公开(公告)号：CN103503165A

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：CN201280021545.X

申请日：2012-10-29

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 秋田胜史 ,  藤井慧 ,  石塚贵司 ,  永井阳一

IPC: H01L31/10

CPC classification number: H01L31/105 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/1844 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/109

Abstract: 提供了以下内容：一种光电探测器，其中，在具有近红外区到远红外区中的灵敏度的III-V半导体中，可以以高精度来控制载流子浓度；一种外延晶片，其形成用于光电探测器的材料；以及，一种用于制作外延晶片的方法。本发明提供有：衬底，其包括III-V族化合物半导体；光接收层，其用于接收光；窗口层，其具有比光接收层大的带隙能量；以及，p-n结，其至少被定位在光接收层处；并且特征在于，窗口层表面的均方根表面粗糙度为10nm或更大且40nm或更小。

公开(公告)号：CN103403884A

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201280010022.5

申请日：2012-02-03

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 秋田胜史 ,  石塚贵司 ,  藤井慧 ,  永井阳一 ,  稻田博史 ,  猪口康博

IPC: H01L31/10

CPC classification number: H01L31/035209 ,  B82Y20/00 ,  C30B25/183 ,  C30B29/40 ,  C30B29/42 ,  C30B29/68 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/109 ,  H01L31/1844 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明的目的是提供一种光电二极管等，该光电二极管可以在1.5μm至1.8μm的近红外波长范围内具有足够高的灵敏度并且可以具有低暗电流。根据本发明的光电二极管（10）包括：缓冲层（2），其设置为与InP衬底（1）的顶部相邻并与之接触；和吸收层（3），其位于缓冲层上并与之接触。吸收层包括50或更多个对，其中第一半导体层（3a）和第二半导体层（3b）构成一对，第一半导体层（3a）具有0.73eV或更小的带隙能量，第二半导体层（3b）具有比第一半导体层（3a）的带隙能量大的带隙能量。第一半导体层（3a）和第二半导体层（3b）形成应变补偿量子阱结构，并且每层都具有不小于1nm且不大于10nm的厚度。

公开(公告)号：CN102612758A

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201180004431.X

申请日：2011-05-19

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤井慧 ,  秋田胜史 ,  石塚贵司 ,  中幡英章 ,  猪口康博 ,  稻田博史 ,  永井阳一

IPC: H01L31/10

CPC classification number: H01L31/035236 ,  B82Y20/00 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/105 ,  H01L31/1844

Abstract: 提供一种半导体器件和光学传感器装置，每个都具有减小的暗电流和向着近红外中的更长波长扩展的探测灵敏度。而且，提供了一种半导体器件的制造方法。该半导体器件50包括：位于InP衬底1上的II型(InGaAs/GaAsSb)MQW结构的吸收层3，和位于MQW结构上的InP接触层5。在MQW结构中，GaAsSb的组分x(％)不小于44％，其厚度z(nm)不小于3nm，且满足z≥-0.4x+24.6。

公开(公告)号：CN102318152A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN200980156981.6

申请日：2009-12-25

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤井慧 ,  上野昌纪 ,  秋田胜史 ,  京野孝史 ,  善积祐介 ,  住友隆道 ,  盐谷阳平

IPC: H01S5/343

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3404 ,  H01S2304/04

Abstract: 本发明提供一种利用半极性面可提供低阈值的Ⅲ族氮化物半导体激光器。半导体衬底13的主面13a相对于与GaN的c轴方向的基准轴Cx正交的基准面以50度以上且70度以下的范围的倾斜角AOFF向GaN的a轴方向倾斜。第一覆层15、有源层17和第二覆层19设置在半导体衬底13的主面13a上。有源层17的阱层23a包含InGaN。在该半导体激光器达到激光振荡之前自有源层出射的LED模式下的偏振度P为-1以上且0.1以下。Ⅲ族氮化物半导体激光器的偏振度P使用LED模式下的光的该X1方向的电场分量I1与该X2方向的电场分量I2，由P＝(I1-I2)/(I1+I2)进行规定。