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公开(公告)号：CN112362175A
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN202011296756.7
申请日：2020-11-18
Applicant: 中国航空工业集团公司北京长城计量测试技术研究所
IPC: G01J11/00
Abstract: 本发明公开的一种基于微腔光频合成器的激光频率测量装置，属于激光频率测量领域。本发明包括微腔光频合成器、待测激光器、微波原子钟、激光频率测量模块。泵浦激光与掺铒光纤放大器通过光纤连接，注入微环谐振腔产生高重复频率激光脉冲，通过共线式载波包络偏移频率提取单元提取载波包络偏移频率，利用锁相电路分别将重复频率及载波包络偏移频率锁定至微波原子钟，得到微腔光频合成器，待测激光器与所述微腔光频合成器通过光纤耦合器连接，拍频信号由平衡光电探测器探测，数据采集与处理单元通过采集拍频频率、重复频率及载波包络偏移频率计算得到待测激光频率。本发明采用微腔光梳，具有结构紧凑、易于实现平面光子集成的优点。
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公开(公告)号：CN120008761A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202411781749.4
申请日：2024-12-05
Applicant: 中国航空工业集团公司北京长城计量测试技术研究所
Abstract: 一种微盘腔光温度传感器的结构设计及工艺制备方法，属于集成光子器件领域。本发明通过推导微盘腔参数与耦合强度的关系设计具体结构参数，将多次光刻和湿法、干法刻蚀工艺相结合，得到基于氮化硅的微盘腔‑波导耦合结构；本发明通过折射率与耦合强度相关将光信号传递至温度，将光功率与温度的变化建立起联系，通过改变光功率与温度变化关系中的参数系数来提高微区温度测试的灵敏度、设计测温范围。本发明通过膜层生长后的退火，提高膜层的致密性，对提高结构的Q值有增益效果，且能够间接提高测试的灵敏度。本发明在反应腔室中通入氮气升温至温度D并退火，通过控制氮化硅膜层的硅氮比，能够提升波导与微盘的耦合效果，扩大微区测温的范围。
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公开(公告)号：CN119965660A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202411849510.6
申请日：2024-12-16
Applicant: 中国航空工业集团公司北京长城计量测试技术研究所
Abstract: 基于饱和吸收谱和CPT效应的微腔光梳稳频系统，属于微腔光梳、波长稳频领域。本发明包括微腔光梳模块、泵浦光源模块、饱和吸收谱稳频模块、CPT稳频模块。泵浦光模块包括泵浦激光器和光放大器。饱和吸收谱稳频模块包括原子气室物理系统和用于实现饱和吸收效应的光路。通过热调谐法实现微腔光梳激发，通过调制泵浦光产生边带，基于微腔注入锁定的原理实现微腔光梳重复频率和微腔光梳泵浦光的解耦，微腔光梳重复频率等于碱金属原子基态超精细能级频差。CPT稳频模块包含原子气室物理系统，通过微腔光梳泵浦光及其边带光激发CPT效应，将微腔光梳重复频率参考到原子跃迁频率上。基于饱和吸收谱和CPT效应稳定微腔光梳两个自由度，从而实现对微腔光梳的稳频。
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公开(公告)号：CN117467938A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311568372.X
申请日：2023-11-23
Applicant: 中国航空工业集团公司北京长城计量测试技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种高质量大厚度的二氧化硅膜层的制备方法，属于硅基光子器件制备技术领域。本发明的目的是为了解决现有技术存在的大厚度和高质量、高性能膜层无法兼顾的问题，提供一种高质量大厚度的二氧化硅膜层的制备方法；该方法通过干湿氧化过程与高温退火结合，在重整干湿干工艺的同时对部分干氧和退火过程进行设计，可以在保持生长速率的同时提高大厚度二氧化硅膜层的质量、对光的束缚性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116101970A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211090973.X
申请日：2022-09-07
Applicant: 中国航空工业集团公司北京长城计量测试技术研究所
Abstract: 本发明公开的一种微型原子气室的制备方法，属于原子气室制备技术领域。本发明主要基于CMOS平台兼容的MEMS深硅刻蚀方法实现微型原子气室腔体，采用键合的方式实现微型原子气室的封闭，采用微通道连通的非对称双气室结构避免微型原子气室的直接填充，采用加热和紫外光辐照的方式实现碱金属单质的充分释放。最后结合激光退火方法进行微通道局部熔融实现微通道的封闭，通过划片等方式实现较大气室与微型原子气室的分离。本发明能够规避微型原子气室的填充难题以及工艺波动问题；降低微型原子气室的制备难度，提升微型原子气室参数的均匀性，使得基于MEMS工艺的微型原子气室更容易实现量产。
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公开(公告)号：CN112578499B
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202011392129.3
申请日：2020-12-01
Applicant: 中国航空工业集团公司北京长城计量测试技术研究所
Abstract: 一种用于光频梳的氮化硅微环谐振腔的制备方法，包括：硅片上生长二氧化硅作为下包层；下包层上生长氮化硅作为缓冲层；缓冲层上生长二氧化硅作为掩膜层，再将其制备成长条形、方形或者圆形的周期性结构；在具有周期性结构的缓冲层上分多步生长氮化硅作为波导层，生长结束后进行高温退火，冷却后再次进行氮化硅生长直到所需的波导层厚度；在波导层上旋涂一层聚合物，然后进行纳米压印，形成图形，压印结束后移去纳米压印模板；利用ICP刻蚀工艺将聚合物图形转移到氮化硅波导层上，并对硅片进行有机清洗，去掉聚合物，完成图形转移，得到微环结构和条形波导结构；在波导层上继续生长一层二氧化硅作为上包层，完成氮化硅微环谐振腔的制备。
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公开(公告)号：CN114400504A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202111485430.3
申请日：2021-12-07
Applicant: 中国航空工业集团公司北京长城计量测试技术研究所
IPC: H01S5/22
Abstract: 本发明公开的一种低损耗氮化硅波导的制备方法，属于硅基光子器件制备技术领域。本发明在硅片上生长厚的二氧化硅膜作为下包层；在下包层上通过光刻刻蚀实现目标波导槽的图形转移；进行高温退火实现二氧化硅回流；使用各向异性的沉积方法沉积氮化硅薄膜；使用化学气相沉积生长芯层保护层氧化硅薄膜；使用化学机械平坦化去除高处的氮化硅薄膜，槽内的氮化硅作为波导芯层；进行高温退火改善氮化硅的形貌和光学损耗；生长厚的二氧化硅薄膜作为上包层；完成低损耗氮化硅波导的制备。本发明使用与CMOS平台兼容的方法，利用各向异性填槽和化学机械研磨方法，避免对波导芯层的刻蚀和直接研磨，从而避免芯层表面粗糙度和损伤带来的损耗。
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公开(公告)号：CN112578499A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202011392129.3
申请日：2020-12-01
Applicant: 中国航空工业集团公司北京长城计量测试技术研究所
Abstract: 一种用于光频梳的氮化硅微环谐振腔的制备方法，包括：硅片上生长二氧化硅作为下包层；下包层上生长氮化硅作为缓冲层；缓冲层上生长二氧化硅作为掩膜层，再将其制备成长条形、方形或者圆形的周期性结构；在具有周期性结构的缓冲层上分多步生长氮化硅作为波导层，生长结束后进行高温退火，冷却后再次进行氮化硅生长直到所需的波导层厚度；在波导层上旋涂一层聚合物，然后进行纳米压印，形成图形，压印结束后移去纳米压印模板；利用ICP刻蚀工艺将聚合物图形转移到氮化硅波导层上，并对硅片进行有机清洗，去掉聚合物，完成图形转移，得到微环结构和条形波导结构；在波导层上继续生长一层二氧化硅作为上包层，完成氮化硅微环谐振腔的制备。
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公开(公告)号：CN104900487A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510203149.4
申请日：2015-04-24
Applicant: 中国航空工业集团公司北京长城计量测试技术研究所
CPC classification number: H01L21/0203 , B23K26/3584
Abstract: 本发明涉及一种点阵扫描制备黑硅的方法和装置，属于半导体光电材料制备领域。该方法包括1：将硅片置于含掺杂物质的样品室中；2：将脉冲激光器的单束激光依次通过光阑、反射镜、半波片、偏振片、快门、扩束镜、聚焦透镜和达曼光栅等元件得到点阵激光；3：将点阵激光辐照硅片表面，通过计算机控制快门的开闭和三维平移台的运动实现点阵扫描，得到表面为微尖锥结构的黑硅材料。本发明通过引入达曼光栅，将单束激光变成二维的等光强阵列光束。达曼光栅对激光进行分束时，避免了普通半透半反镜分光过程中色散的影响，同时保证了分束后的光束质量。本发明将制备黑硅的方式由逐点扫描改为点阵扫描，大幅提高了黑硅的制备效率。
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