公开(公告)号：CN113515016B

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202110388077.0

申请日：2021-04-12

Applicant: 之江实验室 ,  浙江大学

Inventor： 匡翠方 ,  刘秋兰 ,  刘旭 ,  李海峰 ,  吴兰 ,  徐良 ,  丁晨良 ,  魏震 ,  王洪庆

IPC: G03F7/20

Abstract: 本发明公开了一种基于DMD数字掩膜的双光束激光直写方法和装置，该装置包括两路光，每路光各含一个DMD加载相应的数字图形，其中一路光中的DMD加载待刻写的实心图形，用于引发光刻胶的聚合反应；另一路光中的DMD加载所述实心图形对应边缘的空心图形，用于抑制光刻胶的聚合反应；将两路光进行合束后使两个图形投影到样品面上并实现严格对准。本发明通过DMD产生数字掩膜在实现快速面直写的基础上，通过双路激光分别进行引发和抑制光刻胶聚合可提高直写分辨率。利用本发明，有望实现高速高分辨激光直写，为纳米加工技术实现大批量生产提供新思路。

公开(公告)号：CN116183568B

公开(公告)日：2023-11-28

申请号：CN202310020503.4

申请日：2023-01-06

Applicant: 之江实验室 ,  浙江大学

Inventor： 匡翠方 ,  刘秋兰 ,  徐良 ,  朱大钊 ,  张智敏 ,  刘旭

IPC: G01N21/64 ,  G01N21/01

Abstract: 一种三维结构光照明超分辨显微成像的高保真重构的方法，包括：将一束平行光分为强度相等、偏振方向一致的三束平行光束，在样品上进行干涉形成三维非均匀照明光场，样品受到非均匀照明光场调制后频谱产生频移；由物镜接收样品发出的荧光信号后，经过场镜汇聚到成像像面，用探测器接收该荧光信号，得到一张混有样品高低频信息的低分辨率图像；多次改变照明光场的空间位移和方向，再次拍摄受光场调制的荧光信号，得到一系列混有样品高低频信息的低分辨率图像，作为原始图像。再将原始图像进行后续图像处理，首先进行照明光场的初始相位和空间频率的参数估计，然后再对样品各个频带进行分离，最后将各频谱进行组合重构出样品的高保真超分辨图像。

公开(公告)号：CN116300310A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310020668.1

申请日：2023-01-06

Applicant: 之江实验室 ,  浙江大学

Inventor： 刘秋兰 ,  孙琦 ,  樊吴申 ,  张良 ,  王宵冰 ,  匡翠方 ,  刘旭

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/20 ,  G02B21/00

Abstract: 一种利用光引发剂实现超分辨激光直写与成像的方法，通过在光刻胶单体中加入的光引发剂7‑二乙基氨‑3‑(2‑噻吩基)香豆素(DETC)，利用边缘光抑制效应(PPI)，可以实现高精度激光直写；同时，利用其本身的荧光发光特性，及其存在的本征受激辐射效应，还可以实现超分辨受激辐射损耗显微成像(STED)。本发明利用DETC这些特性，在同一个装置中同时构建激光直写系统和显微成像系统，同时实现高精度刻写与超分辨成像。相比于掺杂荧光染料的方式，简化了光刻胶的成分，在一个系统中同时实现高精度刻写与超分辨成像，将刻写系统中的抑制光光路复用于成像系统中的损耗光路，有效简化了系统。本发明还包括一种利用光引发剂实现超分辨激光直写与成像的装置。