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公开(公告)号：CN116547232A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202180080828.0
申请日：2021-11-30
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及一种量子点的表面处理方法，其将包含具有配位性取代基及反应性取代基的配体通过所述配位性取代基配位于表面的量子点与有机硅化合物的溶液连续地供给至由透射光的材料构成的反应管道的同时，对所述反应管道照射光，使所述有机硅化合物与所述反应性取代基进行光聚合反应，从而利用所述有机硅化合物覆盖所述量子点的表面。由此，即使在使用大量的溶液进行表面处理时，也能够稳定地利用有机硅化合物进行量子点的表面覆盖，从而能够得到生产率高且稳定性优异的量子点，从而还提供一种可提供可靠性高的波长转换材料的量子点的表面处理方法。
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公开(公告)号：CN114746364A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202080082454.1
申请日：2020-09-30
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明为一种核壳型量子点，其包含：至少包含In及P且以第III‑V族元素为构成元素的半导体纳米晶体核；及包覆所述半导体纳米晶体核且以第II‑VI族元素为构成元素的单一或多个半导体纳米晶体壳，在所述半导体纳米晶体核与所述半导体纳米晶体壳之间，具有缓冲层，所述缓冲层包含以第II‑V族元素为构成元素的半导体纳米晶体。由此，本发明可提供一种将第III‑V族半导体纳米晶体用作核且荧光发光效率得到提高的量子点。
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公开(公告)号：CN114746363A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202080083102.8
申请日：2020-10-29
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B19/04 , C01B19/00 , C09K11/08 , C09K11/56 , C09K11/88 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , G02B5/20 , F21S2/00 , F21Y115/10
Abstract: 本发明为一种量子点，其为结晶性纳米颗粒，所述量子点具有核颗粒与包含所述核颗粒上的多个层的多层结构，所述量子点以Zn、S、Se及Te为构成元素，所述量子点自所述量子点的中心起在半径方向上具有至少一个量子阱结构。由此，可提供一种为结晶性纳米颗粒的量子点，其不含Cd、Pb等有害物质，发光半值宽度等发光特性优异，具有高量子效率。
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公开(公告)号：CN113710615A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202080030274.9
申请日：2020-02-10
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B19/04 , C01B25/08 , C01G3/00 , C01G5/00 , C01G9/08 , C09K11/08 , C09K11/56 , C09K11/62 , C09K11/70 , C09K11/88 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , H01L33/50
Abstract: 本发明为一种量子点，其为作为结晶性纳米颗粒荧光体的量子点，其中，所述量子点具有核壳结构，所述核壳结构包括包含第一金属元素的核颗粒与包含第二金属元素的壳层，在所述核颗粒与所述壳层的界面存在与所述第一金属元素及所述第二金属元素不同的第三金属元素，以摩尔比计，所述第三金属元素的量相对于所述核颗粒所含的所述第一金属元素的量为10％以下。由此，提供一种发射波长的控制性优异、且同时具有高发光特性及发光效率的量子点。
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