公开(公告)号：CN119317986A

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202380044878.2

申请日：2023-06-07

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 佐藤恒

IPC: H01G4/30

Abstract: 层叠陶瓷电子部件包括：层叠体、第一外部电极、第二外部电极以及保护层。层叠体具有：由第一电介质层和内部电极层交替地层叠多层而成的活性部、和位于活性部的两端的覆盖部，并具有第一侧面以及第二侧面。第一外部电极以及第二外部电极分别与不同的内部电极层连接。保护层位于第一侧面以及第二侧面，与第一电介质层的主要成分相同，厚度为30μm以下。覆盖部由主要成分与第一电介质层相同的第二电介质层和主要成分与内部电极层相同的虚设电极层交替地层叠多层而成，虚设电极层彼此的间隔为内部电极层彼此的间隔的1倍以上且8倍以下。

公开(公告)号：CN118235222A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202280075168.1

申请日：2022-07-27

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 佐藤恒

IPC: H01G4/30

Abstract: 层叠陶瓷电子部件的制造方法包括：交替层叠多个陶瓷生片和多个内部电极，得到在层叠体的至少一个主面敷设有被树脂层保护的电极图案的母层叠体的工序；在与母层叠体正交的切断预定线进行切断，得到矩形状的坯体部件的工序；通过烧成去除坯体部件的树脂层的工序；还具备在烧成之前对坯体部件的棱部进行倒角的工序。

公开(公告)号：CN117897788A

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202280058480.X

申请日：2022-08-04

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 佐藤恒

IPC: H01G13/00 ,  H01G4/30 ,  H01G4/12

Abstract: 在包括具有与水平方向平行且平坦的底面的多个凹部的收容部件的凹部中，收容坯体部件，将盖部件配置在收容部件的上方、且与底面隔开规定的距离的位置。施加磁通线与底面垂直交叉的磁场，使收容的坯体部件绕长度方向的轴线旋转，以使内部电极层与磁通线平行。

公开(公告)号：CN117642831A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202280042572.9

申请日：2022-06-07

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 佐藤恒

IPC: H01G4/30 ,  H01F17/00 ,  H01C7/10 ,  H01C7/04 ,  H01C7/02

Abstract: 层叠陶瓷电子部件，包括：坯体部件，第一外部电极，第二外部电极以及保护层。坯体部件由陶瓷层和内部电极层交替地层叠而成，并具有第一面、第二面、第一端面、第二端面、第一侧面以及第二侧面，内部电极层在第一侧面以及第二侧面，和第一端面或者第二端面露出。第一外部电极以及第二外部电极从第一端面或者第二端面延伸到第一面以及第二面中的至少一者，并且具有第一外部电极侧面以及第二外部电极侧面。保护层包含陶瓷材料，并覆盖第一侧面以及第二侧面，和第一外部电极以及第二外部电极的第一外部电极侧面以及第二外部电极侧面。

公开(公告)号：CN116964703A

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202280020685.9

申请日：2022-03-23

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 佐藤恒

IPC: H01G4/30

Abstract: 切断交替层叠有多个电介质陶瓷和内部电极层的母层叠体，通过使平均粒径为200μm以下的干冰微粒碰撞露出内部电极层的切断面，去除附着在切断面的异物。

公开(公告)号：CN104335305B

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201380029618.4

申请日：2013-06-21

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 佐藤恒

IPC: H01G4/232 ,  H01G4/30

CPC classification number: H01G4/236 ,  H01G4/005 ,  H01G4/008 ,  H01G4/0085 ,  H01G4/01 ,  H01G4/012 ,  H01G4/12 ,  H01G4/232 ,  H01G4/248 ,  H01G4/30

Abstract: 提供一种使内部电极层的端部的导体电阻的上升得到抑制、同时使内部电极层与电介质层之间的间隙得到缩减的层叠陶瓷电容器。层叠陶瓷电容器(1)在将电介质层(2)与内部电极层(3)交替地层叠而成的层叠体(1a)的端面具有与内部电极层(3)连接的外部电极(4)，内部电极层(3)具有与外部电极(4)连接的连接电极部(3a)、以及与连接电极部(3a)连接且向层叠体(1a)的内侧进行延伸的内部电极部(3b)，关于熔点比导体材料高的材料的比率，连接电极部(3a)比内部电极部(3b)更大。

公开(公告)号：CN101989495A

公开(公告)日：2011-03-23

申请号：CN201010243152.6

申请日：2010-07-28

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 佐藤恒

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/40 ,  H05K1/18

CPC classification number: H05K1/0231 ,  H01G2/065 ,  H01G4/232 ,  H01G4/30 ,  H05K1/113 ,  H05K1/186 ,  H05K3/4602 ,  H05K2201/09309 ,  H05K2201/10636 ,  Y02P70/611

Abstract: 本发明提供一种能降低ESL的电子装置。电子装置(1)具有电容器(5)和安装基板(6)。电容器(5)具备层叠体(2)、内部电极(3、3a)、和端子电极(4、4a)。安装基板(6)在上面具有连接焊盘(7、7a)，并且在内部具有与连接焊盘(7、7a)连接的贯通导体(8、8a)。在连接焊盘(7、7a)上连接端子电极(4、4a)，将电容器(5)安装在安装基板(6)上。内部电极(3、3a)从层叠体(2)的端面到侧面的中途中露出其端部。俯视时，贯通导体(8、8a)位于层叠体(2)的侧面中的内部电极(3、3a)的露出端部的最远离端面的部位的正下方。

公开(公告)号：CN100511509C

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN200510052136.8

申请日：2005-02-25

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 佐藤恒

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/02 ,  H01B1/00 ,  H05K1/03 ,  H05K3/00

CPC classification number: H01B1/16 ,  H05K1/092 ,  H05K1/162 ,  H05K3/4061 ,  H05K3/4629 ,  Y10T428/29

Abstract: 本发明涉及具有表面上具有玻璃层的Cu粉末、表面上具有金属氧化物层的Ni粉末、与包含于生片的陶瓷成分相同性质的陶瓷成分的通路导体用导电糊、具有用其形成的通路导体的层叠陶瓷电容器等陶瓷配线板、以及其制造方法。根据本发明，可以防止Cu粉末与Ni粉末反应生成Cu-Ni合金，以形成导电性优越的通路导体。

公开(公告)号：CN1661740A

公开(公告)日：2005-08-31

申请号：CN200510052136.8

申请日：2005-02-25

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 佐藤恒

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/02 ,  H01B1/00 ,  H05K1/03 ,  H05K3/00

CPC classification number: H01B1/16 ,  H05K1/092 ,  H05K1/162 ,  H05K3/4061 ,  H05K3/4629 ,  Y10T428/29

Abstract: 本发明涉及具有表面上具有玻璃层的Cu粉末、表面上具有金属氧化物层的Ni粉末、与包含于生片的陶瓷成分相同性质的陶瓷成分的通路导体用导电糊、具有用其形成的通路导体的层叠陶瓷电容器等陶瓷配线板、以及其制造方法。根据本发明，可以防止Cu粉末与Ni粉末反应生成Cu－Ni合金，以形成导电性优越的通路导体。