呈圆弧状;检测:将所述检测样品置于低倍光学显微镜的观测台上,测量圆弧弦长以及弧顶到弦中心的距离,推导出圆弧的曲率半径;计算:根据stoney公式,计算得到柔性硅氧烷薄膜厚度。柔性透明硅氧烷薄膜厚度难以进行测量,基于薄膜存在应力的特点,根据薄膜曲率推导计算薄膜厚度,该方法过程简单,测试仪器要求不高,检测结果准确,适合生产企业对产品进行检验测试使用。

    一种在硅氧烷表面制备有机膜层的方法

    公开(公告)号:CN117210793A

    公开(公告)日:2023-12-12

    申请号:CN202311027668.0

    申请日:2023-08-15

    Abstract: 本发明提供一种硅氧烷表面制备有机膜层的方法,涉及电子产品封装领域。在硅氧烷表面制备有机膜层的方法包括以下步骤:对硅氧烷表面进行离子源活化;向丙烯酸酯溶液中混合基材润湿剂,得到镀膜材料;利用所述镀膜材料,采用真空蒸镀的方式在离子源活化后的硅氧烷表面生长丙烯酸酯有机膜层;对所述有机膜层进行紫外固化。本发明一方面通过对硅氧烷表面进行离子源活化提高其表面能,另一方面在有机液体中加入表面润湿剂,最终使有机液体能充分浸润硅氧烷表面,采用真空蒸镀的方法,在硅氧烷表面生长有机膜层。解决了由于硅氧烷膜面的低表面能导致有机物无法形成膜层的难题,实现有机物膜层真空环境下的连续卷绕沉积,实现超高阻隔膜产品开发。

    一种真空卷绕有机物蒸镀防护装置

    公开(公告)号:CN117051361A

    公开(公告)日:2023-11-14

    申请号:CN202311016768.3

    申请日:2023-08-14

    Abstract: 本申请涉及镀膜防护技术领域,具体而言,涉及一种真空卷绕有机物蒸镀防护装置,包括基膜、沉积辊、蒸发狭缝、气帘以及低温冷阱,其中:基膜紧贴覆盖在沉积辊上;蒸发狭缝设置在沉积辊的外侧,与加热腔连通;有机物通过加热腔,以气态分子形式从蒸发狭缝中喷出,与沉积辊上的基膜接触;气帘设置在蒸发狭缝的两侧,一端与蒸发狭缝连接,另一端与基膜之间形成第一缝隙;低温冷阱设置在气帘的外侧,一端与气帘连接,另一端与基膜之间形成第二缝隙。本申请通过在沉积辊区域边缘设置气帘与低温冷阱,将高温蒸发的有机物限制在沉积区以内,减少了对真空腔室与沉积辊的污染,解决了有机物蒸发对腔室内污染的难题。

    一种航天器在轨表面带电效应控制方法

    公开(公告)号:CN109319172B

    公开(公告)日:2022-01-21

    申请号:CN201811140258.6

    申请日:2018-09-28

    Abstract: 本发明公开了一种航天器在轨表面带电效应控制方法,首先基于电子通量与航天器表面电位关系,以及等离子温度与航天器表面电位关系,根据航天器表面能承受的电位阈值,获得通量阈值与温度阈值,在实时控制中,通过实时监测电子通量和电子温度,就可以控制电位主动控制器开关,达到表面电位控制的目的;由于观测的是电子通量与等离子体温度,并依此预测航天器表面是否能达到电位阈值并进行表面电位控制,而不是待电子和等离子体在航天器表面积累达到电位阈值后再进行电位控制,因此可提高响应速度,以及提高航天器表面带电主动控制的稳定性和准确性。

    一种环形磁钢环切场离子推力器放电室等离子体密封结构

    公开(公告)号:CN111005849A

    公开(公告)日:2020-04-14

    申请号:CN201911191377.9

    申请日:2019-11-28

    Abstract: 本发明提供了一种环形磁钢环切场离子推力器放电室等离子体密封结构,包括密封结构包括陶瓷环、屏蔽罩及Z型密封环;外围设备为离子推力器的栅极组件、阳极、绝缘支撑组件及支撑环,阳极为阶梯圆筒结构,包括大径圆筒和小径圆筒;屏蔽罩安装于阳极小径圆筒上端外壁,所述陶瓷环位于屏蔽罩下方,固定在阳极大小径之间的端面上,同时屏蔽罩对陶瓷环部分端面和陶瓷环内壁面实现遮挡,实现阳极与栅极组件之间的电绝缘;所述Z型密封环一侧水平端面固定在栅极组件底面,另一侧水平端面压缩在陶瓷环顶端,完成放电室等离子体的密封。本发明解决了离子推力器栅极组件与阳极之间在长期等离子体环境下的电绝缘和放电室等离子体的密封问题。

    一种脉冲等离子体推力器工质供给组件

    公开(公告)号:CN109578234A

    公开(公告)日:2019-04-05

    申请号:CN201811503133.5

    申请日:2018-12-10

    Abstract: 本发明公开了一种脉冲等离子体推力器工质供给组件,具有结构简单,质量轻,力学性能高的特点,可与不同脉冲等离子体推力器完成集成组装,具有很高的普遍适用性:工质承载盒两侧设置多个腰形孔,并形成加强筋,在顶部盒口处设置加强筋连接盖,形成了一个镂空式桁架结构,减轻了重量,降低了阻尼,并提高了组件的力学可靠性;承载盒中心设置了约束槽,并且相应工质侧面设置耳片15,可置于约束槽内,从而实现了工质和弹簧上下、左右方向的约束,可有效保证弹簧稳定可靠地定向推动,以及工质稳定可靠地向前定向移动。

    单层石墨烯本征缺陷下的电导率计算方法

    公开(公告)号:CN109543211A

    公开(公告)日:2019-03-29

    申请号:CN201811156912.2

    申请日:2018-09-30

    Abstract: 本发明公开了一种单层石墨烯本征缺陷下的电导率计算方法。使用本发明能够计算出完美石墨烯晶胞结构出现本征缺陷之后的结构与电子特性的改变,进而得到其电导率的变化情况。本发明首先建立单层石墨烯各类型本征缺陷的晶胞构型模型;然后利用第一性原理得到缺陷结构最为稳定的晶胞常数;通过对比完备完美晶胞和完备缺陷晶胞的晶胞结构、静态情形以及能态密度,理论分析并推导出石墨烯出现本征缺陷之后的电导率变化情况。本发明基于严谨理论分析手段拓展了实验测量,适用于石墨烯缺陷对其电导率的极为敏感的影响分析。

    一种高效燃气加热系统
    30.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119436119A

    公开(公告)日:2025-02-14

    申请号:CN202411709670.0

    申请日:2024-11-27

    Abstract: 本发明公开了一种高效燃气加热系统,该加热系统包括燃气/助燃气配比控制系统、自动点火系统、燃烧炬固定支架、升降移动平台、环形的燃烧炬以及检测控制系统;燃烧炬、燃烧炬固定支架以及升降移动平台从上到下依次固定连接;升降移动平台能够移动和升降;燃气/助燃气配比控制系统用于连接燃气气源和助燃气体气源,并将燃气和助燃气体的比例调节到最佳混合比;自动点火系统与燃气/助燃气配比控制系统和检测控制系统连接,用于实现燃烧炬的点火;检测控制系统用于控制自动点火系统和燃气/助燃气配比控制系统。上述加热系统具有燃烧充分效率高、热流密度高、加热均匀、加热端温度高、燃烧炬高度位置可调节的特点。

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