公开(公告)号：CN102316278B

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN201110184988.8

申请日：2011-07-04

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 松田崇 ,  菊池伸 ,  小泉徹

IPC: H04N5/335 ,  H04N5/3745 ,  H04N5/378 ,  H01L27/146

CPC classification number: H04N5/378 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14663 ,  H04N5/32 ,  H04N5/3415 ,  H04N5/3745

Abstract: 本发明涉及固态成像设备和成像系统。该固态成像设备包括：其中布置有多个像素的像素阵列，其中所述像素阵列具有由供应有固定电位的半导体和导电体之一形成的区域，每个像素包括：光电转换器、将由光电转换器产生的电荷转换成电压的电荷-电压转换器以及放大单元，所述放大单元以正的增益放大由电荷-电压转换器产生的信号并且将放大后的信号输出到输出线，并且所述输出线包括屏蔽部分，所述屏蔽部分被布置为相对于所述区域屏蔽电荷-电压转换器的至少一部分。

公开(公告)号：CN102163611A

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN201110039890.3

申请日：2011-02-18

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 高田英明 ,  小泉徹 ,  山崎康生 ,  领木达也

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14689

Abstract: 本发明涉及固态图像拾取装置和用于制造固态图像拾取装置的方法。公开了一种用于制造固态图像拾取装置的方法，该固态图像拾取装置包括配备有第一光电转换单元的第一有源区、配备有第二光电转换单元的第二有源区、以及与第一有源区和第二有源区邻接且配备有像素晶体管的第三有源区，其中场区位于第三有源区与第一有源区以及第二有源区之间，该方法包括以下步骤：离子注入第一导电类型杂质离子以在第三有源区中的预定深度处形成用作针对信号载流子的势垒的半导体区域，以及利用比上述离子注入能量低的能量来将第二导电类型杂质离子离子注入到第三有源区中。